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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
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![]() | GSXF120A020S1-D3 | 38.6179 | ![]() | 7517 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF120 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 120a | 1 V @ 120 A | 100 ns | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GHXS050A170S-D3 | 177.6100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GHXS050 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 2 Independientes | 1700 V | 150a | 1.9 V @ 50 A | 750 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A010S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD100 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 100 V | 100A | 840 MV @ 100 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA015A120MN-ND | - | ![]() | 1402 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 212 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 15a, 10ohm, 15V | 320 ns | Npt y trinchera | 1200 V | 30 A | 45 A | 2.5V @ 15V, 15a | 1.61MJ (Encendido), 530 µJ (apaguado) | 210 NC | 25ns/166ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA030A120I-FD | - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 329 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | 450 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 60 A | 90 A | 2.5V @ 15V, 30a | 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) | 330 NC | 40ns/245ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF120A120S1-D3 | 39.6525 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF120 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1200 V | 120a | 2.35 V @ 120 A | 135 ns | 25 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D010A120A | 6.0000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | GP3D010 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 10 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 608pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A006S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 3263 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD100 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 60 V | 100A | 750 MV @ 100 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A018S1-D3 | 37.0575 | ![]() | 2977 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD120 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 180 V | 120a | 920 MV @ 120 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D030A120U | 15.7900 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | GP3D030 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 15A | 1.6 v @ 15 a | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA042A100L-ND | - | ![]() | 4213 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Estándar | 463 W | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 600V, 60a, 50ohm, 15V | 465 ns | Npt y trinchera | 1000 V | 60 A | 120 A | 2.9V @ 15V, 60A | 13.1MJ (Encendido), 6.3mj (apaguado) | 405 NC | 230ns/1480ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD160A010S1-D3 | 45.3900 | ![]() | 4825 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD160 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 100 V | 160A | 840 MV @ 160 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA020A135MN-FD | - | ![]() | 2337 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 223 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 20a, 10ohm, 15V | 425 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1350 V | 40 A | 60 A | 2.3V @ 15V, 20a | 2.5MJ (Encendido), 760 µJ (apaguado) | 180 NC | 25ns/175ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A004S1-D3 | 41.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD120 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 120a | 700 MV @ 120 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A120U | 10.1353 | ![]() | 4202 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | GP3D020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 10A | 1.65 v @ 10 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A065B | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.65 V @ 20 A | 200 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1054pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GPA030A120MN-FD | - | ![]() | 1512 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 329 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V, 30a, 10ohm, 15V | 450 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 60 A | 90 A | 2.5V @ 15V, 30a | 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) | 330 NC | 40ns/245ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD100A015S1-D3 | 33.9200 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD100 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 150 V | 100A | 880 MV @ 100 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D020A120B | 9.5017 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1179pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A012S1-D3 | 35.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD050 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 120 V | 50A | 880 MV @ 50 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXF100A120S1-D3 | 39.7100 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF100 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 1200 V | 100A | 2.35 V @ 100 A | 125 ns | 25 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D003A060C | - | ![]() | 5362 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-252-2L (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 600 V | 1.65 v @ 3 a | 0 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 158pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD120A020S1-D3 | 41.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD120 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 120a | 920 MV @ 120 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
GP2D010A120A | - | ![]() | 3273 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1043-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 20 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 635pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP3D005A120C | - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | Semiq | * | Tape & Reel (TR) | Activo | GP3D005 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD050A008S1-D3 | 31.8774 | ![]() | 8203 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD050 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 80 V | 50A | 840 MV @ 50 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A015S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 1187 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD060 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 150 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GCMX040B120S1-E1 | 29.3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GCMX040 | SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1560-GCMX040B120S1-E1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 1200 V | 57a (TC) | 20V | 52mohm @ 40a, 20V | 4V @ 10mA | 121 NC @ 20 V | +25V, -10V | 3185 pf @ 1000 V | - | 242W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | GSXD060A008S1-D3 | 37.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD060 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 80 V | 60A | 840 MV @ 60 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D010A065C | - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.65 v @ 10 a | 100 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 527pf @ 1V, 1 MHz |
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