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Productos de Semiconducores discretos (191)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto Monte del Chasis Add-a-pak (3) GSXD300 Estándar Add-a-pak® descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 6 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1700 V 1.9 V @ 300 A 540 ns -40 ° C ~ 150 ° C 300A -
GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 223 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 20a, 10ohm, 15V 425 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 60 A 2.5V @ 15V, 20a 2.8MJ (Encendido), 480 µJ (apaguado) 210 NC 30ns/150ns
GSID100A120T2P2 SemiQ GSID100A120T2P2 -
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo GSID100 710 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3 Inversor trifásico - 1200 V 200 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Si 13.7 NF @ 25 V
GSID150A120S3B1 SemiQ GSID150A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo D-3 GSID150 940 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 4 2 Independientes - 1200 V 300 A 2V @ 15V, 150a 1 MA No 14 NF @ 25 V
GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 480 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 40a, 5ohm, 15V 200 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 120 A 2.6V @ 15V, 40A 5.3mj (Encendido), 1.1mj (apaguado) 480 NC 55ns/200ns
GSXF060A020S1-D3 SemiQ GSXF060A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 60A 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GPA030A120I-FD SemiQ GPA030A120I-FD -
RFQ
 ECAD 3620 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 329 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30a, 10ohm, 15V 450 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) 330 NC 40ns/245ns
GSID150A120S6A4 SemiQ GSID150A120S6A4 -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo GSID150 1035 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 4 Soltero - 1200 V 275 A 1.9V @ 15V, 150a 1 MA Si 20.2 NF @ 25 V
GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3 39.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 15A 1.7 V @ 15 A 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C -
RFQ
 ECAD 5362 0.00000000 Semiq AMP+™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 1.65 v @ 3 a 0 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1V, 1 MHz
GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U 18.1023
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D040 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 20A 1.65 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GCMS080B120S1-E1 SemiQ GCMS080B120S1-E1 25.9600
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMS080 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GCMS080B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 30A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V +25V, -10V 1374 pf @ 1000 V - 142W (TC)
GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 329 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30a, 10ohm, 15V 450 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) 330 NC 40ns/245ns
GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Estándar 463 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 25 600V, 60a, 50ohm, 15V 465 ns Npt y trinchera 1000 V 60 A 120 A 2.9V @ 15V, 60A 13.1MJ (Encendido), 6.3mj (apaguado) 405 NC 230ns/1480ns
GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U 20.8400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GP2T040A120U EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 63A (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V +25V, -10V 3192 pf @ 1000 V - 322W (TC)
GSID080A120B1A5 SemiQ GSID080A120B1A5 -
RFQ
 ECAD 6824 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo GSID080 1710 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1200 V 160 A 2v @ 15V, 80a 1 MA Si 7 NF @ 25 V
GSID200A120S3B1 SemiQ GSID200A120S3B1 -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Semiq AMP+™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo D-3 GSID200 1595 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 4 2 Independientes - 1200 V 400 A 2V @ 15V, 200a 1 MA No 20 nf @ 25 V
GP3D005A120C SemiQ GP3D005A120C -
RFQ
 ECAD 2383 0.00000000 Semiq * Tape & Reel (TR) Activo GP3D005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500
GPA040A120L-FD SemiQ GPA040A120L-FD -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Estándar 480 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 25 600V, 40a, 5ohm, 15V 200 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 120 A 2.6V @ 15V, 40A 5.3mj (Encendido), 1.1mj (apaguado) 480 NC 55ns/200ns
GSXD080A015S1-D3 SemiQ GSXD080A015S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 80A 880 MV @ 80 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 212 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 15a, 10ohm, 15V 320 ns Npt y trinchera 1200 V 30 A 45 A 2.5V @ 15V, 15a 1.61MJ (Encendido), 530 µJ (apaguado) 210 NC 25ns/166ns
GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1 29.3400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMX040 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GCMX040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 121 NC @ 20 V +25V, -10V 3185 pf @ 1000 V - 242W (TC)
GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A -
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1034-5 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 3 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1V, 1 MHz
GSXD060A008S1-D3 SemiQ GSXD060A008S1-D3 37.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 60A 880 MV @ 60 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A020S1-D3 SemiQ GSXD060A020S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 8826 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 60A 920 MV @ 60 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD100A006S1-D3 SemiQ GSXD100A006S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A020S1-D3 SemiQ GSXD120A020S1-D3 41.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D030A120U SemiQ GP2D030A120U -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1233-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 50A (DC) 1.8 V @ 15 A 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2T040A120H SemiQ Gp2t040a120h 21.2800
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GP2T040A120H EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 63A (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V +25V, -10V 3192 pf @ 1000 V - 322W (TC)
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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