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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
SUR81560G onsemi Sur81560g -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-Sur81560g-488 1
SMSZ1600-35T3DS onsemi SMSZ1600-35T3DS 0.0200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 10,000
MBRB2515LG onsemi MBRB2515LG -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB2515 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 15 V 450 MV @ 25 A 15 Ma @ 15 V 100 ° C (Máximo) 25A -
NVMFS5C673NLT1G onsemi Nvmfs5c673nlt1g -
RFQ
 ECAD 1452 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 50A (TC) 4.5V, 10V 9.2Mohm @ 25A, 10V 2V @ 35 µA 9.5 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 46W (TC)
MMSZ5231ET1 onsemi MMSZ5231ET1 -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ523 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mmsz5231et1os EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
NRTS1060PFST3G onsemi Nrts1060pfst3g 0.7400
RFQ
 ECAD 8067 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN NRTS1060 Schottky Un 277-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 660 MV @ 10 A 350 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 1023pf @ 1V, 1 MHz
NTLJF4156NT1G onsemi Ntljf4156nt1g 0.6800
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF4156 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TJ) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 427 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
MV2109G onsemi MV2109G -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) MV210 Un 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MV2109GOS EAR99 8541.10.0070 1,000 36.3pf @ 4V, 1MHz Soltero 30 V 3.2 C2/C30 200 @ 4V, 50MHz
BZX84B12LT1G onsemi Bzx84b12lt1g 0.2100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B12 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
FDMS9410-F085 onsemi FDMS9410-F085 -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn FDMS94 Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 50A (TC) 10V 4.4mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1790 pf @ 20 V - 75W (TJ)
MMBV3102LT1G onsemi Mmbv3102lt1g -
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBV31 SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 25pf @ 3V, 1 MHz Soltero 30 V 4.8 C3/C25 200 @ 3V, 50MHz
RD0306T-TL-H onsemi RD0306T-TL-H -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD030 Estándar TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 3A -
MBRD835LG onsemi MBRD835LG 0.8800
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRD835 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 510 MV @ 8 A 1.4 Ma @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 8A -
SBRB20200CTT4G onsemi SBRB20200CTT4G 2.0600
RFQ
 ECAD 3794 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SBRB20200 Schottky D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 900 MV @ 10 A 1 ma @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
FCH041N65F-F155 onsemi FCH041N65F-F155 -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH041 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 650 V 76a (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10v 5V @ 7.6MA 294 NC @ 10 V ± 20V 13020 pf @ 100 V - 595W (TC)
MURD620CTH onsemi Murd620cth -
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 onde - Banda Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Murd62 Estándar Dpak - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 3A 1 v @ 3 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C
NJW3281G onsemi Njw3281g 4.6200
RFQ
 ECAD 9748 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 NJW3281 200 W A-3P-3L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 30 250 V 15 A 50 µA (ICBO) NPN 600mv @ 800 Ma, 8a 75 @ 3a, 5v 30MHz
FNB33060T6S onsemi FNB33060T6S -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Una granela Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FNB33060 - EAR99 8542.39.0001 1 Inversor de 3 fase 30 A 600 V 2500 VRMS
GFA0033-L029-PRD onsemi GFA0033-L029-PRD -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-GFA0033-L029-PRD Obsoleto 1
ISL9R8120P2 onsemi ISL9R8120P2 -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 onde Stealth ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Isl9 Estándar Un 220-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 3.3 V @ 8 A 300 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 30pf @ 10V, 1 MHz
S1A onsemi S1a 0.4200
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1a Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
FQNL2N50BBU onsemi Fqnl2n50bbu -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Fqnl2 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
MBRM140T3G onsemi MBRM140T3G 0.4500
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA MBRM140 Schottky Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N4005RLG onsemi 1N4005RLG 0.2800
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4005 Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
EGP20KTA onsemi EGP20KTA -
RFQ
 ECAD 5730 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial EGP20 Estándar Do-15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
TN6707A onsemi TN6707A -
RFQ
 ECAD 6016 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN6707 1 W Un 226-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.500 80 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 40 @ 250mA, 2V 50MHz
2SC3400-AC onsemi 2SC3400-AC 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
BSS138-T onsemi BSS138-T -
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga BSS138 Mosfet (Óxido de metal) EFCP1313-4CC-037 descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 50 V 220 Ma (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 1MA 2.4 NC @ 10 V ± 20V 27 pf @ 25 V - 360MW (TA)
DTC124EET1 onsemi Dtc124eet1 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTC124 200 MW SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v 22 kohms 22 kohms
MZP4745ARLG onsemi Mzp4745arlg -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MZP47 3 W Axial descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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