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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Nvmfs5113plwft1g | 3.1100 |  | 7634 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NVMFS5113 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal P | 60 V | 10a (TA), 64A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 4400 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Nvmfs5c426nlt1g | 3.7300 | | 49 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 41a (TA), 237a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 250 µA | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Nvmfs5c456nt1g | 1.6300 | | 6207 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 20A (TA), 80a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Nvmfs5c460nt1g | 1.5500 | | 3802 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 19a (TA), 71a (TC) | 10V | 5.3mohm @ 35a, 10V | 3.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 25 V | - | 3.6W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C466NWFT1G | 1.6800 | | 9075 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 15A (TA), 49A (TC) | 10V | 8.1mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 625 pf @ 25 V | - | 3.5W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FCP165N65S3 | 4.0600 | | 731 | 0.00000000 | onde | Superfet® III | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FCP165 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 19a (TC) | 10V | 165mohm @ 9.5a, 10V | 4.5V @ 1.9MA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1500 pf @ 400 V | - | 154W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FCPF360N65S3R0L | - | | 9031 | 0.00000000 | onde | Superfet® III | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF360 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 10a (TC) | 10V | 360mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 730 pf @ 400 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SIA915DJ-T4-GE3 | - | | 4122 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA915 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 3.7a (TA), 4.5A (TC) | 87mohm @ 2.9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 9NC @ 10V | 275pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | STP80N70F4 | - | | 8049 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Deepgate ™, Stripfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp80n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 68 V | 85A (TC) | 10V | 9.8mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | CSD86336Q33DT | 1.9200 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD86336Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W | 8-Vson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 25V | 20A (TA) | 9.1mohm @ 20a, 5V, 3.4mohm @ 20a, 5V | 1.9V @ 250 µA, 1.6V @ 250 µA | 3.8nc @ 45V, 7.4nc @ 45V | 494pf @ 12.5V, 970pf @ 12.5V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 5 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| CTLDM7120-M832DS BK | - | | 1124 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | CTLDM7120 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.65W | TLM832DS | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 1a (TA) | 100mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 2.4nc @ 4.5V | 220pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FP50R12N2T4B16BOSA1 | - | | 3053 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Descontinuado en sic | - | - | - | FP50R12 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FP75R12N2T4B16BOSA1 | - | | 5750 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPIM ™ 2 | Banda | Descontinuado en sic | - | - | - | FP75R12 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS100R12N2T4PBPSA1 | 222.8620 | | 5066 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | - | - | - | FS100R12 | - | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001622498 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R090CFD7XKSA1 | 6.9100 | | 128 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R090 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 11.4a, 10V | 4.5V @ 570 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2103 pf @ 400 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPD60R145CFD7ATMA1 | 3.8500 | | 9 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-4, DPAK (3 cables + Pestaña) | IPD60R | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK (A 252) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 145mohm @ 6.8a, 10V | 4.5V @ 340 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1330 pf @ 400 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPW60R018CFD7XKSA1 | 25.0400 | | 210 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW60R018 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 101a (TC) | 10V | 18mohm @ 58.2a, 10v | 4.5V @ 2.91mA | 251 NC @ 10 V | ± 20V | 9901 pf @ 400 V | - | 416W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF150P220XKMA1 | - | | 9012 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRF150 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 150 V | 203A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 100a, 10v | 4.6V @ 265 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 75 V | - | 556W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Buk9y2r8-40hx | 0.9791 | | 5361 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | Buk9y2 | - | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934660366115 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | - | 120a (TJ) | - | - | - | +16V, -10V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT200EPEX | 0.5300 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | PMT200 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | Canal P | 70 V | 2.4a (TA) | 4.5V, 10V | 167mohm @ 2.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 15.9 NC @ 10 V | ± 20V | 822 pf @ 35 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MVB50P03HDLT4G | - | | 3058 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MVB50 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 5V | 25mohm @ 25A, 5V | 2V @ 250 µA | 100 NC @ 5 V | ± 15V | 4900 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2896 | 17.3831 | | 2494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | TO-18 (TO-206AA) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2n2896ms | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 90 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 15 Ma, 150 Ma | 60 @ 150mA, 10V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2609 | 11.4114 | | 4430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2609 | 300 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 2n2609ms | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 10pf @ 5V | 30 V | 2 Ma @ 5 V | 750 MV @ 1 A | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfd5c650nlwft1g | 5.0300 | | 5861 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Nvmfd5 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.5W (TA), 125W (TC) | 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 21a (TA), 111a (TC) | 4.2mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 98 µA | 16NC @ 4.5V | 2546pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nvmfd5c680nlt1g | 1.7500 | | 8997 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Nvmfd5 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W (TA), 19W (TC) | 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 7.5a (TA), 26a (TC) | 28mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 13 µA | 2NC @ 4.5V | 350pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nvmfs4c310nt1g | 1.3600 | | 1179 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 51A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Si3404-TP | 0.4900 | | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si3404 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TJ) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 5.8a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 820 pf @ 15 V | - | 350MW | |||||||||||||||||||||||||||
 | Stgb25n40lzag | 2.6200 | | 2745 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STGB25 | Lógica | 150 W | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 10a, 1kohm, 5V | - | 435 V | 25 A | 50 A | 1.25V @ 4V, 6A | - | 26 NC | 1.1 µs/4.6 µs | |||||||||||||||||||||||||||
 | 6ms24017p43w39872nosa1 | - | | 8724 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ModStack ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 6ms24017 | 14500 W | Estándar | Módulo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8543.70.9860 | 1 | Inversor trifásico | - | 1700 V | 1100 A | - | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Bsm100gal120dlckhosa1 | - | | 5137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | BSM100 | 835 W | Estándar | Módulo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Piquero | - | 1200 V | 205 A | 2.6V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 6.5 NF @ 25 V |
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