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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mpsw92rlrag | - |  | 9898 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | MPSW92 | 1 W | TO-92 (TO-226) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | MMDT3906-7-F-52 | 0.0873 | | 1117 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT3906 | 200MW | Sot-363 | descascar | 31-MMDT3906-7-F-52 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA | 2 PNP (dual) | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Dra3124t0l | - | | 4900 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Sot-723 | DRA3124 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 160 @ 5MA, 10V | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857C RFG | 0.0343 | | 4570 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 200 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7607 | - | | 3385 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 20 V | 6.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 22 NC @ 5 V | ± 12V | 1310 pf @ 15 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | Sum110p04-05-e3 | 4.7600 | | 70 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 110A (TC) | 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 11300 pf @ 25 V | - | 15W (TA), 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | PDTC123TU115 | 0.0200 | | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC123 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ALD310702APCL | 10.1814 | | 7292 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | Epad®, Umbral Cero ™ | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ALD310702 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | 16 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1014-1288 | EAR99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 Canales P, par emparejado | 8V | - | - | 180mv @ 1 µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||||||||||||||||||||
| BC846BS_R1_00001 | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 250MW | Sot-363 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-BC846BS_R1_00001DKR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | SI1304BDL-T1-E3 | - | | 3486 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1304 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 270mohm @ 900 mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 100 pf @ 15 V | - | 340MW (TA), 370MW (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | JANHCC2N5153 | 25.8685 | | 2748 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCC2N5153 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Pdta114yt, 215 | 0.1700 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA114 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 5V | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002 | 0.1200 | | 3847 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 340MA (TA) | 4.5V, 10V | 2.5ohm @ 300 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 1.6 NC @ 10 V | ± 20V | 27.5 pf @ 30 V | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SC5888 | - | | 2934 | 0.00000000 | onde | - | Bolsa | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SC5888 | 2 W | A 220 ml | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-2SC5888-on | EAR99 | 8541.29.0075 | 100 | 50 V | 10 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 360mv @ 250 Ma, 5a | 200 @ 1a, 2v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc114eua-tp | 0.2400 | | 527 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | MD2103DFP | 1.7100 | | 966 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | MD2103 | 38 W | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 700 V | 6 A | 200 µA | NPN | 1.8v @ 750 mm, 3a | 6.5 @ 3a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | PJQ5460A_R2_00001 | 0.1963 | | 6004 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | PJQ5460 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN5060-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3757-PJQ5460A_R2_00001TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.6a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 685 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | FCD600N65S3R0 | 1.8300 | | 2859 | 0.00000000 | onde | Superfet® III | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FCD600 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (A 252) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 600 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 465 pf @ 400 V | - | 54W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BC337-40RL1 | - | | 7003 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | BC337 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Bcw68hvl | 0.2000 | | 16 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW68 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 45 V | 800 Ma | 5 µA (ICBO) | PNP | 450mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| PBRP113ET-QR | 0.0687 | | 6544 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PBRP113 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1727-PBRP113ET-QRTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 750mv @ 6mA, 600 mA | 140 @ 600mA, 5V | 1 kohms | 1 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | N0400P-ZK-E1-AY | 1.5400 | | 9180 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -1161-N0400P-ZK-E1-AYCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 15A (TC) | 2.5V, 4.5V | 40mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 16 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1400 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 2DD1766Q-13 | - | | 4863 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2DD1766 | 1 W | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 800mv @ 200MA, 2A | 120 @ 500 Ma, 3V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ixta48p05t-trl | 2.8547 | | 5871 | 0.00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Ixta48 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-iesxa48p05t-trltr | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 50 V | 48a (TC) | 10V | 30mohm @ 24a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 15V | 3660 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | IXFH20N60Q | - | | 2150 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IXFH20 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247AD (IXFH) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 350mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 4MA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 3300 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | PD57018S | - | | 4601 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 65 V | Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta | PD57018 | 945MHz | Ldmos | 10 pozo | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5a | 100 mA | 18W | 16.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRFR5505PBF | - | | 7002 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 55 V | 18a (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 650 pf @ 25 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | AT-31011-Blkg | - | | 2723 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | AT-31011 | 150MW | SOT-143 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 11DB ~ 13DB | 5.5V | 16 Ma | NPN | 70 @ 1 MMA, 2.7V | - | 0.9db ~ 1.2db @ 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | CMUT5551 TR PBFREE | 0.1019 | | 6840 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | CMUT5551 | 250 MW | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XEF, 115 | - | | 8858 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 10 kohms |
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