SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Resistencia - RDS (ON)
SH8K32TB1 Rohm Semiconductor Sh8k32tb1 1.7000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8k32 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP (5.0x6.0) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 4.5a 65mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1MA 10NC @ 5V 500pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SH8M24TB1 Rohm Semiconductor Sh8m24tb1 1.6800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sh8m24 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 45V 4.5a, 3.5a 46mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1MA 9.6nc @ 5V 550pf @ 10V -
IRF6645 Infineon Technologies IRF6645 -
RFQ
ECAD 3784 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SJ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sj descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 100 V 5.7a (TA), 25a (TC) 10V 35mohm @ 5.7a, 10V 4.9V @ 50 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 890 pf @ 25 V - 3W (TA), 42W (TC)
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies IRFH7911TRPBF -
RFQ
ECAD 1792 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18-Powervqfn IRFH7911 Mosfet (Óxido de metal) 2.4W, 3.4W PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado SP001577920 EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 13a, 28a 8.6mohm @ 12a, 10v 2.35V @ 25 µA 12NC @ 4.5V 1060pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
UPA1873GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1873GR-9JG-E1-A 0.3467
RFQ
ECAD 9202 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) UPA1873 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 6A 23mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 1MA 9NC @ 4V 705pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDMS2506SDC onsemi FDMS2506SDC -
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 onde Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS25 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 39A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.45mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 93 NC @ 10 V ± 20V 5945 pf @ 13 V - 3.3W (TA), 89W (TC)
FDMS7578 onsemi FDMS7578 -
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS75 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 17a (TA), 28a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 17a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1625 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 33W (TC)
FDMS7580 onsemi FDMS7580 1.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS75 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 15A (TA), 29A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1190 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 27W (TC)
FDS4675-F085 onsemi FDS4675-F085 -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds46 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 11a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 56 NC @ 4.5 V ± 20V 4350 pf @ 20 V - 2.4W (TA)
FDS9431A-F085 onsemi FDS9431A-F085 -
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS94 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 3.5a (TA) 2.5V, 4.5V 130mohm @ 3.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 8V 405 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDZ375P onsemi FDZ375P 2.9200
RFQ
ECAD 532 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP FDZ37 Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 20 V 3.7a (TA) 1.5V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 8V 865 pf @ 10 V - 1.7w (TA)
FGH60N60SMD onsemi FGH60N60SMD 6.6800
RFQ
ECAD 2165 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH60 Estándar 600 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 60a, 3ohm, 15V 39 ns Parada de Campo 600 V 120 A 180 A 2.5V @ 15V, 60A 1.26MJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) 189 NC 18ns/104ns
IXTF1N400 IXYS Ixtf1n400 -
RFQ
ECAD 8958 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -Pac ™ -5 (3 cables) Ixtf1 Mosfet (Óxido de metal) Isoplus I4-Pac ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q5597315 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 4000 V 1A (TC) 10V 60ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 160W (TC)
2N7002BKS,115 Nexperia USA Inc. 2N7002BKS, 115 0.4400
RFQ
ECAD 455 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 295MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 300mA 1.6ohm @ 500 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 50pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
BF1102,115 NXP USA Inc. BF1102,115 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BF110 800MHz Mosfet 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 40mera 15 Ma - - 2db 5 V
BF1105,215 NXP USA Inc. BF1105,215 -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BF110 800MHz Mosfet Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera - 20dB 1.7db 5 V
BF1202R,215 NXP USA Inc. BF1202R, 215 -
RFQ
ECAD 7326 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 10 V Un 253-4, un 253AA BF120 400MHz Mosfet Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 12 MA 200MW 30.5dB 0.9db 5 V
BF1215,115 NXP USA Inc. BF1215,115 -
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 6 V Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BF121 400MHz Mosfet 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 19 MA - 30dB 1.5db 5 V
BF245A,126 NXP USA Inc. BF245A, 126 -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF245 100MHz Jfet Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 933171550126 EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 6.5mA - - 1.5db 15 V
BF545B,215 NXP USA Inc. BF545B, 215 -
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 30 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BF545 - Jfet SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 15 Ma - - -
BF904AR,215 NXP USA Inc. Bf904ar, 215 -
RFQ
ECAD 4053 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie Sot-143r BF904 200MHz Mosfet Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera 10 Ma - - 1dB 4 V
BLF573,112 Ampleon USA Inc. BLF573,112 140.9000
RFQ
ECAD 166 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda Activo 110 V Monte del Chasis Sot-502a BLF573 225MHz Ldmos Sot502a descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 20 42a 900 mA 300W 27.2db - 50 V
BLF7G20LS-200,112 Ampleon USA Inc. BLF7G20LS-200,112 -
RFQ
ECAD 4834 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502b BLF7 1.81GHz ~ 1.88GHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934064584112 EAR99 8541.29.0095 20 - 1.62 A 55w 18dB - 28 V
BLF7G27LS-100,118 Ampleon USA Inc. BLF7G27LS-100,118 -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502b BLF7 2.5Ghz ~ 2.7GHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934064592118 EAR99 8541.29.0095 100 28A 900 mA 20W 18dB - 28 V
J111,126 NXP USA Inc. J111,126 -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J111 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 40 V 6pf @ 10V (VGS) 40 V 20 Ma @ 15 V 10 V @ 1 µA 30 ohmios
PSMN015-60PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN015-60PS, 127 1.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 PSMN015 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 14.8mohm @ 15a, 10v 4V @ 1MA 20.9 NC @ 10 V ± 20V 1220 pf @ 30 V - 86W (TC)
FDD86326 onsemi FDD86326 2.1800
RFQ
ECAD 3825 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD863 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 8a (TA), 37a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1035 pf @ 50 V - 3.1W (TA), 62W (TC)
NTMFS4899NFT1G onsemi Ntmfs4899nft1g -
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4899 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 10.4a (TA), 75a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 12 V - 920MW (TA), 48W (TC)
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1117pal 5.7000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) ALD1117 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 8 pdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1048 EAR99 8541.21.0095 50 2 par de canal p (dual) emparejado 10.6v - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804PCL 6.9740
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ALD114804 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16 PDIP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1055 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v 12 Ma, 3 Ma 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V MODO DE AGOTAMENTO
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock