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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MMBZ5223BLT1 onsemi Mmbz5223blt1 -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
NRVUB1620CTRT4G onsemi NRVUB1620CTRT4G 1.5304
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NRVUB1620 Estándar D²pak-3 (A-263-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 8A 1.2 v @ 8 a 85 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
FCPF4300N80Z onsemi FCPF4300N80Z 2.4800
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 onde Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF4300 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 1.6a (TC) 10V 4.3ohm @ 800 mA, 10V 4.5V @ 160 µA 8.8 NC @ 10 V ± 20V 355 pf @ 100 V - 19.2W (TC)
FQU7P20TU_AM002 onsemi FQU7P20TU_AM002 -
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU7 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 Canal P 200 V 5.7a (TC) 10V 690mohm @ 2.85a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 770 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
NVMFS5C460NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C460NLWFAFT1G 1.8300
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 21a (TA), 78a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 35a, 10V 2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 50W (TC)
NZ9F4V3ST5G onsemi NZ9F4V3ST5G -
RFQ
 ECAD 5307 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sod-923 NZ9F 250 MW Sod-923 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 100 ohmios
BAY73 onsemi BAY73 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAY73 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 125 V 1 V @ 200 Ma 1 µs 5 na @ 100 V 175 ° C (Máximo) 500mA 8pf @ 0v, 1 MHz
NTGS3433T1 onsemi NTGS3433T1 0.0900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NTGS34 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
FQD7N30TF onsemi Fqd7n30tf -
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd7 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 300 V 5.5a (TC) 10V 700mohm @ 2.75a, 10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
FQD7N10TM onsemi Fqd7n10tm -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd7 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.8a (TC) 10V 350mohm @ 2.9a, 10v 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
FDS7760A onsemi FDS7760A -
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS77 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15a (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 55 NC @ 5 V ± 20V 3514 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
NVMFS5885NLT3G onsemi Nvmfs5885nlt3g -
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS5885 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 10.2a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1340 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 54W (TC)
KSC1675RBU onsemi Ksc1675rbu -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1675 250 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 40 @ 1 MMA, 6V 300MHz
NSVMUN5314DW1T3G onsemi Nsvmun5314dw1t3g 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Nsvmun5314 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
FDD3510H onsemi FDD3510H -
RFQ
 ECAD 4068 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad FDD3510 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w TO-252 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N Y Canal P, Drenaje Común 80V 4.3a, 2.8a 80mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250 µA 18NC @ 10V 800pf @ 40V Puerta de Nivel Lógico
HGT1S10N120BNS onsemi HGT1S10N120bns -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HGT1S10 Estándar 298 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 960V, 10a, 10ohm, 15V Escrutinio 1200 V 35 A 80 A 2.7V @ 15V, 10a 320 µJ (Encendido), 800 µJ (apaguado) 100 NC 23ns/165ns
ECH8305-TL-E onsemi ECH8305-TL-E 0.2300
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Mosfet (Óxido de metal) 8-ECH - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 4A (TA) 85mohm @ 2a, 10v - 34 NC @ 10 V 1680 pf @ 20 V - 1.6w (TA)
BZX85C4V3_T50A onsemi BZX85C4V3_T50A -
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85C4 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 1 V 4.3 V 13 ohmios
NVMFD5C470NWFT1G onsemi Nvmfd5c470nwft1g 0.8764
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W (TA), 28W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 40V 11.7a (TA), 36a (TC) 11.7mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 8NC @ 10V 420pf @ 25V -
NRVB8H100MFSWFT1G onsemi Nrvb8h100mfswft1g 0.9300
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVB8 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
FQPF6P25 onsemi Fqpf6p25 -
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 4.2a (TC) 10V 1.1ohm @ 2.1a, 10v 5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 780 pf @ 25 V - 45W (TC)
2SK3704 onsemi 2SK3704 -
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK3704 Mosfet (Óxido de metal) A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 60 V 45a (TA) 4V, 10V 14mohm @ 23a, 10v - 67 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 20 V - 2W (TA), 30W (TC)
2SC3749M onsemi 2SC3749M 0.4100
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
FQAF11N90 onsemi FQAF11N90 -
RFQ
 ECAD 5265 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 900 V 7.2a (TC) 10V 960mohm @ 3.6a, 10V 5V @ 250 µA 94 NC @ 10 V ± 30V 3500 pf @ 25 V - 120W (TC)
FQB11N40TM onsemi Fqb11n40tm -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB1 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
HUFA75344P3_F085 onsemi HUFA7534444P3_F085 -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
FDB9409-F085 onsemi FDB9409-F085 -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB9409 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2980 pf @ 25 V - 94W (TJ)
MMBF4392 onsemi MMBF4392 -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF43 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 14pf @ 20V 30 V 25 Ma @ 20 V 2 V @ 1 Na 60 ohmios
SBRB1045G onsemi SBRB1045G -
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBRB1045 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
1SMB5937BT3G onsemi 1SMB5937BT3G 0.3800
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5937 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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