SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
GSXF120A020S1-D3 SemiQ GSXF120A020S1-D3 38.6179
RFQ
ECAD 7517 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 1 V @ 120 A 100 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS050A170S-D3 SemiQ GHXS050A170S-D3 177.6100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 2 Independientes 1700 V 150a 1.9 V @ 50 A 750 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD100A010S1-D3 SemiQ GSXD100A010S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA015A120MN-ND SemiQ GPA015A120MN-ND -
RFQ
ECAD 1402 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 212 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 15a, 10ohm, 15V 320 ns Npt y trinchera 1200 V 30 A 45 A 2.5V @ 15V, 15a 1.61MJ (Encendido), 530 µJ (apaguado) 210 NC 25ns/166ns
GPA030A120I-FD SemiQ GPA030A120I-FD -
RFQ
ECAD 3620 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 329 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30a, 10ohm, 15V 450 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) 330 NC 40ns/245ns
GSXF120A120S1-D3 SemiQ GSXF120A120S1-D3 39.6525
RFQ
ECAD 9398 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 120a 2.35 V @ 120 A 135 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 608pf @ 1V, 1 MHz
GSXD100A006S1-D3 SemiQ GSXD100A006S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A018S1-D3 SemiQ GSXD120A018S1-D3 37.0575
RFQ
ECAD 2977 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U 15.7900
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D030 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 15A 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GPA042A100L-ND SemiQ GPA042A100L-ND -
RFQ
ECAD 4213 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Estándar 463 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 25 600V, 60a, 50ohm, 15V 465 ns Npt y trinchera 1000 V 60 A 120 A 2.9V @ 15V, 60A 13.1MJ (Encendido), 6.3mj (apaguado) 405 NC 230ns/1480ns
GSXD160A010S1-D3 SemiQ GSXD160A010S1-D3 45.3900
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 160A 840 MV @ 160 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA020A135MN-FD SemiQ GPA020A135MN-FD -
RFQ
ECAD 2337 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 223 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 20a, 10ohm, 15V 425 ns Parada de Campo de Trinchera 1350 V 40 A 60 A 2.3V @ 15V, 20a 2.5MJ (Encendido), 760 µJ (apaguado) 180 NC 25ns/175ns
GSXD120A004S1-D3 SemiQ GSXD120A004S1-D3 41.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 120a 700 MV @ 120 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U 10.1353
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 10A 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B -
RFQ
ECAD 7087 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 V @ 20 A 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1054pf @ 1V, 1 MHz
GPA030A120MN-FD SemiQ GPA030A120MN-FD -
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 329 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 30a, 10ohm, 15V 450 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 90 A 2.5V @ 15V, 30a 4.5MJ (Encendido), 850 µJ (apaguado) 330 NC 40ns/245ns
GSXD100A015S1-D3 SemiQ GSXD100A015S1-D3 33.9200
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B 9.5017
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1179pf @ 1V, 1 MHz
GSXD050A012S1-D3 SemiQ GSXD050A012S1-D3 35.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 50A 880 MV @ 50 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF100A120S1-D3 SemiQ GSXF100A120S1-D3 39.7100
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF100 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 100A 2.35 V @ 100 A 125 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D003A060C SemiQ GP2D003A060C -
RFQ
ECAD 5362 0.00000000 Semiq AMP+™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 1.65 v @ 3 a 0 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1V, 1 MHz
GSXD120A020S1-D3 SemiQ GSXD120A020S1-D3 41.4600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D010A120A SemiQ GP2D010A120A -
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1043-5 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 635pf @ 1v, 1 MHz
GP3D005A120C SemiQ GP3D005A120C -
RFQ
ECAD 2383 0.00000000 Semiq * Tape & Reel (TR) Activo GP3D005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500
GSXD050A008S1-D3 SemiQ GSXD050A008S1-D3 31.8774
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3 33.2649
RFQ
ECAD 1187 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 60A 880 MV @ 60 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1 29.3400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMX040 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GCMX040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 121 NC @ 20 V +25V, -10V 3185 pf @ 1000 V - 242W (TC)
GSXD060A008S1-D3 SemiQ GSXD060A008S1-D3 37.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D010A065C SemiQ GP2D010A065C -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 Semiq AMP+™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 10 a 100 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 527pf @ 1V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock