SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRFS644B_FP001 onsemi IRFS644B_FP001 -
RFQ
ECAD 5541 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IRFS6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 280mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 43W (TC)
IRFU220BTU_F080 onsemi IRFU220BTU_F080 -
RFQ
ECAD 9676 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Irfu2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 200 V 4.6a (TC) 10V 800mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
IRLR130ATM onsemi IRLR130ATM -
RFQ
ECAD 6518 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR13 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 13a (TC) 5V 120mohm @ 6.5a, 5V 2V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
MMBFJ305 onsemi Mmbfj305 -
RFQ
ECAD 1824 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj3 225 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal - 30 V 8 Ma @ 15 V 500 MV @ 1 Na
SFP9Z24 onsemi SFP9Z24 -
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SFP9Z2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 9.7a (TC) 10V 280mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 49W (TC)
SFR9034TF onsemi SFR9034TF -
RFQ
ECAD 2255 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFR903 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 14a (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 25V 1155 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
SI4420DY onsemi Si4420dy -
RFQ
ECAD 1141 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si442 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Si4420dyfs EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 53 NC @ 5 V ± 20V 2180 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
TLC530FTU onsemi Tlc530ftu -
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 TLC530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 330 V 7a (TA) - - - -
TLC530TU onsemi Tlc530tu -
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 TLC530 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 330 V 7a (TA) - - - -
STGP14N60D STMicroelectronics STGP14N60D -
RFQ
ECAD 2202 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 STGP14 Estándar 95 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8898-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 25 A 50 A 2.1V @ 15V, 7a - -
SPA11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spa11n60cfdxksa1 2.5347
RFQ
ECAD 6513 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa11n60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10v 5V @ 1.9MA 64 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 33W (TC)
SPA15N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA15N65C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 2200 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa15n65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 34W (TC)
IPU075N03L G Infineon Technologies IPU075N03L G -
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Ipu075n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 15 V - 47W (TC)
IPU64CN10N G Infineon Technologies Ipu64cn10n g -
RFQ
ECAD 3505 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU64C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 17a (TC) 10V 64mohm @ 17a, 10v 4V @ 20 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 569 pf @ 50 V - 44W (TC)
PTF210451F V1 Infineon Technologies PTF210451F V1 -
RFQ
ECAD 4361 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 2.17GHz Ldmos H-31265-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 1 µA 500 mA 45W 14dB - 28 V
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10v 2.3V @ 50 µA 2.5 NC @ 10 V ± 20V 78 pf @ 25 V - 360MW (TA)
IPA60R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R250CPXKSA1 -
RFQ
ECAD 2245 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 440 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 100 V - 33W (TC)
IPB020N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB020N04NGATMA1 3.0800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB020 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 140A (TC) 10V 2mohm @ 100a, 10v 4V @ 95 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 9700 pf @ 20 V - 167W (TC)
IPB023N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPB023N06N3GATMA1 -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB023N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 4V @ 141 µA 198 NC @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 30 V - 214W (TC)
BSD214SN L6327 Infineon Technologies BSD214SN L6327 -
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 3.7 µA 0.8 NC @ 5 V ± 12V 143 pf @ 10 V - 500MW (TA)
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MDGXUMA1 0.9300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO220 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6A 22mohm @ 7.7a, 10V 2.1V @ 250 µA 10nc @ 10V 800pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1 -
RFQ
ECAD 8730 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB147N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 14.7mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 15 V - 31W (TC)
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 -
RFQ
ECAD 2155 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB47N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IPI086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1 1.6500
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI086 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 80a (TC) 6V, 10V 8.6mohm @ 73a, 10v 3.5V @ 75 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3980 pf @ 50 V - 125W (TC)
IPI08CN10N G Infineon Technologies IPI08CN10N G -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI08C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 95A (TC) 10V 8.5mohm @ 95a, 10v 4V @ 130 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6660 pf @ 50 V - 167W (TC)
IXGR60N60C3C1 IXYS IXGR60N60C3C1 -
RFQ
ECAD 2982 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgr60 Estándar 170 W Isoplus247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 40a, 3ohm, 15V PT 600 V 75 A 260 A 2.5V @ 15V, 40A 830 µJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) 115 NC 24ns/70ns
IXGP30N60C3C1 IXYS IXGP30N60C3C1 -
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixgp30 Estándar 220 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300V, 20a, 5ohm, 15V PT 600 V 60 A 150 A 3V @ 15V, 20a 120 µJ (Encendido), 90 µJ (apaguado) 38 NC 17ns/42ns
IXGH30N60C3C1 IXYS IXGH30N60C3C1 -
RFQ
ECAD 1110 0.00000000 Ixys GenX3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh30 Estándar 220 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 300V, 20a, 5ohm, 15V PT 600 V 60 A 150 A 3V @ 15V, 20a 120 µJ (Encendido), 90 µJ (apaguado) 38 NC 17ns/42ns
MMBT2222AM3T5G onsemi Mmbt2222am3t5g 0.2300
RFQ
ECAD 894 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 MMBT2222 640 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMBT4401M3T5G onsemi Mmbt4401m3t5g 0.3400
RFQ
ECAD 61 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 MMBT4401 265 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock