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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2KBP06M onsemi 2kbp06m -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPM 2kbp06 Estándar KBPM descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2KBP06MFS EAR99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
CPH5819-TL-E onsemi CPH5819-TL-E 0.1100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.664
NTMFS4C01NT1G onsemi Ntmfs4c01nt1g -
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 47a (TA), 303A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 10144 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 134W (TC)
FCP104N60 onsemi FCP104N60 6.2900
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 onde Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP104 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 4165 pf @ 380 V - 357W (TC)
BS170RLRMG onsemi Bs170rlrmg -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BS170 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 500 mA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10v 3V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 10 V - 350MW (TA)
NTMD3P03R2 onsemi NTMD3P03R2 0.2400
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NTMD3 - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 -
FDS8984_F123 onsemi FDS8984_F123 -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto FDS89 - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500 -
NXH75M65L4Q1PTG onsemi NXH75M65L4Q1PTG 78.3462
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 86 W Estándar 53-Pim/Q2Pack (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH75M65L4Q1PTG EAR99 8541.29.0095 21 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 650 V 59 A 2.22V @ 15V, 75a 300 µA Si 5.665 NF @ 30 V
SMMBD2837LT1G onsemi Smmbd2837lt1g 0.0798
RFQ
 ECAD 2230 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBD2837 Estándar SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 150 Ma 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMBZ5229BLT1G onsemi Mmbz5229blt1g 0.1400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5229 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
SZBZX84C6V2LT1 onsemi SZBZX84C6V2LT1 0.0500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
KBU4B onsemi Kbu4b -
RFQ
 ECAD 7706 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU4 Estándar Kbu descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Kbu4bfs EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 100 V
NTMTSC4D3N15MC onsemi NTMTSC4D3N15MC 6.5300
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 onde Dual Cool ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-TDFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 22a (TA), 174A (TC) 8V, 10V 4.45mohm @ 95a, 10V 4.5V @ 521 µA 79 NC @ 10 V ± 20V 6514 pf @ 75 V - 5W (TA), 293W (TC)
NVMFS6H801NLT1G onsemi Nvmfs6h801nlt1g 2.6600
RFQ
 ECAD 7652 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFS6H801NLT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 24a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 20V 5126 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 167W (TC)
SBC807-40LT3G onsemi SBC807-40LT3G 0.2800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC807 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
MUN5231DW1T1G onsemi MUN5231DW1T1G 0.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MUN5231 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV a 5 mm, 10 Ma 8 @ 5 mm, 10v - 2.2 kohms 2.2 kohms
NVMTS001N06CTXG onsemi Nvmts001n06ctxg 7.7000
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmts001 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 53.7a (TA), 376a (TC) 10V 910mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 113 NC @ 10 V ± 20V 8705 pf @ 30 V - 5W (TA), 244W (TC)
MBRS260T3H onsemi MBRS260T3H -
RFQ
 ECAD 9864 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB MBRS260 Schottky SMB - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 2 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
FQU8N25TU onsemi Fqu8n25tu -
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU8 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
MCH6635-TL-E onsemi MCH6635-TL-E -
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MCH6635-TL-E-488 1 Canal P 20 V 800 mA (TA) 2.5V, 4V 900mohm @ 400 mA, 4V 1.3V @ 100 µA 1.18 NC @ 4 V ± 10V 76 pf @ 10 V - 800MW (TA)
FDC642P-F085 onsemi FDC642P-F085 -
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC642 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 16 NC @ 4.5 V ± 8V 640 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
2SK4087LS-MG5 onsemi 2SK4087LS-MG5 2.7900
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
2SK1691-E onsemi 2SK1691-E 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
SMBZ2606-21LT3 onsemi SMBZ2606-21LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000
FQPF32N12V2 onsemi Fqpf32n12v2 -
RFQ
 ECAD 4422 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 120 V 32A (TC) 10V 50mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1860 pf @ 25 V - 50W (TC)
MUR1640CTH onsemi Mur1640cth -
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 onde - Banda Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mur16 Estándar Un 220 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 8A 1.3 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
NZ8F3V3SMX2WT5G onsemi NZ8F3V3SMX2WT5G 0.0456
RFQ
 ECAD 8943 0.00000000 onde NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NZ8F3V3SMX2WT5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.3 V 100 ohmios
2N5639_D75Z onsemi 2N5639_D75Z -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5639 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30 V 10pf @ 12V (VGS) 30 V 25 Ma @ 20 V 60 ohmios
FQPF4N25 onsemi FQPF4N25 -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 2.8a (TC) 10V 1.75ohm @ 1.4a, 10v 5V @ 250 µA 5.6 NC @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 32W (TC)
HUFA75823D3ST onsemi HUFA75823D3ST -
RFQ
 ECAD 3972 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 14a (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 20 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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