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Productos de semiconductoros discretos (2287)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - Salida	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Ganar	Voltaje	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Voltaje - En Estado (VTM) (Max)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Real - Off State (Max)	Tipo scr	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)	Corriente - valle (iv)	Corriente - Pico
NTE55	4.8000	RFQ	34	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		2W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE55	EAR99	8541.29.0095	1					-																														150V	8A						PNP		40 @ 2a, 2v	30MHz	-
NTE5010A	0.7900	RFQ	134	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5010A	EAR99	8541.10.0050	1																																								5.1 V	17 ohmios
NTE5011A	0.7900	RFQ	12	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5011a	EAR99	8541.10.0050	1																																								5.6 V	11 ohmios
NTE5208A	12.8800	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		10 W	Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5208A	EAR99	8541.10.0050	1																													1.5 v @ 2 a		10 µA @ 35.8 V									47 V	14 ohmios
NTE5295A	33.8600	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5295A	EAR99	8541.10.0050	1																																								190 V	95 ohmios
1N960B	0.1300	RFQ	245	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	2368-1N960B	EAR99	8541.10.0050	1																															25 µA @ 6.9 V									9.1 V	7.5 ohmios
NTE6236	411.1400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Monte del Chasis	Módulo	Estándar		Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE6236	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																									Conexión de la Serie de 1 par		250a	1.29 V @ 785 A		50 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C
TIP31C	0.9200	RFQ	163	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		2 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-tip31c	EAR99	8541.29.0095	1																																			100 V	3 A			300 µA			NPN	1.2V @ 375MA, 3A	10 @ 3a, 4v	3MHz
NTE6401	9.0800	RFQ	117	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo				TO-206AA, a 18-3 Lata de metal				descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE6401	EAR99	8541.29.0095	1		-				-										300 MW																															6 MA	5 µA
NTE5454	1.2200	RFQ	195	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	A las plagas largas de 202			A-202	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5454	EAR99	8541.30.0000	1				3 MA													100 V	4 A	800 MV	20A @ 60Hz	200 µA	2.2 V		100 µA	Puerta sensible
NTE624	2.2300	RFQ	127	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	Estándar		Un 220	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE624	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																									2 Independientes	600 V	3A	1.3 V @ 3 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C
NTE5255AK	26.8600	RFQ	19	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental		50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5255AK	EAR99	8541.10.0050	1																																								13 V	1.1 ohmios
NTE5013SM	0.2400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		300 MW	Sot-23	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5013SM	EAR99	8541.10.0050	1																																								6.2 V
NTE5572	90.9100	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Montaje	TO-209AC, TO-94-4, Stud			A 94	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5572	EAR99	8541.10.0080	1				150 Ma													600 V	125 A	2.5 V	1600a, 1900a	120 Ma	1.6 V	80 A	15 Ma	Recuperación
Nte5207ak	12.8800	RFQ	45	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		10 W	Do-4	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5207AK	EAR99	8541.10.0050	1																																								45 V	13 ohmios
Nte5138a	1.3000	RFQ	654	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		5 W	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5138A	EAR99	8541.10.0050	1																																								25 V	4 ohmios
NTE5743	99.6200	RFQ	6592	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	Estándar		-	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5743	EAR99	8541.10.0080	1																													1.3 V @ 75 A		8 Ma @ 1600 V		75 A				Fase triple	1.6 kV
NTE53010	1.7300	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP	Estándar		4-SIP	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE53010	EAR99	8541.10.0070	1																													1.05 V @ 7.5 A		10 µA @ 1000 V		15 A				Fase única	1 kV
NTE5290A	33.8600	RFQ	19	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental		50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5290A	EAR99	8541.10.0050	1																																								140 V	60 ohmios
Nte5209ak	12.8800	RFQ	14	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		10 W	Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5209AK	EAR99	8541.10.0050	1																																								47 V	15 ohmios
Nte5200ak	12.8800	RFQ	6228	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		10 W	Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5200AK	EAR99	8541.10.0050	1																																								27 V	7 ohmios
NTE155	4.9800	RFQ	4	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		90 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO13AA, TO-66-2		6 W	TO-66	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE155	EAR99	8541.29.0095	1																																			32 V	1 A			1mera			NPN	80mv @ 100 mm, 1a	36 @ 1a, 0V	-
NTE5015SM	0.2400	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		300 MW	Sot-23	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5015SM	EAR99	8541.10.0050	1																																								7.5 V
NTE5008SM	0.2400	RFQ	849	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		300 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE5008SM	EAR99	8541.10.0050	1																																								4.3 V
NTE2395	5.4700	RFQ	747	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE2395	EAR99	8541.29.0095	1			N-canal				60 V	50A (TC)	10V	28mohm @ 31a, 10v	4V @ 250 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 25 V	-	150W (TC)
NTE5848	7.2800	RFQ	8	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	Estándar		Do-4	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE5848	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																										1000 V		1.2 v @ 3 a		10 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
NTE170	3.0000	RFQ	1	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP	Estándar		4-SIP	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-NTE170	EAR99	8541.10.0080	1																													1.1 v @ 2 a		10 µA @ 1000 V		2 A				Fase única	1 kV
GI850/MR850	3.0000	RFQ	512	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Estándar		Do-201ad	descascar	Rohs no conforme	2368-GI850/MR850	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																										50 V		1.25 v @ 3 a	200 ns	10 µA @ 50 V	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	28pf @ 4V, 1MHz
NTE310	25.2000	RFQ	3	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo		-40 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	TO13AA, TO-66-2			TO-66	descascar	Rohs no conforme	2368-NTE310	EAR99	8541.30.0080	1				100 mA													800 V	8 A	2 V	80A @ 60Hz, 60A @ 60Hz	50 Ma	2.2 V	3.4 A		Recuperación
GI754	1.0000	RFQ	7	NTE Electronics, Inc	-	Bolsa	Activo			A Través del Aguetero	Axial	Estándar		Axial	descascar	ROHS3 Cumplante	2368-GI754	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																										400 V		900 MV @ 6 A	2.5 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	150pf @ 4V, 1 MHz