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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
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![]() | GSID300A125S5C1 | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | Semiq | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GSID300 | 2500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1240 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor de 3 fase | Parada de Campo de Trinchera | 1250 V | 600 A | 2.4V @ 15V, 300A | 1 MA | Si | 30.8 NF @ 25 V | ||||||||||||
![]() | GSXD060A012S1-D3 | 33.2649 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXD060 | Schottky | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 120 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 3 Ma @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||
![]() | GP3D020A065B | 6.2800 | ![]() | 171 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 835pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | GP3D030A120B | 13.3387 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D030 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 60 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 1762pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | GSXF100A040S1-D3 | 35.2259 | ![]() | 1350 | 0.00000000 | Semiq | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GSXF100 | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 100A | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||
![]() | GP3D020A170B | 13.6300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D020 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.65 V @ 20 A | 0 ns | 80 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 67a | 1403pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | GSID150A120T2C1 | - | ![]() | 8663 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | GSID150 | 1087 W | Rectificador de Puente Trifásico | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 285 A | 2.1V @ 15V, 150a | 1 MA | Si | 21.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||
![]() | GP3D006A065A | 1.8500 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | GP3D006 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 v @ 6 a | 15 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 229pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | GP3D010A170B | 8.5100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | GP3D010 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.65 v @ 10 a | 0 ns | 40 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 67a | 699pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||
![]() | GP3D008A065D | 1.7953 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | Semiq | - | Tape & Reel (TR) | Activo | GP3D008 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | - | 650 V | - | 8A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GP2D020A170B | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Semiq | AMP+™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To-247-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1560-1053-5 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1700 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1624pf @ 1V, 1 MHz |
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