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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NTHL020N090SC1 onsemi NTHL020N090SC1 41.1400
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL020 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 118a (TC) 15V 28mohm @ 60a, 15V 4.3V @ 20MA 196 NC @ 15 V +19V, -10V 4415 pf @ 450 V - 503W (TC)
FFL60U60DNTU onsemi FFL60U60DNTU -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA FFL60 Estándar Un 264-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 60A 2.2 V @ 60 A 90 ns 25 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C
MUR440G onsemi MUR440G -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Mur440 Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 75 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
1SMB5951BT3G onsemi 1SMB5951BT3G 0.3800
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5951 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 91.2 V 120 V 380 ohmios
FDS3590 onsemi FDS3590 0.9300
RFQ
 ECAD 1838 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS35 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 6.5a (TA) 6V, 10V 39mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 40 V - 2.5W (TA)
FDB9403_SN00268 onsemi FDB9403_SN00268 -
RFQ
 ECAD 7393 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB9403 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 1.2mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 213 NC @ 10 V ± 20V 12700 pf @ 25 V - 333W (TJ)
MBR2035CT onsemi MBR2035CT 2.2200
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2035 Schottky Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MBR2035ctfs EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 20A 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
TIP32CPWD onsemi TIP32CPWD -
RFQ
 ECAD 4887 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto TIP32 - No Aplicable Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
MMFZ6V8T3G onsemi Mmfz6v8t3g -
RFQ
 ECAD 4289 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - Montaje en superficie SOD-123 Mmfz6v 500 MW SOD-123 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 6.8 V
SZMMBZ5246BLT1G onsemi Szmmbz5246blt1g 0.2300
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szmmbz5246 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 17 ohmios
FFA10U40DNTU onsemi Ffa10u40dntu -
RFQ
 ECAD 2127 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FFA10 Estándar Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 450 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10A 1.4 V @ 10 A 50 ns 30 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C
2SA1962RTU onsemi 2SA1962RTU -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SA1962 130 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-2SA1962RTU EAR99 8541.29.0075 450 250 V 17 A 5 µA (ICBO) PNP 3V @ 800mA, 8A 55 @ 1a, 5v 30MHz
FDB0105N407L onsemi FDB0105N407L 6.7500
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) FDB0105 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 460a (TC) 6V, 10V 0.8mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 291 NC @ 10 V ± 20V 23100 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 300W (TC)
2SC2909S onsemi 2SC2909S 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde * Una granela Obsoleto descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1
BC557ZL1 onsemi BC557ZL1 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 2,000
NDS8425 onsemi NDS8425 -
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS842 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 7.4a (TA) 2.7V, 4.5V 22mohm @ 7.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 8V 1098 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MJD44H11G onsemi Mjd44h11g 1.0900
RFQ
 ECAD 2498 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD44 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 75 80 V 8 A 1 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 85MHz
FQB5N90TM onsemi FQB5N90TM 2.7900
RFQ
 ECAD 8897 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5N90 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 900 V 5.4a (TC) 10V 2.3ohm @ 2.7a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 158W (TC)
MMBZ5230BLT1 onsemi MMBZ5230BLT1 -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
SFT1431-TL-W onsemi SFT1431-TL-W -
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFT143 Mosfet (Óxido de metal) DPAK/TP-FA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 700 N-canal 35 V 11a (TA) 4V, 10V 25mohm @ 5.5a, 10V 2.6V @ 1MA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 960 pf @ 20 V - 1W (TA), 15W (TC)
ECH8657-TL-H onsemi ECH8657-TL-H 0.6600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano ECH8657 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-ECH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 35V 4.5a 59mohm @ 2a, 10v - 4.5nc @ 10V 230pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
NRVTS12120MFST3G onsemi Nrvts12120mfst3g 1.0800
RFQ
 ECAD 9239 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVTS12120 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 830 MV @ 12 A 75 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
BAX16 onsemi Bax16 0.3200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Bax16 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 650 MV @ 1 MA 120 ns 100 na @ 150 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA -
1N5247B_T50R onsemi 1N5247B_T50R -
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5247 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
NTMTS001N06CLTXG onsemi NTMTS001N06CLTXG 11.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMTS001 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 398.2a (TC) 4.5V, 10V 0.81mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 250 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 12300 pf @ 25 V - 5W
NTLJD3182FZTAG onsemi Ntljd3182fztag -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJD31 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.2a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 450 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
2N6073A onsemi 2N6073A 0.1400
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2N6073 A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 500 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 400 V 4 A 2.5 V 30A @ 60Hz 5 Ma
1N5225B_T50R onsemi 1N5225B_T50R -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5225 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3 V 29 ohmios
NGD15N41ACLT4G onsemi NGD15N41ACLT4G 1.0000
RFQ
 ECAD 3516 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Lógica 107 W TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 300V, 6.5a, 1kohm - 440 V 15 A 50 A 2.2V @ 4V, 10a - -/4 µs
KSD1616ALTA onsemi Ksd1616alta -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSD1616 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 160MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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