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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv2n6678 | - |  | 3570 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | Militar, MIL-PRF-19500/538 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 6 W | TO-3 (TO-204AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15 A | 1MA (ICBO) | NPN | 1v @ 3a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMC261040R | - | | 4802 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | DMC26104 | 300MW | Mini5-G3-B | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | - | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJ15025 | 3.9500 | | 700 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 250 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-MJ15025 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 250 V | 16 A | 500 µA | PNP | 4V @ 3.2a, 16a | 15 @ 8a, 4v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk768r1-40e/gfj | - | | 1927 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk76 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Art1k6phgz | - | | 6008 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Activo | 177 V | Montaje en superficie | OMP-1230-4G-1 | ART1K6 | 1MHz ~ 450MHz | Ldmos | OMP-1230-4G-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 960NA | 1600W | 27.4db | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA56_D27Z | - | | 3696 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPSA56 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 80 V | 500 mA | 100na | PNP | 200 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5740 | 37.1850 | | 3462 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 35 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5740 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 A | - | PNP | 500mV @ 500 µA, 5 mA | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GSID100A120S5C1 | - | | 2783 | 0.00000000 | Semiq | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GSID100 | 650 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1229 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 170 A | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | Si | 13.7 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021NT/WD215 | - | | 1916 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLR7843TR | - | | 3462 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 161a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4380 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bf5020we6327htsa1 | - | | 9636 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | BF5020 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT343-3D | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 25 Ma | 10 Ma | - | 26dB | 1.2db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SGB15N60 | 1.1300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sgb15n | Estándar | 139 W | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 15a, 21ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 31 A | 62 A | 2.4V @ 15V, 15a | 570 µJ | 76 NC | 32NS/234NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TK7A60W5, S5VX | 1.6400 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Dtmosiv | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TK7A60 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220SIS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 7a (TA) | 10V | 650mohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 350 µA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 300 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFSL4020PBF | - | | 1861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001565208 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 105mohm @ 11a, 10v | 4.9V @ 100 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ndh8502p | 0.5900 | | 53 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | NDH8502 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW (TA) | Supersot ™ -8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 2.2a (TA) | 110mohm @ 2.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 14.5nc @ 10V | 340pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5140U, 135 | 0.0500 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 350 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.793 | 40 V | 1 A | 100na | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 300 @ 100mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ksc838ota | - | | 6630 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSC838 | 250 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 30 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 70 @ 2mA, 12V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856S | 0.1900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntmfd1d4n02p1e | 2.5300 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Ntmfd1 | Mosfet (Óxido de metal) | 960MW (TA), 1W (TA) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 13a (TA), 74A (TC), 24a (TA), 155a (TC) | 3.3mohm @ 20a, 10v, 1.1mohm @ 37a, 10v | 2V @ 250 µA, 2V @ 800 µA | 7.2NC @ 4.5V, 21.5nc @ 4.5V | 1180pf @ 13V, 3603pf @ 13V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UMT4403U3HZGT106 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | UMT4403 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sgp5n60ruftu | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sgp6n | Estándar | 60 W | Un 220 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V, 5A, 40OHM, 15V | - | 600 V | 8 A | 15 A | 2.8V @ 15V, 5A | 24 NC | 13ns/34ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fml9t148 | 0.2350 | | 7983 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74A, SOT-753 | Fml9t148 | 200 MW | Smt5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | Npn + diodo (aislado) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS8023S | 1.5000 | | 1 | 0.00000000 | onde | Powertrench®, Syncfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS8023 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 26a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 26a, 10v | 3V @ 1MA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3550 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF821 | - | | 9372 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 390 | N-canal | 450 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FJP5021OTU | - | | 2764 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 500 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 20 @ 600mA, 5V | 18mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RT1C060UNTR | 0.2213 | | 7445 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RT1C060 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSST | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 28mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 1MA | 11 NC @ 4.5 V | ± 10V | 870 pf @ 10 V | - | 650MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC846W-QX | 0.0221 | | 2983 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, BC846XW-Q | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC846 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MG12600WB-BR2MM | - | | 1077 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 2500 W | Estándar | WB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 750 A | 2.5V @ 15V, 600A | 100 µA | Si | 60.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3402Strl | - | | 9487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 85A (TC) | 4.5V, 7V | 8mohm @ 51a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 78 NC @ 4.5 V | ± 10V | 3300 pf @ 15 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FW905-TL-E | 0.5200 | | 8 | 0.00000000 | Sanyo | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 |
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