SIC
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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
NVBGS6D5N15MC onsemi Nvbgs6d5n15mc 4.3374
RFQ
 ECAD 1802 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Nvbgs6 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 15a (TA), 121a (TC) 8V, 10V 7mohm @ 69a, 10v 4.5V @ 379 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 4745 pf @ 75 V - 3.7W (TA), 238W (TC)
NTP150N65S3HF onsemi NTP150N65S3HF 5.1500
RFQ
 ECAD 9211 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10v 5V @ 540 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1985 pf @ 400 V - 192W (TC)
FQPF20N06L onsemi Fqpf20n06l 1.6500
RFQ
 ECAD 1545 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 15.7a (TC) 5V, 10V 55mohm @ 7.85a, 10V 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 630 pf @ 25 V - 30W (TC)
NVMFS5C456NLT1G onsemi Nvmfs5c456nlt1g -
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 87a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 55W (TC)
HUFA76629D3S onsemi HUFA76629D3S -
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 100 V 20A (TC) 4.5V, 10V 52mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1285 pf @ 25 V - 110W (TC)
MTD3N25E1 onsemi Mtd3n25e1 0.4600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde * Una granela Activo Mtd3n - descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
MM5Z5V1T5G onsemi MM5Z5V1T5G 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z5 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
MMBF4392LT1 onsemi Mmbf4392lt1 -
RFQ
 ECAD 1285 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MMBF43 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
AFGHL40T120RHD onsemi AfGHL40T120RHD -
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Afghl40 Estándar 400 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-AFGHL40T120RHD EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40a, 5ohm, 15V 195 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 48 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 3.7MJ (Encendido), 1.2mj (apagado) 277 NC 37ns/150ns
BZX55C43 onsemi BZX55C43 -
RFQ
 ECAD 4934 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C43 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 32 V 43 V 90 ohmios
BZX84C4V7LT3G onsemi BZX84C4V7LT3G 0.1400
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 onde Bzx84cxxxlt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
EMF23XV6T5G onsemi EMF23XV6T5G 0.0600
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-EMF23XV6T5G-488 1
MCH6353-TL-W onsemi MCH6353-TL-W 0.5100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6353 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 35mohm @ 3a, 4.5V - 12 NC @ 4.5 V ± 10V 1250 pf @ 6 V - 1.4W (TA)
FAM04V18DT1 onsemi FAM04V18DT1 -
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto FAM04 - descascar 488-FAM04V18DT1 Obsoleto 1 -
SZBZX84C33ET1G onsemi Szbzx84c33et1g 0.2400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 23.1 V 33 V 80 ohmios
CPH6202-TL-E onsemi CPH6202-TL-E 0.1400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 3.000
NTHL065N65S3F onsemi NTHL065N65S3F 12.5200
RFQ
 ECAD 4135 0.00000000 onde - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL065 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 65mohm @ 23a, 10v 5V @ 4.6MA 98 NC @ 10 V ± 30V 4075 pf @ 400 V - 337W (TC)
1PMT5921BT1 onsemi 1pmt5921bt1 -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5921 3.2 W Powermite descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1pmt5921bt1os EAR99 8541.10.0050 3.000 1.25 V @ 200 Ma 5 µA @ 5.2 V 6.8 V 2.5 ohmios
NTLUS3A39PZCTBG onsemi Ntlus3a39pzctbg -
RFQ
 ECAD 4799 0.00000000 onde µCool ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn Ntlus3a Mosfet (Óxido de metal) 6-udfn (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.4a (TA) 1.5V, 4.5V 39mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 10.4 NC @ 4.5 V ± 8V 920 pf @ 15 V - 600MW (TA)
NZ8F22VSMX2WT5G onsemi NZ8F22VSMX2WT5G 0.0754
RFQ
 ECAD 6046 0.00000000 onde NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 2.32% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NZ8F22VSMX2WT5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 16.8 V 22 V 55 ohmios
MBRM120ET3G onsemi MBRM120ET3G 0.6500
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-216AA MBRM120 Schottky Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 530 MV @ 1 A 10 µA @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
MMSZ12T3G onsemi Mmsz12t3g -
RFQ
 ECAD 3694 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ12 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
1N5333BG onsemi 1N5333BG 0.4900
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5333 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 300 µA @ 1 V 3.3 V 3 ohmios
NTMFS5C677NLT1G onsemi Ntmfs5c677nlt1g 4.8059
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2V @ 25 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
NTD4910NT4G onsemi Ntd4910nt4g -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD49 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.2a (TA), 37a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15.4 NC @ 10 V ± 20V 1203 pf @ 15 V - 1.37W (TA), 27.3W (TC)
FQN1N60CBU onsemi Fqn1n60cbu -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 onde QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Fqn1 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 300 mA (TC) 10V 11.5ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 1W (TA), 3W (TC)
FW256-TL-E onsemi FW256-TL-E -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FW256-TL-E-488 1
FQPF10N60CYDTU onsemi Fqpf10n60cydtu -
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQU13N06TU onsemi FQU13N06TU -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 60 V 10a (TC) 10V 140mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
MMDL770T1G onsemi Mmdl770t1g 0.2800
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMDL770 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 10 Ma 200 na @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C - 1PF @ 20V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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