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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJH30H2DPK-M2#T2 | 3.6600 |  | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | FS14KM-10A#B00 | 1.7600 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD794-AZ | - | | 2944 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 26 | ||||||||||||||||||||||||||
 | NTHL080N120SC1A | 13.9700 | | 9050 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NTHL080 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 488-NTHL080N120SC1A | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 31a (TC) | 20V | 110MOHM @ 20A, 20V | 4.3V @ 5MA | 56 NC @ 20 V | +25V, -15V | 1670 pf @ 800 V | - | 178W (TC) | ||||||||
 | 2SC4695-TB-E | 0.3100 | | 75 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| SIPC19N80C3 | - | | 9533 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Mtb15n06vt4 | 0.6400 | | 10 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB150UNE315 | - | | 2485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| Fdd5n53tm | 0.4000 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 530 V | 4A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 640 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||
| 2SK1399-T1B-A | 1.0000 | | 3813 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | CY25AAJ-8F-T13#F10 | 1.4700 | | 167 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | Cy25aaj | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
 | J111RLRP | - | | 4298 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3140-02-E | 2.7700 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCP69-16 | - | | 6851 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 3 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
 | HAF1002-92L | 4.5600 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | IMBF170R650M1XTMA1 | 7.4600 | | 592 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | IMBF170 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | PG-TO263-7-13 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1700 V | 7.4a (TC) | 12V, 15V | 650mohm @ 1.5a, 15V | 5.7V @ 1.7MA | 8 NC @ 12 V | +20V, -10V | 422 pf @ 1000 V | - | 88W (TC) | |||||||||
| Irfcz44vb | - | | 9434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFCZ44VB | Obsoleto | 1 | - | 60 V | 55a | 10V | 16.5mohm @ 55a, 10v | - | - | - | - | |||||||||||||
 | Ixta94n20x4 | 12.8000 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | Ultra x4 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IxTa94 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 238-iesxa94n20x4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 94a (TC) | 10V | 10.6mohm @ 47a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 5050 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | ||||||||
| BUK7M21-40E, 115 | 1.0000 | | 6146 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS9435A | - | | 8938 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | Canal P | 30 V | 5.3a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 5.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 25V | 528 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
| PSMN1R5-30YL, 115 | - | | 3777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PSMN1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BSS7728NH6327 | - | | 9911 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23-3-5 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 200MA (TA) | 4.5V, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2.3V @ 26 µA | 1.5 NC @ 10 V | ± 20V | 56 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
 | FCPF380N60-F154 | 1.5282 | | 1166 | 0.00000000 | onde | Superfet® II | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF380 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 10.2a (TJ) | 380mohm @ 5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1665 pf @ 25 V | - | 31W (TC) | ||||||||||
| IRFR7440TRPBF | - | | 2155 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Hexfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 176-LQFP | Mosfet (Óxido de metal) | 176-LQFP (24x24) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 40 V | 90A (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 90a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 4610 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||
 | Stw68n65dm6-4ag | 12.3100 | | 9273 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, MdMesh ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | Stw68 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 497-STW68N65DM6-4AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 72a (TC) | 39mohm @ 36a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 25V | 5900 pf @ 100 V | - | 480W (TC) | |||||||||
 | NTMFS034N15MC | 2.0100 | | 1 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | NTMFS034 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 6.1a (TA), 31a (TC) | 31mohm @ 13a, 10v | 4.5V @ 70 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 905 pf @ 75 V | - | 2.5W (TA), 62.5W (TC) | ||||||||||
| FDD6688 | 1.1100 | | 149 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 84a (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3845 pf @ 15 V | - | 83W (TA) | |||||||||||||
| Auirf1404s | 3.3600 | | 25 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Hexfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10v | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 7360 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||
 | Fch76n60nf | 12.8900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Supremos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | N-canal | 600 V | 72.8a (TC) | 10V | 38mohm @ 38a, 10v | 5V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 30V | 11045 pf @ 100 V | - | 543W (TC) | |||||||||||||
 | 2SK3705 | - | | 7372 | 0.00000000 | Sanyo | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 |
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