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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Current - Max	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Resistencia @ if, f
MBR1650	-	RFQ	8950	onde	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR1650		Schottky		Un 220-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														50 V	750 MV @ 16 A		1 ma @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
Ffpf60b150dstu	-	RFQ	5116	onde	-	Tubo	Obsoleto	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		To20-3 paqueto entero	FFPF60				Un 220F-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000			20 A																		-									Estándar - Conexión de la Serie de 1 par	1500V, 600V	-
HUFA76619D3ST	-	RFQ	5822	onde	UltraFet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HUFA76		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			100 V	18a (TC)	4.5V, 10V	85mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 16V	767 pf @ 25 V	-	75W (TC)
Ffpf10u40stu	-	RFQ	9272	onde	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	FFPF10		Estándar		TO20F-2L	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														400 V	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
SGU15N40LTU	-	RFQ	1001	onde	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	SGU15	Estándar		45 W	I-pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	70				-																		Zanja	400 V		130 A	8V @ 4.5V, 130a	-		-
Gbu6k	1.5200	RFQ	1	onde	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBU	GBU6		Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	20																1 v @ 6 a		5 µA @ 800 V		6 A										Fase única	800 V
FQD18N20V2TM	1.3000	RFQ	2815	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	FQD18N20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			200 V	15A (TC)	10V	140mohm @ 7.5a, 10v	5V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 30V	1080 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 83W (TC)
FQPF33N10	1.5600	RFQ	324	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Fqpf3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			100 V	18a (TC)	10V	52mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	51 NC @ 10 V	± 25V	1500 pf @ 25 V	-	41W (TC)
FQP9N50C	-	RFQ	9010	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	FQP9		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			500 V	9A (TC)	10V	800mohm @ 4.5a, 10V	4V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 30V	1030 pf @ 25 V	-	135W (TC)
Fqd6n40ctm	1.2000	RFQ	3505	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Fqd6n40		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			400 V	4.5A (TC)	10V	1ohm @ 2.25a, 10v	4V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
Fqi1p50tu	-	RFQ	3005	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Fqi1		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P			500 V	1.5a (TC)	10V	10.5ohm @ 750 mm, 10v	5V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 63W (TC)
Fqb4n20tm	-	RFQ	5115	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FQB4		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			200 V	3.6a (TC)	10V	1.4ohm @ 1.8a, 10V	5V @ 250 µA	6.5 NC @ 10 V	± 30V	220 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 45W (TC)
FQPF5N50C	-	RFQ	3686	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Fqpf5		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			500 V	5A (TC)	10V	1.4ohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250 µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 pf @ 25 V	-	38W (TC)
HUFA76609D3S	-	RFQ	8653	onde	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HUFA76		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1.800		N-canal			100 V	10a (TC)	4.5V, 10V	160mohm @ 10a, 10v	3V @ 250 µA	16 NC @ 10 V	± 16V	425 pf @ 25 V	-	49W (TC)
Fqd3n60tm	-	RFQ	7814	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Fqd3		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			600 V	2.4a (TC)	10V	3.6ohm @ 1.2a, 10v	5V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 30V	450 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 50W (TC)
SGR2N60UFDTM	-	RFQ	4953	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SGR2N	Estándar		25 W	Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500				300V, 1.2a, 200ohm, 15V																		-	600 V	2.4 A	10 A	2.6V @ 15V, 1.2a	30 µJ (Encendido), 13 µJ (apaguado)	9 NC	15ns/80ns
Ffpf20u60stu	-	RFQ	3240	onde	-	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	FFPF20		Estándar		TO20F-2L	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)														600 V	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Fqd5n50ctf	-	RFQ	7433	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Fqd5		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			500 V	4A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	24 NC @ 10 V	± 30V	625 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 48W (TC)
Fqd7p20tm	1.2000	RFQ	3462	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Fqd7p20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P			200 V	5.7a (TC)	10V	690mohm @ 2.85a, 10V	5V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 30V	770 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 55W (TC)
Fqb12p10tm	-	RFQ	7796	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FQB1		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	800		Canal P			100 V	11.5A (TC)	10V	290mohm @ 5.75a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 30V	800 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 75W (TC)
Fqb5n30tm	-	RFQ	4814	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FQB5		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			300 V	5.4a (TC)	10V	900mohm @ 2.7a, 10V	5V @ 250 µA	13 NC @ 10 V	± 30V	430 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 70W (TC)
HUF75321D3S	-	RFQ	1097	onde	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	HUF75		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	1.800		N-canal			55 V	20A (TC)	10V	36mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 20 V	± 20V	680 pf @ 25 V	-	93W (TC)
FQB19N10TM	-	RFQ	4742	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	FQB1		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			100 V	19a (TC)	10V	100mohm @ 9.5a, 10V	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 25V	780 pf @ 25 V	-	3.75W (TA), 75W (TC)
Fqd10n20tm	-	RFQ	6874	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	FQD1		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			200 V	7.6a (TC)	10V	360mohm @ 3.8a, 10V	5V @ 250 µA	18 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 51W (TC)
FQPF5N60C	1.5800	RFQ	215	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Fqpf5		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			600 V	4.5A (TC)	10V	2.5ohm @ 2.25a, 10V	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	670 pf @ 25 V	-	33W (TC)
Fqpf20n06l	1.6500	RFQ	1545	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FQPF20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			60 V	15.7a (TC)	5V, 10V	55mohm @ 7.85a, 10V	2.5V @ 250 µA	13 NC @ 5 V	± 20V	630 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Fqpf17p06	-	RFQ	6190	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FQPF1		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P			60 V	12a (TC)	10V	120mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 25V	900 pf @ 25 V	-	39W (TC)
Fqd7n30tf	-	RFQ	1324	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Fqd7		Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			300 V	5.5a (TC)	10V	700mohm @ 2.75a, 10V	5V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 30V	610 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 50W (TC)
Kbu4m	-	RFQ	2180	onde	-	Una granela	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, KBU	KBU4		Estándar		Kbu	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	200																1 v @ 4 a		5 µA @ 50 V		4 A										Fase única	1 kV
Fqpf7p20	1.6100	RFQ	3958	onde	QFET®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	FQPF7		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220F-3	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	50		Canal P			200 V	5.2a (TC)	10V	690mohm @ 2.6a, 10V	5V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 30V	770 pf @ 25 V	-	45W (TC)