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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC4703-AZ | - |  | 6753 | 0.00000000 | Cela | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 1.8w | Sot-89 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.3db | 12V | 150 Ma | NPN | 50 @ 50 mm, 5v | 6GHz | 2.3db @ 1ghz | ||||||||||||||||||||
 | Dra9144w0l | - | | 1384 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dra9144 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5 mm, 10v | 47 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||
 | PDTA124XU, 115 | 0.1900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PDTA124 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5MA, 5V | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
 | IRF8113TRPBF | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF8113 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 17.2a (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 17.2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 36 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2910 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
 | Zumt717tc | - | | 1683 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Zumt717 | 500 MW | Sot-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.25 A | 10NA | PNP | 240mv @ 100 mm, 1.25a | 200 @ 500mA, 2V | 220MHz | |||||||||||||||||||
 | Jan2n4449 | 12.7015 | | 5124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N4449 | 360 MW | TO-46 (TO-206AB) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 20 @ 100 maja, 1v | - | |||||||||||||||||||
 | PBHV9540XF | 0.4800 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | PBHV9540 | 1.5 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 400 V | 500 mA | 100na | PNP | 400mv @ 40 mm, 200 Ma | 140 @ 100 mapa, 5V | 65MHz | ||||||||||||||||||
 | FDA24N50 | - | | 7184 | 0.00000000 | onde | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FDA24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 190mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 30V | 4150 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||
 | 2SA1774T1 | - | | 8926 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | SC-75, SOT-416 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500PA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||
 | HUF76419P3 | - | | 1859 | 0.00000000 | onde | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | HUF76 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 29a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 29a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
| IRF7416GTRPBF | - | | 1308 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 1V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||
| Dtc114eet1 | 0.0400 | | 156 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | Dtc114 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1552S-TL-H | 0.9000 | | 231 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SA1552 | 1 W | TP-FA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 700 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 maja, 5v | 120MHz | ||||||||||||||||||
 | IXFR48N60Q3 | 28.7030 | | 2983 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Clase Q3 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IXFR48 | Mosfet (Óxido de metal) | Isoplus247 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 154mohm @ 24a, 10v | 6.5V @ 4MA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 7020 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||||||||
 | RN1116, LXHF (CT | 0.3300 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN1116 | 100 MW | SSM | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||
| AOD520 | - | | 8465 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | AOD52 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FJP3305H1 | - | | 3612 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FJP3305 | 75 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 4 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1v @ 1a, 4a | 19 @ 1a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||
| Buk9230-80eJ | - | | 7545 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934069873118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 32a | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TIP33B-S | - | | 4112 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 218-3 | TIP33 | 3.5 W | Sot-93 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | 80 V | 10 A | 700 µA | NPN | 4V @ 2.5a, 10a | 20 @ 3a, 4V | - | |||||||||||||||||||
 | IXFN300N20X3 | 48.6800 | | 2044 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Ixfn300 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 200 V | 300A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 150a, 10v | 4.5V @ 8MA | 375 NC @ 10 V | ± 20V | 23800 pf @ 25 V | - | 695W (TC) | ||||||||||||||
 | Fjn3307rta | - | | 7562 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | FJN330 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
 | IRFR1N60A | - | | 5593 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfr1n60a | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||
 | BUJ302AD, 118 | 0.8500 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BUJ302 | 80 W | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 4 A | 250 Ma | NPN | 1.5V @ 1a, 3.5a | 25 @ 800 Ma, 3V | - | |||||||||||||||||||
 | BC807-40QBZ | 0.2700 | | 30 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Almohadilla exposición 3-xdfn | 350 MW | DFN1110D-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||
| KSC5502DTM | 0.9700 | | 7161 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | KSC5502 | 50 W | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 600 V | 2 A | 100 µA | NPN | 1.5V @ 200MA, 1A | 4 @ 1a, 1v | 11MHz | ||||||||||||||||||
 | Fqpf9n08l | - | | 2460 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 7a (TC) | 5V, 10V | 210mohm @ 3.5a, 10v | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | |||||||||||||||
 | Pumx1,115 | 0.2900 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Pumx1 | 300MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||
 | 2SB0710Asl | - | | 4533 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SB0710 | 200 MW | Mini3-G1 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 170 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||
 | TSM4459CS RLG | - | | 9718 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 9a, 10v | 3V @ 250 µA | 78.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 6205 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| Zdt6702qta | 0.8667 | | 4945 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-223-8 | ZDT6702 | 2.75W | SM-8 | descascar | Alcanzar sin afectado | 31-ZDT6702QTATR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60V | 1.75a | 500NA | NPN, PNP Complementary Darlington | 1.28V @ 2mA, 1.75a | 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500 mA, 5V | 140MHz |
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