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Productos de semiconductoros discretos (2287)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NTE2375 NTE Electronics, Inc NTE2375 10.4100
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2375 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 41a (TC) 10V 55mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 230W (TC)
1N5237B NTE Electronics, Inc 1N5237B 0.1200
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW - descascar Rohs no conforme 2368-1N5237B EAR99 8541.10.0050 1 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
NTE464 NTE Electronics, Inc NTE464 17.8400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-72-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-72 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE464 EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 25 V 10A 10V 600ohm @ 0a, 10v 5V @ 10a ± 30V 5000 pf @ 10 V Estándar 800MW (TC)
NTE532 NTE Electronics, Inc NTE532 23.0800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar Rohs no conforme 2368-NTE532 EAR99 8541.10.0080 1 - Conexión de la Serie de 3 Pares - -
NTE56060 NTE Electronics, Inc NTE56060 5.0500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220 descascar Rohs no conforme 2368-NTE56060 EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 30 Ma Estándar 800 V 16 A 1.5 V 140a, 150a 35 Ma
NTE56050 NTE Electronics, Inc NTE56050 2.0500
RFQ
 ECAD 288 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220 descascar Rohs no conforme 2368-NTE56050 EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 4 A 1.5 V 25a, 27a 5 Ma
NTE391 NTE Electronics, Inc NTE391 2.6700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 80 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE391 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 10 A 700 µA PNP 4V @ 2.5a, 10a 40 @ 1a, 4v 3MHz
NTE2376 NTE Electronics, Inc NTE2376 12.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2376 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 30A (TC) 10V 85mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 25 V - 190W (TC)
NTE2379 NTE Electronics, Inc NTE2379 4.3600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2379 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 125W (TC)
NTE5823 NTE Electronics, Inc NTE5823 8.1500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Rohs no conforme 2368-NTE5823 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 v @ 12 a 400 ns 25 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MPSA64 NTE Electronics, Inc MPSA64 0.3000
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 2368-MPSA64 EAR99 8541.21.0095 1 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
NTE5604 NTE Electronics, Inc NTE5604 2.0400
RFQ
 ECAD 89 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 A-126 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5604 EAR99 8541.10.0080 1 Soltero 30 Ma Estándar 300 V 4 A 2.5 V 30A @ 60Hz 30 Ma
NTE5330 NTE Electronics, Inc NTE5330 5.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Estándar 4-SIP descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5330 EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 6 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
MJ15003 NTE Electronics, Inc MJ15003 7.0100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 250 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante 2368-MJ15003 EAR99 8541.29.0095 1 140 V 20 A 250 µA NPN 1V @ 500 Ma, 5a 25 @ 5a, 2v 2MHz
NTE5822 NTE Electronics, Inc NTE5822 8.1500
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5822 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 v @ 12 a 400 ns 25 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
2N4126 NTE Electronics, Inc 2N4126 0.1200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 2368-2N4126 EAR99 8541.21.0095 1 25 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 250MHz
NTE2394 NTE Electronics, Inc NTE2394 13.1000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2394 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 7.9a, 10V 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 25 V - 180W (TC)
NTE56049 NTE Electronics, Inc NTE56049 1.9300
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220 descascar Rohs no conforme 2368-NTE56049 EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 500 V 4 A 1.5 V 25a, 27a 5 Ma
MMBT5551 NTE Electronics, Inc MMBT5551 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 2368-MMBT5551 EAR99 8541.21.0095 1 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 100MHz
1N5240B NTE Electronics, Inc 1N5240B 0.1200
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW - descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N5240B EAR99 8541.10.0050 1 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
NTE5296A NTE Electronics, Inc Nte5296a 33.8600
RFQ
 ECAD 167 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5296A EAR99 8541.10.0050 1 200 V 100 ohmios
NTE5838 NTE Electronics, Inc NTE5838 5.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5838 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 3 a 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
NTE134A NTE Electronics, Inc NTE134A 0.3300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1 W Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE134A EAR99 8541.10.0050 1 3.6 V 10 ohmios
NTE5248A NTE Electronics, Inc Nte5248a 26.8600
RFQ
 ECAD 6803 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5248A EAR99 8541.10.0050 1 7.5 V 0.3 ohmios
MPSL51 NTE Electronics, Inc MPSL51 0.1200
RFQ
 ECAD 259 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar Rohs no conforme 2368-MPSL51 EAR99 8541.21.0095 1 100 V 200 MA 1 µA (ICBO) PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 40 @ 50 mm, 5v 60MHz
NTE5993 NTE Electronics, Inc NTE5993 7.8300
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-5, Stud Estándar Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5993 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.3 V @ 40 A 9 Ma @ 500 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
NTE2362 NTE Electronics, Inc NTE2362 0.9900
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto 300 MW Un Los 92 descascar Rohs no conforme 2368-NTE2362 EAR99 8541.21.0095 1 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 10mA, 5V 300MHz
NTE6079 NTE Electronics, Inc NTE6079 21.2300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-5, Stud Estándar Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6079 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.15 V @ 200 A 2 Ma @ 1200 V -65 ° C ~ 190 ° C 85a -
1N5270B NTE Electronics, Inc 1N5270B 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW - descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N5270B EAR99 8541.10.0050 1 100 na @ 69 V 91 V 400 ohmios
NTE5244A NTE Electronics, Inc Nte5244a 40.4000
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5244A EAR99 8541.10.0050 1 5.6 V 0.12 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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