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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
FGH40T65UQDF-F155 onsemi FGH40T65UQDF-F155 3.9500
RFQ
 ECAD 253 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH40 Estándar 231 W TO-247-3 descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 6ohm, 15V 89 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 1.67V @ 15V, 40A 989 µJ (Encendido), 310 µJ (apagado) 306 NC 32NS/271NS
MMBZ5236BLT1G onsemi Mmbz5236blt1g 0.1500
RFQ
 ECAD 131 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
1N5222B onsemi 1N5222B 0.1600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5222 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 2.5 V 30 ohmios
MMBZ5253B onsemi Mmbz5253b -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 19 V 25 V 35 ohmios
NTD78N03T4 onsemi NTD78N03T4 -
RFQ
 ECAD 4984 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD78 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 11.4a (TA), 78a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 78a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2250 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 64W (TC)
FDS8333C onsemi FDS8333C -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS83 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V 4.1a, 3.4a 80mohm @ 4.1a, 10V 3V @ 250 µA 6.6nc @ 4.5V 282pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HUFA76413D3S onsemi HUFA76413D3S -
RFQ
 ECAD 6885 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 16V 645 pf @ 25 V - 60W (TC)
MBD54DWT1G onsemi MBD54DWT1G 0.4300
RFQ
 ECAD 879 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MBD54 Schottky SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 30 V 200MA (DC) 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (Máximo)
RURD660S9A onsemi Rurd660s9a -
RFQ
 ECAD 1818 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Rurd660 Estándar Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 6 A 60 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
2SD863F-AE onsemi 2SD863F-AA 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
NVTFWS010N10MCLTAG onsemi Nvtfws010n10mcltag 0.7602
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfws010 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 11.7a (TA), 57.8a (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 15a, 10v 3V @ 85 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 50 V - 3.2W (TA), 77.8W (TC)
NTB6411ANT4G onsemi Ntb6411ant4g -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB64 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 77a (TC) 10V 14mohm @ 72a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 25 V - 217W (TC)
FPF1C2P5MF07AM onsemi Fpf1c2p5mf07am -
RFQ
 ECAD 5240 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F1 FPF1C2 231 W Rectificador de Puente de Una Sola Fase F1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 110 Inversor de puente entero - 620 V 39 A 1.6v @ 15V, 30a 25 µA No
BS170ZL1G onsemi BS170ZL1G -
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BS170 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 500 mA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10v 3V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 10 V - 350MW (TA)
NST4617MX2T5G onsemi NST4617MX2T5G 0.0601
RFQ
 ECAD 4645 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Activo NST4617 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000
MM5Z51VT1 onsemi MM5Z51VT1 -
RFQ
 ECAD 7903 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z5 200 MW Sod-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MM5Z51VT1OS EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
FQP8N80C onsemi FQP8N80C 2.9900
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 1.55ohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2050 pf @ 25 V - 178W (TC)
FQPF5N50C onsemi FQPF5N50C -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
2SC3068 onsemi 2SC3068 -
RFQ
 ECAD 5240 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2.860
NTMFS4983NFT3G onsemi Ntmfs4983nft3g -
RFQ
 ECAD 1771 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4983 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 22a (TA), 106a (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 30a, 10v 2.3V @ 1MA 47.9 NC @ 10 V ± 20V 3250 pf @ 15 V - 1.7W (TA), 38W (TC)
1N5250B_S00Z onsemi 1N5250B_S00Z -
RFQ
 ECAD 2804 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5250 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
NTH027N65S3F-F155 onsemi NTH027N65S3F-F155 23.0900
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTH027 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 75A (TC) 10V 27.4mohm @ 35a, 10v 5V @ 7.5MA 259 NC @ 10 V ± 30V 7690 pf @ 400 V - 595W (TC)
NVTFS4C06NTAG onsemi Nvtfs4c06ntag 1.6400
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1683 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 37W (TC)
FDR8305N onsemi FDR8305N -
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR83 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 4.5a 22mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 23NC @ 4.5V 1600pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MM3Z2V4T1G onsemi Mm3z2v4t1g 0.1700
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Mm3z2 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
PN4302 onsemi PN4302 -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN430 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal - 30 V 500 µA @ 15 V 4 v @ 1 na
SURS283T3-1G-VF01 onsemi SURS283T3-1G-VF01 -
RFQ
 ECAD 6789 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado 488-SURS283T3-1G-VF01 EAR99 8541.10.0080 1
BZX55C3V9_T50A onsemi BZX55C3V9_T50A -
RFQ
 ECAD 1022 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C3 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.3 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
1N3070 onsemi 1N3070 -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N3070 Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 175 V 175 ° C (Máximo) 500mA 5PF @ 0V, 1MHz
NDS355N onsemi NDS355N -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NDS355 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 245 pf @ 10 V - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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