SIC
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Productos de Semiconducores discretos (191)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GSXD050A020S1-D3 SemiQ GSXD050A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 50A 920 MV @ 50 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D005A170B SemiQ GP2D005A170B -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1038-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.75 v @ 5 a 0 ns 10 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 406pf @ 1v, 1 MHz
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 608pf @ 1V, 1 MHz
GP3D020A120B SemiQ GP3D020A120B 9.5017
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1179pf @ 1V, 1 MHz
GSXD100A015S1-D3 SemiQ GSXD100A015S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D050A120B SemiQ GP3D050A120B 23.2600
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.7 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 50A 3040pf @ 1V, 1 MHz
GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 312 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 10ohm, 15V 480 ns Npt y trinchera 1200 V 50 A 75 A 2.5V @ 15V, 25A 4.15mj (Encendido), 870 µJ (apagado) 350 NC 57ns/240ns
GSXF120A020S1-D3 SemiQ GSXF120A020S1-D3 38.6179
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 1 V @ 120 A 100 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D020A120U SemiQ GP3D020A120U 10.1353
RFQ
 ECAD 4202 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 10A 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D030A065B SemiQ GP2D030A065B -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Semiq * Tubo Descontinuado en sic - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GSXD100A010S1-D3 SemiQ GSXD100A010S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U 15.7900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D030 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 15A 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A 5.3302
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D020 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados 1560-GP3D020A065A EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 V @ 30 A 75 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1247pf @ 1v, 1 MHz
GP2D005A120A SemiQ GP2D005A120A -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1036-5 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 5 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 317pf @ 1v, 1 MHz
GP2D010A120U SemiQ GP2D010A120U -
RFQ
 ECAD 3798 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 17a (DC) 1.8 V @ 5 A 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GCMS040B120S1-E1 SemiQ GCMS040B120S1-E1 34.8800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMS040 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GCMS040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 124 NC @ 20 V +25V, -10V 3110 pf @ 1000 V - 242W (TC)
GHXS030A120S-D1 SemiQ GHXS030A120S-D1 -
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Silicon Carbide Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 A 200 µA @ 1200 V 30 A Fase única 1.2 kV
GSXD120A012S1-D3 SemiQ GSXD120A012S1-D3 37.0575
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 120a 880 MV @ 120 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D030A120B SemiQ GP2D030A120B -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1054-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 30 A 0 ns 60 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 1905pf @ 1V, 1MHz
GP3D008A065D SemiQ GP3D008A065D 1.7953
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 Semiq - Tape & Reel (TR) Activo GP3D008 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 800 - 650 V - 8A -
GSXD030A010S1-D3 SemiQ GSXD030A010S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD030 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 30A 840 MV @ 30 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GHXS010A060S-D3 SemiQ GHXS010A060S-D3 20.4600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 600 V 10A 1.7 V @ 10 A 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D006A065A SemiQ GP3D006A065A 1.8500
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D006 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.55 v @ 6 a 15 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 229pf @ 1V, 1 MHz
GSXD030A006S1-D3 SemiQ GSXD030A006S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 4091 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD030 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 30A 750 MV @ 30 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD030A004S1-D3 SemiQ GSXD030A004S1-D3 -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD030 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 45 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD030A008S1-D3 SemiQ GSXD030A008S1-D3 27.7148
RFQ
 ECAD 3886 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD030 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 30A 840 MV @ 30 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF030A100S1-D3 SemiQ GSXF030A100S1-D3 -
RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF030 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 30A 2.35 V @ 30 A 85 ns 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D040A120U SemiQ GP2D040A120U -
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 65a (DC) 1.8 V @ 20 A 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D010A065B SemiQ GP3D010A065B 2.7810
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-GP3D010A065B EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.6 v @ 10 a 0 ns 25 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 419pf @ 1v, 1 MHz
GSXD060A010S1-D3 SemiQ GSXD060A010S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 60A 840 MV @ 60 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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