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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Drenaje real (ID) - Max
MMSZ5232ET1G onsemi Mmsz5232et1g -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ523 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mmsz5232et1gos EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohmios
ATP301-TL-H onsemi ATP301-TL-H 1.9100
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie ATPAK (2 cables+Pestaña) ATP301 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 28a (TA) 10V 75mohm @ 14a, 10v - 73 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 20 V - 70W (TC)
1N5336B onsemi 1N5336B -
RFQ
 ECAD 9482 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5336 5 W Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1N5336Bos EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 1 V 4.3 V 2 ohmios
1N5229B onsemi 1N5229B 0.1600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5229 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2166-1N5229B-488 EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
FQU13N10LTU onsemi FQU13N10LTU -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU13N10 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 100 V 10a (TC) 5V, 10V 180mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
FCI11N60 onsemi FCI11N60 -
RFQ
 ECAD 1179 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FCI11 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
FQI7N60TU onsemi Fqi7n60tu 1.2971
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI7N60 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 1ohm @ 3.7a, 10v 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1430 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
2SK2378 onsemi 2SK2378 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
PN4092 onsemi PN4092 -
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN409 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 15 Ma @ 20 V 2 V @ 1 Na 50 ohmios
NTD4855N-1G onsemi NTD4855N-1G -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 14a (TA), 98a (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250 µA 32.7 NC @ 4.5 V ± 20V 2950 pf @ 12 V - 1.35W (TA), 66.7W (TC)
1N5224B_T50R onsemi 1N5224B_T50R -
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5224 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 75 µA @ 1 V 2.8 V 30 ohmios
NDT02N60ZT1G onsemi NDT02N60ZT1G -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NDT02 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 8ohm @ 700 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 7.4 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 2W (TC)
SBM30-03-TR-E onsemi SBM30-03-TR-E -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto SBM30 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500
FQB5N50TM onsemi FQB5N50TM -
RFQ
 ECAD 4857 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.25a, ​​10v 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 85W (TC)
MMSZ5V6T1 onsemi Mmsz5v6t1 -
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Mmsz5v 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
GBPC2506W onsemi GBPC2506W 5.6900
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 onde - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2506 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBPC3508 onsemi GBPC3508 5.9800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC35 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
SBT250-04J onsemi SBT250-04J -
RFQ
 ECAD 6111 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SBT250 Schottky A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 25A 550 MV @ 10 A 300 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
NTTFS4823NTWG onsemi Nttfs4823ntwg -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 7.1A (TA), 50A (TC) 4.5V, 11.5V 10.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 9 NC @ 4.5 V ± 20V 1013 pf @ 12 V - 660MW (TA), 32.9W (TC)
FDW2502P onsemi FDW2502P -
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.4a 35mohm @ 4.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 21NC @ 5V 1465pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMSZ33ET1 onsemi Mmsz33et1 -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 onde * Obsoleto MMSZ33 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000
BFL4001 onsemi BFL4001 -
RFQ
 ECAD 8828 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BFL40 Mosfet (Óxido de metal) To20fi (ls) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 900 V 4.1a (TA) 10V 2.7ohm @ 3.25a, ​​10V - 44 NC @ 10 V ± 30V 850 pf @ 30 V - 2W (TA), 37W (TC)
GBPC2502 onsemi GBPC2502 5.0400
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC25 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
MM3Z43VC onsemi Mm3z43vc 0.2300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F MM3Z43 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 30.1 V 43 V 141 ohmios
IRLW630ATM onsemi IRLW630ATM -
RFQ
 ECAD 5605 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRLW63 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 9A (TC) 5V 400mohm @ 4.5a, 5V 2V @ 250 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 69W (TC)
HUFA75842S3S onsemi HUFA75842S3S -
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
1N4152_T50R onsemi 1N4152_T50R -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4152 Estándar Do-35 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 30,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 880 MV @ 20 Ma 4 ns 50 na @ 30 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
FJZ594JCTF onsemi Fjz594jctf -
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-623F FJZ594 100 MW SOT-623F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 3.5pf @ 5V 20 V 150 µA @ 5 V 600 MV @ 1 µA 1 MA
FFPF04U150STU onsemi Ffpf04u150stu -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF04 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.8 V @ 4 A 150 ns 7 µA @ 1500 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A -
2SK3666-4-TB-E onsemi 2SK3666-4-TB-E -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK3666 200 MW SMCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 4pf @ 10V 30 V 2.5 mA @ 10 V 180 MV @ 1 µA 200 ohmios 10 Ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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