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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMMT491A, 215 | 0.0400 |  | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMMT4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2n1714s | - | | 1785 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 60 V | 750 Ma | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AO3456 | - | | 8172 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Variante Sot-23-3 | AO34 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Bcp49h6359xtma1 | - | | 4453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BCP49 | 1.5 W | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Ksb601ytstu | - | | 4061 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSB60 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 3MA, 3A | 5000 @ 3a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BLM10D3438-35ABX | 20.8439 | | 9836 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 20-Qfn | BLM10 | 3.8GHz ~ 3.4GHz | Ldmos | 20-PQFN (8x8) | - | ROHS3 Cumplante | 1603-Blm10D3438-35ABXTR | 2,000 | - | 1.4 µA | 45 Ma | - | 33.4db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGPH40F | - | | 2712 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 160 W | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 1200 V | 29 A | 3.3V @ 15V, 17A | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dxtp19020dp5-13 | 0.5700 | | 4 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | DXTP19020 | 3 W | Powerdi ™ 5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 20 V | 8 A | 50NA (ICBO) | PNP | 275mv @ 800 mA, 8a | 300 @ 100 mapa, 2v | 176MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| ICA32V07X1SA1 | - | | 6989 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000960548 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ddc143xu-7 | 0.0650 | | 7209 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | DDC143 | 200MW | Sot-363 | descascar | 31-DDC143XU-7 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX53,115 | 0.4700 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BCX53 | 1.3 W | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR514PFRAT100 | 0.5000 | | 156 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar514 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 15 mA, 300 mA | 120 @ 100 mapa, 3V | 380MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | STP210N75F6 | 4.4100 | | 46 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP210 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250 µA | 171 NC @ 10 V | ± 20V | 11800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | Nx3008nbksh | 0.5000 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | NX3008 | Mosfet (Óxido de metal) | 445MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 350MA (TA) | 1.4ohm @ 350mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 0.68nc @ 4.5V | 50pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MJ11015G | 8.8200 | | 438 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | MJ11015 | 200 W | TO-204 (TO-3) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | MJ11015GOS | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 120 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | Ksp14ta | - | | 1165 | 0.00000000 | onde | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSP14 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BCR133WH6327XTSA1 | 0.0553 | | 1080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BCR133 | 250 MW | PG-SOT323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 130 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | Smun5330dw1t1g | 0.1060 | | 1482 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Smun5330 | 187MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 250 MV a 5 mm, 10 Ma | 3 @ 5 MMA, 10V | - | 1 kohms | 1 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | Ksd1616aybu | - | | 2195 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KSD1616 | 750 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mm, 1a | 135 @ 100 mapa, 2v | 160MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | UP0431NG0L | - | | 4345 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | UP0431 | 125MW | Ssmini6-f2 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 250 mV A 300 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 150MHz, 80MHz | 4.7 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BD434-BP | - | | 6173 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD434 | 1.25 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 22 V | 4 A | 100 µA | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 50 @ 2a, 1v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| Ntjs4160nt1g | - | | 9537 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | NTJS41 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-88/SC70-6/SOT-363 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.8a (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 2.6a, 10V | 2.4V @ 250 µA | 2.75 NC @ 4.5 V | ± 20V | 230 pf @ 10 V | - | 300MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | Jans2n918ub | 220.1112 | | 4902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/301 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 200 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 50 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 20 @ 3mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | CPH5518-TL-H | - | | 7098 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | CPH5518 | 1.2w | 5-cph | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80V, 50V | 1A | 100NA (ICBO) | NPN, PNP (emisor acoplado) | 190mv @ 10 Ma, 500 Ma | 200 @ 100 mapa, 2v | 420MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Sum10250e-ge3 | 2.8900 | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum10250 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 63.5a (TC) | 7.5V, 10V | 31mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 3002 pf @ 125 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SI7905DN-T1-GE3 | - | | 2854 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7905 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Irf630ns | - | | 6230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf630ns | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | N-canal | 200 V | 9.3a (TC) | 10V | 300mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 575 pf @ 25 V | - | 82W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | R8003knd3tl1 | 2.3200 | | 988 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R8003 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 3a (TA) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 2mA | 11.5 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 100 V | - | 45W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | BC857SH6327XTSA1 | 0.3900 | | 70 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| TF009F-AC | 0.0700 | | 320 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 |
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