SIC
close

Productos de semiconductoros discretos (2287)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - Salida Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Voltaje Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Corriente - valle (iv) Corriente - Pico
NTE133 NTE Electronics, Inc NTE133 5.0500
RFQ
 ECAD 8735 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-106-3 abovedado 300 MW Un 106 descascar Rohs no conforme 2368-NTE133 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 25 V - 25 V 500 µA @ 15 V 6.5 v @ 1 na
NTE289A NTE Electronics, Inc NTE289A 1.5600
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 600 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE289A EAR99 8541.29.0095 1 80 V 500 mA 1 µA (ICBO) NPN 600mv @ 40 mm, 400 mA 100 @ 50mA, 5V 120MHz
NTE5599 NTE Electronics, Inc NTE5599 492.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-200AC, K-PUK Un 200ac descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5599 EAR99 8541.10.0080 1 1.2 kV 2.79 ka 3 V 24650a, 27000a 200 MA 1.35 V 1.78 ka 75 Ma Recuperación
NTE5703 NTE Electronics, Inc NTE5703 113.0400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Módulo Controlador de 1 fase: TODOS SCRS descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5703 EAR99 8541.30.0080 1 100 mA 1.2 kV 13.5 A 2 V 357a, 375a 60 Ma 12.5 A 2 SCRS
NTE5809 NTE Electronics, Inc NTE5809 1.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Estándar DO-27 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5809 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 V @ 9.4 A 500 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
NTE306 NTE Electronics, Inc NTE306 3.8000
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A las plagas largas de 202 950 MW A-202 descascar Rohs no conforme 2368-NTE306 EAR99 8541.21.0095 1 50 V 1.5 A 200NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 98 @ 100mA, 2V -
NTE5574 NTE Electronics, Inc NTE5574 129.3600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje TO-209AC, TO-94-4, Stud A 94 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5574 EAR99 8541.10.0080 1 150 Ma 1.2 kV 125 A 2.5 V 1600a, 1900a 120 Ma 1.6 V 80 A 15 Ma Recuperación
NTE580 NTE Electronics, Inc NTE580 3.4400
RFQ
 ECAD 440 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Axial Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE580 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 2 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 65pf @ 4V, 1 MHz
2N4033 NTE Electronics, Inc 2N4033 0.9600
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 800 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 2368-2N4033 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 A - PNP 1v @ 100 mapa, 1a 75 @ 100 µA, 5V -
NTE5921 NTE Electronics, Inc NTE5921 12.7300
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5921 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.23 V @ 63 A 12 Ma @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 20A -
NTE5217AK NTE Electronics, Inc Nte5217ak 12.8800
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5217AK EAR99 8541.10.0050 1 82 V 25 ohmios
NTE5597 NTE Electronics, Inc NTE5597 253.7200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200ab, A-PUK Un 200ab descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5597 EAR99 8541.30.0080 1 600 mA 1.6 kV 780 A 3 V 4650a, 5120a 150 Ma 1.75 V 470 A 20 Ma Recuperación
NTE5018A NTE Electronics, Inc NTE5018A 0.7900
RFQ
 ECAD 641 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5018A EAR99 8541.10.0050 1 9.1 V 10 ohmios
NTE2922 NTE Electronics, Inc NTE2922 10.8800
RFQ
 ECAD 736 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE2922 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 16a (TC) 10V 300mohm @ 8.9a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 25 V - 180W (TC)
NTE5216A NTE Electronics, Inc Nte5216a 12.8800
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5216A EAR99 8541.10.0050 1 75 V 22 ohmios
NTE5528 NTE Electronics, Inc NTE5528 23.4300
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje TO-208AA, TO-48-3, Stud A-48 descascar Rohs no conforme 2368-NTE5528 EAR99 8541.10.0080 1 500 V 25 A 3 V 150A @ 60Hz 40 Ma 1.7 V 16 A Recuperación
1N486B NTE Electronics, Inc 1N486B 0.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-1N486B EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1 V @ 100 Ma 50 na @ 225 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA -
NTE2345 NTE Electronics, Inc NTE2345 3.5900
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sot-82 60 W Sot-82 descascar Rohs no conforme 2368-NTE2345 EAR99 8541.29.0095 1 120 V 6 A 500 µA NPN - Darlington 2V @ 12 mm, 3a 750 @ 3a, 3V -
1N957B NTE Electronics, Inc 1N957B 0.1100
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-1N957B EAR99 8541.10.0050 1 150 µA @ 5.2 V 6.8 V 4.5 ohmios
NTE5704 NTE Electronics, Inc NTE5704 49.7800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Módulo Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar Rohs no conforme 2368-NTE5704 EAR99 8541.30.0080 1 100 mA 1.2 kV 12.5 A 2 V 357a, 375a 60 Ma 12.5 A 1 scr, 1 diodo
NTE222 NTE Electronics, Inc NTE222 15.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN Mosfet (Óxido de metal) TO-72 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE222 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 25 V 50 mA (TJ) - - 4V @ 20 µA - 3300 pf @ 15 V - 360MW (TA), 1.2MW (TC)
NTE5650 NTE Electronics, Inc NTE5650 10.0100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 90 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5650 EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 5 Ma Lógica - Puerta sensible 100 V 3 A 2.2 V 30A @ 60Hz 3 MA
NTE519-10 NTE Electronics, Inc NTE519-10 7.5000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-NTE519-10 EAR99 8541.10.0080 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 8 ns 5 µA @ 75 V 200 ° C (Max) 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
NTE215 NTE Electronics, Inc NTE215 4.6000
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2.5 W Un 3p descascar Rohs no conforme 2368-NTE215 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 8 A 100 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 8MA, 4A 1500 @ 4a, 3V 20MHz
TIP33B NTE Electronics, Inc TIP33B 1.7200
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 80 W Un 218 descascar ROHS3 Cumplante 2368-tip33b EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A - NPN - 100 @ 3a, 4v 3MHz
NTE221 NTE Electronics, Inc NTE221 12.1900
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 20 V A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN - Mosfet TO-72 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE221 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 18 MA 10 Ma - 20dB 5dB 13 V
NTE519-100 NTE Electronics, Inc NTE519-100 48.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-NTE519-100 EAR99 8541.10.0080 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 8 ns 5 µA @ 75 V 200 ° C (Max) 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
NTE6410 NTE Electronics, Inc NTE6410 7.7000
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6410 EAR99 8541.29.0095 1 - - 300 MW 7 Ma 5 µA
NTE5182A NTE Electronics, Inc Nte5182a 12.8800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5182A EAR99 8541.10.0050 1 7.5 V 1.3 ohmios
NTE5194A NTE Electronics, Inc NTE5194A 12.8800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5194A EAR99 8541.10.0050 1 18 V 4 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar