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Productos de Semiconducores discretos (191)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U 6.2290
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D024 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 650 V 12A 1.5 V @ 12 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD080A008S1-D3 SemiQ GSXD080A008S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 80A 840 MV @ 80 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D020A120U SemiQ GP2D020A120U -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 33A (DC) 1.8 V @ 10 A 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3 39.3400
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 80A 700 MV @ 80 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF060A040S1-D3 SemiQ GSXF060A040S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 400 V 60A 1.3 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3 33.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS050B065S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 650 V 95A (DC) 1.6 v @ 50 a 0 ns 125 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D050A065B SemiQ GP3D050A065B 11.0520
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D050A065B EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 50 a 125 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 135a 1946pf @ 1v, 1 MHz
GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D 2.2227
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 Semiq - Tape & Reel (TR) Activo GP3D010 - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D010A065DCT EAR99 8541.10.0080 500 - 650 V - 10A -
GSID100A120T2C1A SemiQ GSID100A120T2C1A -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo GSID100 800 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3 Inversor trifásico - 1200 V 200 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Si 13.7 NF @ 25 V
GSXD160A012S1-D3 SemiQ GSXD160A012S1-D3 -
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 160A 880 MV @ 160 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1042-5 EAR99 8541.10.0080 75 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 6 a 0 ns 60 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 316pf @ 1v, 1 MHz
GSXD080A010S1-D3 SemiQ GSXD080A010S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 160A 840 MV @ 80 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSID600A120S4B1 SemiQ GSID600A120S4B1 -
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo Gsid600 3060 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2 Medio puente - 1200 V 1130 A 2.1V @ 15V, 600A 1 MA Si 51 NF @ 25 V
GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3 54.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GHXS050B120S-D3 EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1200 V 101a (DC) 1.7 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Semiq - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GSID150 1087 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1230 EAR99 8541.29.0095 2 Inversor trifásico - 1200 V 285 A 2.1V @ 15V, 150a 1 MA Si 21.2 NF @ 25 V
GSXD120A015S1-D3 SemiQ GSXD120A015S1-D3 -
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 120a 880 MV @ 120 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D005A120A SemiQ GP3D005A120A -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1244 EAR99 8541.10.0080 50
GHXS020A060S-D3 SemiQ GHXS020A060S-D3 37.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 20A 1.7 V @ 20 A 200 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF030A020S1-D3 SemiQ GSXF030A020S1-D3 27.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF030 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 30A 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D005A170B SemiQ GP3D005A170B 5.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D005 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1243 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.65 v @ 5 a 0 ns 20 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 21A 347pf @ 1V, 1 MHz
GP3D008A065A SemiQ GP3D008A065A 2.0600
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D008 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 8 a 0 ns 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 336pf @ 1V, 1 MHz
GP3D015A120A SemiQ GP3D015A120A 7.9700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D015A120A EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 962pf @ 1v, 1 MHz
GSXD050A018S1-D3 SemiQ GSXD050A018S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 50A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD050A010S1-D3 SemiQ GSXD050A010S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF030A120S1-D3 SemiQ GSXF030A120S1-D3 -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF030 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados GSXF030A120S1D3 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 30A 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF060A100S1-D3 SemiQ GSXF060A100S1-D3 33.9986
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 60A 2.35 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D006A065C SemiQ GP3D006A065C -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 Semiq * Tubo Activo GP3D006 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GP2D005A120C SemiQ GP2D005A120C -
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Semiq AMP+™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 317pf @ 1v, 1 MHz
GSXD050A006S1-D3 SemiQ GSXD050A006S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 50A 750 MV @ 50 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto Monte del Chasis Add-a-pak (3) GSXD300 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1700 V 1.9 V @ 300 A 540 ns -40 ° C ~ 150 ° C 300A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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