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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BD439G onsemi Bd439g 1.0100
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD439 36 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 60 V 4 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 300mA, 3A 40 @ 500mA, 1V 3MHz
NSM80101MT1G onsemi NSM80101MT1G 0.4300
RFQ
 ECAD 808 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 NSM80101 400 MW SC-74 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 500 mA 100na Npn + diodo (aislado) 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 10mA, 1V 150MHz
ISL9V5045S3S onsemi ISL9V5045S3S -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 onde Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Isl9 Lógica 300 W D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 480 V 51 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
SS36FA onsemi Ss36fa 0.5300
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS36 Schottky SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 170pf @ 4V, 1MHz
NZ9F8V2T5G onsemi NZ9F8V2T5G -
RFQ
 ECAD 8696 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 5 V 8.2 V 30 ohmios
FDD86369-F085 onsemi FDD86369-F085 1.3600
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD86369 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 90A (TC) 10V 7.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 40 V - 150W (TJ)
KSA1381ESTSTU onsemi KSA1381eststu -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSA1381 7 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.880 300 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 2mA, 20 ma 100 @ 10mA, 10V 150MHz
KSD568YTU onsemi Ksd568ytu -
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD568 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 60 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 500 Ma, 5a 100 @ 3a, 1v -
NTB45N06T4 onsemi NTB45N06T4 -
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB45 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 45a (TA) 26mohm @ 22.5a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V 1725 pf @ 25 V -
FMBS5551 onsemi FMBS5551 -
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Fmbs5 700 MW Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 300MHz
2SD1816S-E onsemi 2SD1816S-E -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1816 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 4 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 200MA, 2A 70 @ 500mA, 5V 180MHz
MBR1635G onsemi MBR1635G -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1635 Schottky Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 630 MV @ 16 A 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
NSBA143EF3T5G onsemi NSBA143EF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBA143 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V 4.7 kohms 4.7 kohms
FSBB20CH60CL onsemi FSBB20CH60CL -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB20 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 3 fase 20 A 600 V 2500 VRMS
PCFFS15120AF onsemi PCFFS15120AF 15.3435
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 onde - Banda Activo Montaje en superficie Morir PCFFS15120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Morir - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-PCFFS15120AF EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.723 v @ 15 a 0 ns 200 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) 15A -
MPSW01AG onsemi MPSW01AG -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPSW01 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPSW01AGOS EAR99 8541.29.0075 5,000 40 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 60 @ 100mA, 1V 50MHz
MTB3N60E onsemi MTB3N60E -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 550
1SMB5930BT3G onsemi 1SMB5930BT3G 0.5000
RFQ
 ECAD 5700 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5930 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10 ohmios
MJD210RL onsemi Mjd210rl -
RFQ
 ECAD 6196 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD21 1.4 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.800 25 V 5 A 100NA (ICBO) PNP 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2a, 1v 65MHz
MMSD3070 onsemi MMSD3070 0.3700
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 MMSD30 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 175 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
FDB3652 onsemi FDB3652 2.2200
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB365 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 61a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 2880 pf @ 25 V - 150W (TC)
NTP22N06L onsemi NTP22N06L -
RFQ
 ECAD 3955 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP22N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 22a (TA) 5V 65mohm @ 11a, 5V 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 10V 690 pf @ 25 V - 60W (TJ)
FGH50N3 onsemi FGH50N3 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH50 Estándar 463 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 180V, 30a, 5ohm, 15V PT 300 V 75 A 240 A 1.4V @ 15V, 30a 130 µJ (Encendido), 92 µJ (apaguado) 180 NC 20ns/135ns
NVMFS6H836NLWFT1G onsemi Nvmfs6h836nlwft1g 1.4500
RFQ
 ECAD 7960 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 16a (TA), 77a (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 15a, 10v 2V @ 95 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 40 V - 3.7W (TA), 89W (TC)
MBRM140T1G onsemi MBRM140T1G 0.5000
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA MBRM140 Schottky Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MBRM140T1GOSTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
2N5366_D75Z onsemi 2N5366_D75Z -
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5366 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 500 mA 100na PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 100 @ 50mA, 1V -
2SC4853-4-TL-E onsemi 2SC4853-4-TL-E 0.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BC547BTAR onsemi BC547BTAR -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC547 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FCMT299N60 onsemi FCMT299N60 4.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Superfet® II Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn FCMT299 Mosfet (Óxido de metal) Power88 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 12a (TA) 10V 299mohm @ 6a, 10v 3.5V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 1948 pf @ 380 V - 125W (TC)
2N7000-D75Z onsemi 2N7000-D75Z 0.4000
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N7000 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 400MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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