SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2N911 Microchip Technology 2n911 30.5700
RFQ
ECAD 1284 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 800 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-2n911 EAR99 8541.21.0095 1 60 V - NPN 1V @ 5 mm, 50 Ma 1000 @ 3a, 4v 50MHz
2C2222A Microchip Technology 2C2222A 1.5900
RFQ
ECAD 6547 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie Morir 2C2222 Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1 40 V 10NA (ICBO) NPN - 100 @ 150mA, 10V -
JANSM2N2907AUA/TR Microchip Technology Jansm2n2907aua/tr 156.0008
RFQ
ECAD 2705 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2907 500 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jansm2n2907aua/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
MRFE6S9060GNR1 NXP USA Inc. MRFE6S9060GNR1 35.5106
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 66 V Montaje en superficie Un 270bb Mrfe6 880MHz Ldmos TO70 WB-4 GUALL - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935310336528 EAR99 8541.29.0075 500 - 450 Ma 14W 21.1db - 28 V
PTFA212401E V4 Infineon Technologies PTFA212401E V4 -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis H-36260-2 PTFA212401 2.14 GHz Ldmos H-36260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 35 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
2SA1740E-TD-E Sanyo 2SA1740E-TD-E -
RFQ
ECAD 1018 0.00000000 Sanyo * Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SA1740E-TD-E-600057 1
2SB1184-R-TP Micro Commercial Co 2SB1184-R-TP 0.4313
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SB1184 1 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 50 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 1V @ 200Ma, 2a 82 @ 500 mA, 3V 70MHz
SKI06048 Sanken Ski06048 -
RFQ
ECAD 6392 0.00000000 Sánken - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 85A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 55a, 10v 2.5V @ 1.5MA 90.6 NC @ 10 V ± 20V 6210 pf @ 25 V - 135W (TC)
JANTX2N3811 Microsemi Corporation Jantx2n3811 -
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/336 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N3811 350MW Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 50mera 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 250mv @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1 mapa, 5V -
ON5453,518 NXP USA Inc. ON5453,518 -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ON5453 - - - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 934063299518 EAR99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
UPA2804T1L-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2804T1L-E2-AT 0.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
2N5334 Microchip Technology 2N5334 22.2750
RFQ
ECAD 5551 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 6 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-2N5334 EAR99 8541.29.0095 1 60 V 3 A - NPN - - -
BLF6G10LS-135RN112 NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112 76.1800
RFQ
ECAD 92 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 4
1214GN-1200VG Microchip Technology 1214GN-1200VG -
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 Tecnología de Microchip VG Una granela Activo 65 V Montaje en superficie 55-Q11a 1.2GHz ~ 1.4GHz Hemt 55-Q11a descascar Alcanzar sin afectado 150-1214GN-1200VG EAR99 8541.29.0095 1 - 280 Ma 1200W 17dB - 50 V
FW297-TL-2W onsemi FW297-TL-2W -
RFQ
ECAD 4857 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FW297 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 4.5a 58mohm @ 4.5a, 10V 2.6V @ 1MA 14nc @ 10V 750pf @ 20V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
SQM120N06-06_GE3 Vishay Siliconix SQM120N06-06_GE3 2.9400
RFQ
ECAD 9218 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sqm120 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 30a, 10v 3.5V @ 250 µA 145 NC @ 10 V ± 20V 6495 pf @ 25 V - 230W (TC)
PHPT610030NK-QX Nexperia USA Inc. PHPT610030NK-QX 0.3350
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1205, 8-LFPAK56 PHPT610030 1W Lfpak56d - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1727-PHPT610030NK-QXTR EAR99 8541.29.0075 1.500 100V 3A 100na 2 NPN (dual) 330MV @ 300 Ma, 3a 150 @ 500 mA, 10V 140MHz
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas Rjk6012dpp-e0#t2 2.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RJK6012DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 10a (TA) 10V 920mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 30W (TA)
BLM8D1822S-50PBG Ampleon USA Inc. BLM8D1822S-50PBG -
RFQ
ECAD 8590 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie SOT-1212-2 1.805GHz ~ 2.17GHz Ldmos 16-HSOP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1603-Blm8d1822s-50pbgtr 1 Dual 1.4 µA 190 Ma - 26dB - 28 V
SIHU3N50DA-GE3 Vishay Siliconix Sihu3n50da-ge3 0.3532
RFQ
ECAD 1524 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab Sihu3 Mosfet (Óxido de metal) Ipak (un 251) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 3A (TC) 10V 3.2ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 177 pf @ 100 V - 69W (TC)
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPD-13 0.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4011 Mosfet (Óxido de metal) 2.6W (TA) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 11.1A (TA), 42A (TC) 15mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 805pf @ 20V -
BLA8H0910L-500U Ampleon USA Inc. BLA8H0910L-500U 518.4000
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 114.5 V Monte del Chasis Sot-502a Bla8 900MHz ~ 930MHz Ldmos Sot502a descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 20 2.8 µA 90 Ma 500W 19dB - 50 V
RM16P60LD Rectron USA RM16P60LD 0.2600
RFQ
ECAD 3845 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM16P60LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 60 V 16a (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10v 2.2V @ 25 µA ± 20V 1810 pf @ 30 V - 25W (TC)
RM15P60LD Rectron USA RM15P60LD 0.1500
RFQ
ECAD 6517 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM15P60LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 60 V 13a (TC) 10V 90mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1080 pf @ 15 V - 31.2W (TC)
2SAR523MT2L Rohm Semiconductor 2SAR523MT2L 0.3500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 2Sar523 150 MW VMT3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
2SJ214STL-E Renesas Electronics America Inc 2SJ214STL-E 2.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
SI4442DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si444442dy-t1-e3 3.1400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4442 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15a (TA) 2.5V, 10V 4.5mohm @ 22a, 10v 1.5V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.6w (TA)
JANSP2N5154 Microchip Technology Jansp2n5154 95.9904
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/544 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N5154 1 80 V 2 A 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
2N3498UB/TR Microchip Technology 2n3498ub/tr 28.1250
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W UB - Alcanzar sin afectado 150-2N3498UB/TR EAR99 8541.29.0095 100 100 V 500 mA 10 µA (ICBO) NPN 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150mA, 10V -
SSVPZT75111G onsemi Ssvpzt75111g -
RFQ
ECAD 5548 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SSVPZT75111GTR Obsoleto 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock