SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FGH30N6S2 Fairchild Semiconductor FGH30N6S2 0.9500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 167 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 45 A 108 A 2.5V @ 15V, 12A 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 23 NC 6ns/40ns
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bbu -
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
NTD2955-001 onsemi NTD2955-001 -
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NTD29 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor FQPF9N25CT 0.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 710 pf @ 25 V - 38W (TC)
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0368DPA-00#J0 0.4400
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-wpak - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 20A (TA) 14.3mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 1MA 6.2 NC @ 4.5 V 730 pf @ 10 V - 25W (TC)
NVTFS014P04M8LTAG onsemi Nvtfs014p04m8ltag 1.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs014 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 40 V 11.3a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 420 µA 26.5 NC @ 10 V ± 20V 1734 pf @ 20 V - 3.2W (TA), 61W (TC)
IXXH140N65B4 IXYS Ixxh140n65b4 16.5613
RFQ
ECAD 9957 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh140 Estándar 1200 W TO-247 (IXTH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXXH140N65B4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 4.7OHM, 15V 105 ns PT 650 V 340 A 840 A 1.9V @ 15V, 120a 5.75mj (Encendido), 2.67MJ (apaguado) 250 NC 54ns/270ns
IXYN300N65A3 IXYS Ixyn300n65a3 62.2420
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn300 Estándar 1500 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXYN300N65A3 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 100a, 1ohm, 15V 125 ns PT 650 V 470 A 1600 A 1.6V @ 15V, 100A 7.8mj (Encendido), 4.7mj (apagado) 565 NC 42ns/190ns
IXTA10P15T IXYS Ixta10p15t 3.6584
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixta10 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (D2PAK) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-iPita10p15t EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 150 V 10a (TC) 10V 350mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 15V 2210 pf @ 25 V - 83W (TA)
IXYN120N65B3D1 IXYS Ixyn120n65b3d1 -
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixyn120 Estándar 830 W Sot-227b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXYN120N65B3D1 EAR99 8541.29.0095 10 400V, 50A, 2ohm, 15V 28 ns PT 650 V 250 A 770 A 1.9V @ 15V, 100A 1.34mj (Encendido), 1.5mj (apaguado) 250 NC 30ns/168ns
RJK0379DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0379DPA-00#J5A 1.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-WFDFN PADERA EXPUESTA Mosfet (Óxido de metal) 8-wpak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 50A (TA) 2.3mohm @ 25A, 10V - 37 NC @ 4.5 V 5150 pf @ 10 V - 55W (TC)
SISS22LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22LDN-T1-GE3 1.2100
RFQ
ECAD 8624 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS22 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SISS22LDN-T1-GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 25.5a (TA), 92.5a (TC) 4.5V, 10V 3.65mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2540 pf @ 30 V - 5W (TA), 65.7W (TC)
FQD6N50CTF Fairchild Semiconductor Fqd6n50ctf 0.6000
RFQ
ECAD 750 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 61W (TC)
FJPF6806DTU Fairchild Semiconductor Fjpf6806dtu -
RFQ
ECAD 7696 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 40 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 750 V 6 A 1mera NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5v -
2SA1627-T-AZ Renesas Electronics America Inc 2SA1627-T-AZ 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
2SK2158A-T1B-AT Renesas Electronics America Inc 2SK2158A-T1B-AT 0.1800
RFQ
ECAD 662 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
IPI22N03S4L-15 Infineon Technologies IPI22N03S4L-15 0.2400
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 897 N-canal 30 V 22a (TC) 4.5V, 10V 14.9mohm @ 22a, 10v 2.2V @ 10 µA 14 NC @ 10 V ± 16V 980 pf @ 25 V - 31W (TC)
2SK680A-T2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK680A-T2-AZ 0.4600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
SPB10N10LG Infineon Technologies SPB10N10LG 0.4200
RFQ
ECAD 993 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 10.3a (TC) 10V 154mohm @ 8.1a, 10v 2V @ 21 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 444 pf @ 25 V - 50W (TC)
2SJ208-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ208-T1-AZ -
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
IPI65R190C Infineon Technologies IPI65R190C 2.0000
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 151W (TC)
BC337-016 onsemi BC337-016 0.0500
RFQ
ECAD 40 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 1 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 210MHz
BSH205G2215 NXP USA Inc. BSH205G2215 -
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.950
RJH3047ADPK-80#T2 Renesas Electronics America Inc RJH3047AdPK-80#T2 5.1800
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
RJH30H1DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Inc RJH30H1DPP-M0#T2 1.7100
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 131
RJH30H2DPK-M2#T2 Renesas Electronics America Inc RJH30H2DPK-M2#T2 3.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1
FS14KM-10A#B00 Renesas Electronics America Inc FS14KM-10A#B00 1.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
2SD794-AZ Renesas Electronics America Inc 2SD794-AZ -
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 26
NTHL080N120SC1A onsemi NTHL080N120SC1A 13.9700
RFQ
ECAD 9050 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL080 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NTHL080N120SC1A EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 31a (TC) 20V 110MOHM @ 20A, 20V 4.3V @ 5MA 56 NC @ 20 V +25V, -15V 1670 pf @ 800 V - 178W (TC)
2SC4695-TB-E onsemi 2SC4695-TB-E 0.3100
RFQ
ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock