Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2n911 | 30.5700 | ![]() | 1284 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 800 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n911 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | - | NPN | 1V @ 5 mm, 50 Ma | 1000 @ 3a, 4v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C2222A | 1.5900 | ![]() | 6547 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | Morir | 2C2222 | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1 | 40 V | 10NA (ICBO) | NPN | - | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansm2n2907aua/tr | 156.0008 | ![]() | 2705 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N2907 | 500 MW | Ua | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n2907aua/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6S9060GNR1 | 35.5106 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 66 V | Montaje en superficie | Un 270bb | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | TO70 WB-4 GUALL | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935310336528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 450 Ma | 14W | 21.1db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA212401E V4 | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-36260-2 | PTFA212401 | 2.14 GHz | Ldmos | H-36260-2 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 35 | 10 µA | 1.6 A | 50W | 15.8db | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1740E-TD-E | - | ![]() | 1018 | 0.00000000 | Sanyo | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2SA1740E-TD-E-600057 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1184-R-TP | 0.4313 | ![]() | 7263 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2SB1184 | 1 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 200Ma, 2a | 82 @ 500 mA, 3V | 70MHz | |||||||||||||||||||||||
Ski06048 | - | ![]() | 6392 | 0.00000000 | Sánken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 55a, 10v | 2.5V @ 1.5MA | 90.6 NC @ 10 V | ± 20V | 6210 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx2n3811 | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3811 | 350MW | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1 mapa, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | ON5453,518 | - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ON5453 | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 934063299518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2804T1L-E2-AT | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5334 | 22.2750 | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 6 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5334 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 | ![]() | 92 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1214GN-1200VG | - | ![]() | 3129 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | VG | Una granela | Activo | 65 V | Montaje en superficie | 55-Q11a | 1.2GHz ~ 1.4GHz | Hemt | 55-Q11a | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1214GN-1200VG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 280 Ma | 1200W | 17dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FW297-TL-2W | - | ![]() | 4857 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FW297 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 4.5a | 58mohm @ 4.5a, 10V | 2.6V @ 1MA | 14nc @ 10V | 750pf @ 20V | Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V | |||||||||||||||||||||
![]() | SQM120N06-06_GE3 | 2.9400 | ![]() | 9218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6495 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030NK-QX | 0.3350 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PHPT610030 | 1W | Lfpak56d | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1727-PHPT610030NK-QXTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 100V | 3A | 100na | 2 NPN (dual) | 330MV @ 300 Ma, 3a | 150 @ 500 mA, 10V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Rjk6012dpp-e0#t2 | 2.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-RJK6012DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 10a (TA) | 10V | 920mohm @ 5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 30W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | BLM8D1822S-50PBG | - | ![]() | 8590 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1212-2 | 1.805GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | 16-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1603-Blm8d1822s-50pbgtr | 1 | Dual | 1.4 µA | 190 Ma | - | 26dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Sihu3n50da-ge3 | 0.3532 | ![]() | 1524 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab | Sihu3 | Mosfet (Óxido de metal) | Ipak (un 251) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 177 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DMTH4011SPD-13 | 0.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DMTH4011 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA) | PowerDI5060-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 11.1A (TA), 42A (TC) | 15mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 10.6nc @ 10V | 805pf @ 20V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BLA8H0910L-500U | 518.4000 | ![]() | 8855 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 114.5 V | Monte del Chasis | Sot-502a | Bla8 | 900MHz ~ 930MHz | Ldmos | Sot502a | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 2.8 µA | 90 Ma | 500W | 19dB | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | RM16P60LD | 0.2600 | ![]() | 3845 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM16P60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10v | 2.2V @ 25 µA | ± 20V | 1810 pf @ 30 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RM15P60LD | 0.1500 | ![]() | 6517 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM15P60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 60 V | 13a (TC) | 10V | 90mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1080 pf @ 15 V | - | 31.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR523MT2L | 0.3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-723 | 2Sar523 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ214STL-E | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si444442dy-t1-e3 | 3.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4442 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 2.5V, 10V | 4.5mohm @ 22a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||
Jansp2n5154 | 95.9904 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N5154 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n3498ub/tr | 28.1250 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3498UB/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssvpzt75111g | - | ![]() | 5548 | 0.00000000 | onde | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-SSVPZT75111GTR | Obsoleto | 1,000 |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock