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Productos de Semiconducores discretos (191)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f
GHXS050A060S-D3	54.3800	RFQ	1489	Semiq	-	Tubo	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GHXS050	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	50A	1.8 V @ 50 A		100 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GP3D030A120B	13.3387	RFQ	2173	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	To-247-2	GP3D030	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1200 V		1.7 V @ 30 A	0 ns	60 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	1762pf @ 1V, 1 MHz
GSXD080A018S1-D3	34.6525	RFQ	6863	Semiq	-	Tubo	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD080	Schottky	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	13	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	180 V	80A	920 MV @ 80 A		3 Ma @ 180 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GP3D020A170B	13.6300	RFQ	23	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	To-247-2	GP3D020	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1700 V		1.65 V @ 20 A	0 ns	80 µA @ 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	67a	1403pf @ 1V, 1 MHz
GP3D010A170B	8.5100	RFQ	17	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	To-247-2	GP3D010	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1700 V		1.65 v @ 10 a	0 ns	40 µA @ 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	67a	699pf @ 1v, 1 MHz
GP3D020A065U	6.3700	RFQ	339	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo	A Través del Aguetero	TO-247-3	GP3D020	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	30	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	1 par Cátodo Común	650 V	10A	1.6 v @ 10 a	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GSXF030A100S1-D3	-	RFQ	7309	Semiq	-	Tubo	Obsoleto	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXF030	Estándar	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	13	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1000 V	30A	2.35 V @ 30 A	85 ns	25 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GSXD030A006S1-D3	27.7148	RFQ	4091	Semiq	-	Tubo	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD030	Schottky	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	13	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	60 V	30A	750 MV @ 30 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GP2D008A065C	-	RFQ	5149	Semiq	*	Tubo	Descontinuado en sic						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	1
GSXD160A020S1-D3	41.7555	RFQ	4511	Semiq	-	Tubo	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD160	Schottky	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	13	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	160A	920 MV @ 160 A		3 Ma @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GSXD030A010S1-D3	27.7148	RFQ	5942	Semiq	-	Tubo	Activo	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD030	Schottky	Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	8541.10.0080	13	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	100 V	30A	840 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C