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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMDT3904-TPQ2 | 0.0834 |  | 9987 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT3904 | 200MW | Sot-363 | descascar | 353-MMDT3904-TPQ2 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200 MMA | 50NA | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDS4435 | - | | 6045 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Fds44 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.8a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.8a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 5 V | ± 25V | 1604 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | AOTF14N50L | - | | 4661 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | AOTF14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | - | Alcanzar sin afectado | 785-AOTF14N50L | 1 | N-canal | 500 V | 14a (TJ) | 10V | 380mohm @ 7a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2297 pf @ 25 V | - | 50W | |||||||||||||||||||||||
 | BG3123H6327XTSA1 | - | | 7714 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BG3123 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma, 20 Ma | 14 MA | - | 25db | 1.8db | 5 V | ||||||||||||||||||||||||
 | CPC5608N | - | | 4430 | 0.00000000 | División de Circuitos Integrados Ixys | - | Tubo | Obsoleto | - | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CPC5608 | 8-Soico | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 80 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk6y61-60px | 0.9400 | | 6962 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Buk6y61 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal P | 60 V | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 61mohm @ 4.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 30 V | - | 66W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | PHPT61006NY, 115 | - | | 9914 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMX400UPZ | 0.4800 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Mosfet (Óxido de metal) | DFN0603-3 (SOT8013) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | Canal P | 20 V | 900 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 500mohm @ 1a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 2.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 146 pf @ 10 V | - | 500MW (TA), 4.7W (TC) | |||||||||||||||||||||
| 2SK669K | 0.1000 | | 4144 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,843 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Std4nk80zt4 | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std4nk80 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3A (TC) | 10V | 3.5ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50 µA | 22.5 NC @ 10 V | ± 30V | 575 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | BC856BW/DG/B2,115 | - | | 4030 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC856 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934062462115 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
 | SK8603170L | 1.0500 | | 5 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | Mosfet (Óxido de metal) | HSO8-F4-B | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 59A (TC) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 14a, 10v | 3V @ 2.56MA | 17 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2940 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 24W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Ntmfd6h840nlt1g | 1.3008 | | 4006 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Ntmfd6 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W (TA), 90W (TC) | 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 80V | 14a (TA), 74A (TC) | 6.9mohm @ 20a, 10v | 2V @ 96 µA | 32NC @ 10V | 2022pf @ 40V | - | ||||||||||||||||||||||
 | DI150N03PQ | 0.9919 | | 9059 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Qfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-DI150N03PQTR | 8541.21.0000 | 5,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.1mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 37 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5100 pf @ 15 V | - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Ipd11dp10nmatma1 | 1.8500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD11D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 3.4a (TA), 22a (TC) | 10V | 111mohm @ 18a, 10v | 4V @ 1.7MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 2N6039 | - | | 3448 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 2N6039 | 40 W | A-126 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 80 V | 4 A | 100 µA | NPN - Darlington | 2V @ 8MA, 2A | 750 @ 2a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2N5401-BP | - | | 1962 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N5401 | 625 MW | Un 92 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 353-2N5401-BP | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 150 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 60 @ 10mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
| Ixfp14n55x2 | 5.8746 | | 6048 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | Tubo | Activo | - | - | - | IXFP14 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXFP14N55X2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | Bc848aw | 0.0317 | | 8249 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-BC848AWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Max8791agta+ | 0.5600 | | 1 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | * | Una granela | Activo | Max8791 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOD3N40 | 0.2725 | | 7779 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AOD3 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 400 V | 2.6a (TC) | 10V | 3.1ohm @ 1a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 5.1 NC @ 10 V | ± 30V | 225 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 2N5322E3 | 20.1300 | | 5537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 10 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5322E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 75 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPB049NE7N3GATMA1 | 2.8000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB049 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 91 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Ixtp6n50p | - | | 6555 | 0.00000000 | Ixys | Polarhv ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Ixtp6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 6a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 3a, 10v | 5V @ 50 µA | 14.6 NC @ 10 V | ± 30V | 740 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BSB053N03LP G | - | | 1041 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| IRFR5305TRPBF | - | | 4473 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573302 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Fqb2p25tm | - | | 4591 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB2 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 250 V | 2.3a (TC) | 10V | 4ohm @ 1.15a, 10V | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | 2N5323 | - | | 9647 | 0.00000000 | Harris Corporation | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N532 | 10 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | IRF7321D2TR | - | | 7221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | AON6774 | - | | 9838 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alfamos | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON67 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44a (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.05mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 6.2W (TA), 48W (TC) |
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