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Productos de semiconductoros discretos (2287)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - Salida Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Voltaje Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f) Corriente - valle (iv) Corriente - Pico
NTE222 NTE Electronics, Inc NTE222 15.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN Mosfet (Óxido de metal) TO-72 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE222 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 25 V 50 mA (TJ) - - 4V @ 20 µA - 3300 pf @ 15 V - 360MW (TA), 1.2MW (TC)
NTE5650 NTE Electronics, Inc NTE5650 10.0100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 90 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5650 EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 5 Ma Lógica - Puerta sensible 100 V 3 A 2.2 V 30A @ 60Hz 3 MA
NTE519-10 NTE Electronics, Inc NTE519-10 7.5000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-NTE519-10 EAR99 8541.10.0080 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 8 ns 5 µA @ 75 V 200 ° C (Max) 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
NTE215 NTE Electronics, Inc NTE215 4.6000
RFQ
 ECAD 997 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2.5 W Un 3p descascar Rohs no conforme 2368-NTE215 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 8 A 100 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 8MA, 4A 1500 @ 4a, 3V 20MHz
TIP33B NTE Electronics, Inc TIP33B 1.7200
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 80 W Un 218 descascar ROHS3 Cumplante 2368-tip33b EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A - NPN - 100 @ 3a, 4v 3MHz
NTE221 NTE Electronics, Inc NTE221 12.1900
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 20 V A Través del Aguetero TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN - Mosfet TO-72 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE221 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 18 MA 10 Ma - 20dB 5dB 13 V
NTE519-100 NTE Electronics, Inc NTE519-100 48.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-NTE519-100 EAR99 8541.10.0080 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 8 ns 5 µA @ 75 V 200 ° C (Max) 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
NTE6410 NTE Electronics, Inc NTE6410 7.7000
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6410 EAR99 8541.29.0095 1 - - 300 MW 7 Ma 5 µA
NTE5182A NTE Electronics, Inc Nte5182a 12.8800
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5182A EAR99 8541.10.0050 1 7.5 V 1.3 ohmios
NTE5194A NTE Electronics, Inc NTE5194A 12.8800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5194A EAR99 8541.10.0050 1 18 V 4 ohmios
NTE5987 NTE Electronics, Inc NTE5987 6.1900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-5, Stud Estándar Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5987 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 40 A 15 Ma @ 200 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
NTE227 NTE Electronics, Inc NTE227 2.6800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 237AA 850 MW Un 237 descascar Rohs no conforme 2368-NTE227 EAR99 8541.29.0095 1 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 2 mm, 20 mm 40 @ 10mA, 10V 200MHz
NTE5552-I NTE Electronics, Inc NTE5552-I 1.8300
RFQ
 ECAD 602 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PESTA AISLADA ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5552-I EAR99 8541.10.0080 1 50 Ma 200 V 25 A 1.3 V 320a, 350a 40 Ma 1.6 V 16 A 5 µA Recuperación
NTE5548 NTE Electronics, Inc NTE5548 32.3200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C Montaje TO-208AA, TO-48-3, Stud A-48 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5548 EAR99 8541.10.0080 1 800 V 35 A 2 V 300A @ 60Hz 30 Ma 2 MA Recuperación
1N4731A NTE Electronics, Inc 1N4731A -
RFQ
 ECAD 5300 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar Rohs no conforme 2368-1N4731A EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
NTE645 NTE Electronics, Inc NTE645 3.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE645 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 8A 1.3 V @ 8 A 250 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C
1N4454 NTE Electronics, Inc 1N4454 0.0900
RFQ
 ECAD 769 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-1N4454 EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 100 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
NTE60 NTE Electronics, Inc NTE60 10.2000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 250 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE60 EAR99 8541.29.0095 1 140 V 20 A 250 µA NPN 1V @ 500 Ma, 5a 25 @ 5a, 2v 2MHz
NTE229 NTE Electronics, Inc NTE229 1.8800
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 425MW Un 92 descascar Rohs no conforme 2368-NTE229 EAR99 8541.29.0095 1 28dB 30V 50mera NPN 30 @ 5 MMA, 10V 500MHz 6dB @ 45MHz
NTE5197A NTE Electronics, Inc NTE5197A 12.8800
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5197A EAR99 8541.10.0050 1 22 V 5 ohmios
NTE5191AK NTE Electronics, Inc Nte5191ak 12.8800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5191AK EAR99 8541.10.0050 1 15 V 3 ohmios
NTE5282AK NTE Electronics, Inc Nte5282ak 26.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5282AK EAR99 8541.10.0050 1 75 V 9 ohmios
NTE5555 NTE Electronics, Inc NTE5555 139.9600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200ab, A-PUK Un 200ab descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5555 EAR99 8541.30.0080 1 500 mA 600 V 820 A 3 V 7600A @ 60Hz 150 Ma 1.78 V 735 A 40 Ma Recuperación
1N754A NTE Electronics, Inc 1N754A 0.1500
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 2368-1N754A EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 6.8 V 5 ohmios
NTE6003 NTE Electronics, Inc NTE6003 17.3500
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo Montaje DO-203AA, DO-5, Stud Estándar Do-5 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6003 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 40 A 9 Ma @ 1000 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
NTE278 NTE Electronics, Inc NTE278 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1W To-39 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE278 EAR99 8541.29.0095 1 11db 20V 400mA NPN 40 @ 50 mm, 15V 1.2GHz 3DB @ 200MHz
NTE5712 NTE Electronics, Inc NTE5712 70.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE5712 EAR99 8541.30.0080 1 150 Ma 1.2 kV 86 A 2.5 V 1500A @ 60Hz 100 mA 55 A 1 scr, 1 diodo
NTE374 NTE Electronics, Inc NTE374 1.5800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE374 EAR99 8541.29.0095 1 160 V 1.5 A 10 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 60 @ 150mA, 5V 140MHz
NTE65 NTE Electronics, Inc NTE65 2.7000
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo - Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano 180MW 3-SMD descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE65 EAR99 8541.21.0095 1 18dB 15V 30mera NPN 25 @ 14MA, 10V 5GHz 2.4db ~ 3db @ 500MHz ~ 1 GHz
NTE5190AK NTE Electronics, Inc Nte5190ak 12.8800
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 10 W Do-4 descascar Rohs no conforme 2368-NTE5190AK EAR99 8541.10.0050 1 14 V 3 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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