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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TIP42B-S | - |  | 3823 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP42 | 2 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 80 V | 6 A | 700 µA | PNP | 1.5V @ 600mA, 6a | 15 @ 3a, 4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFB7537PBF | 2.2100 | | 72 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB7537 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 173A (TC) | 6V, 10V | 3.3mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 150 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 7020 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | NDH8436 | - | | 3992 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | NDH843 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TA) | 30mohm @ 5.8a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | 560 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFC120NB | - | | 9144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 448-IRFC120NB | Obsoleto | 1 | - | 100 V | 9.4a | - | 210mohm @ 9.4a, 10v | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc860bmtf | - | | 2824 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC860 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IXTH16N50D2 | 13.8500 | | 2218 | 0.00000000 | Ixys | Agotamiento | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IXTH16 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247 (IXTH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 0V | 240mohm @ 8a, 0V | - | 199 NC @ 5 V | ± 20V | 5250 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 695W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Zdt6705ta | - | | 5001 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-223-8 | ZDT6705 | 2.75W | Sm8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 120V | 1A | 10 µA | NPN, PNP Darlington (Dual) | 1.5V @ 1MA, 1A | 2000 @ 1a, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DCP68-13 | 0.4000 | | 4536 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | DCP68 | 1 W | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | 330MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| PH3530DL115 | 0.4600 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ245L-E | 2.0200 | | 242 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ksc2690ayststu | - | | 6935 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | KSC2690 | 1.2 W | A-126-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.880 | 160 V | 1.2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 700mv @ 200MA, 1A | 160 @ 300mA, 5V | 155MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN3023L-7 | 0.3700 | | 305 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN3023 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.2a (TA) | 2.5V, 10V | 25mohm @ 4a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 18.4 NC @ 10 V | ± 20V | 873 pf @ 15 V | - | 900MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Bcw66fvl | 0.2000 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW66 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 V | 800 Ma | 5 µA (ICBO) | NPN | 450mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FDW2503N | - | | 9358 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 21mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1082pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
| SI2372DS-T1-GE3 | - | | 7022 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2372 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4A (TA), 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 288 pf @ 15 V | - | 960MW (TA), 1.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | HD1750JL | - | | 5105 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | HD1750 | 200 W | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 800 V | 24 A | 200 µA | NPN | 3V @ 3a, 12a | 5.5 @ 12a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 68231h | - | | 7101 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS5C404NT3G | - | | 6714 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 53A (TA), 378A (TC) | 10V | 0.7mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 8400 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | PMEM4020ND, 115 | - | | 8796 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 950 Ma | 100na | Npn + diodo (aislado) | 400mv @ 200MA, 2A | 300 @ 500 mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FDZ2553NZ | - | | 2663 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 18 WFBGA | FDZ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 18-BGA (2.5x4) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4400_D81Z | - | | 8263 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N4400 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 40 V | 600 mA | - | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 50 @ 150mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| DU2820S | 48.3679 | | 9015 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | - | Una granela | Activo | 65 V | Monte del Chasis | 4L-FLG | Du2820 | 2MHz ~ 175MHz | N-canal | - | - | 1465-DU2820S | 1 | N-canal | 1mera | 100 mA | 20W | 13dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stp11nm60fd | 5.3000 | | 955 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Fdmesh ™ | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 900 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Aptgt75a120t1g | 78.2900 | | 2285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SP1 | Aptgt75 | 357 W | Estándar | SP1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 110 A | 2.1V @ 15V, 75a | 250 µA | Si | 5.34 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| Ksp92ata | - | | 5567 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-KSP92ATA-600039 | 1 | 300 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 10mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sp8m9tb | - | | 3786 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8M9 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 9a, 5a | 18mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21NC @ 5V | 1190pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
 | NSV2SC5658M3T5G | 0.4100 | | 38 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | NSV2SC5658 | 260 MW | Sot-723 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 150 Ma | 500NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | VEC2415-TL-E | - | | 1713 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Vec2415 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | SOT-28FL/VEC8 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3A | 80mohm @ 1.5a, 10V | 2.6V @ 1MA | 10nc @ 10V | 505pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
| Hip2060asa | 1.8300 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Una granela | Activo | HIP2060 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n6676t1 | - | | 9994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 300 V | 15 A | - | NPN | - | - | - |
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