SIC
close

Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
1SMF5920BT1G onsemi 1SMF5920BT1G 0.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F 1SMF5920 2.5 W SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.25 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
FDB075N15A_SN00284 onsemi FDB075N15A_SN00284 -
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB075 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 130A (TC) 10V 7.5mohm @ 100a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 7350 pf @ 75 V - 333W (TC)
SURA8160T3G onsemi SURA8160T3G -
RFQ
 ECAD 9799 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SURA8160 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
MR752G onsemi MR752G -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Botón, axial MR75 Estándar Botón de Microdo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 6 A 25 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
DFB2010 onsemi DFB2010 2.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P DFB20 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 20 A 10 µA @ 50 V 20 A Fase única 100 V
2SC3651-OTE-TD-E onsemi 2SC3651-EOT-TD-E 0.1600
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000
FDZ371PZ onsemi FDZ371PZ -
RFQ
 ECAD 7232 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP FDZ371 Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 20 V 3.7a (TA) 1.5V, 4.5V 75mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 8V 1000 pf @ 10 V - 1.7w (TA)
HUF75337S3S onsemi HUF75337S3S -
RFQ
 ECAD 4359 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 109 NC @ 20 V ± 20V 1775 pf @ 25 V - 175W (TC)
SZBZX84C6V8LT1 onsemi SZBZX84C6V8LT1 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 6.8 V 15 ohmios
2SK3817-DL-E onsemi 2SK3817-DL-E -
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK3817 Mosfet (Óxido de metal) SMP-FD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 60A (TA) 15mohm @ 30a, 10v 2.6V @ 1MA 67 NC @ 10 V 3500 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 65W (TC)
NTMD6N03R2 onsemi NTMD6N03R2 -
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD6 Mosfet (Óxido de metal) 1.29W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTMD6N03R2OS EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6A 32mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 30NC @ 10V 950pf @ 24V Puerta de Nivel Lógico
MJF122 onsemi MJF122 -
RFQ
 ECAD 3685 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF12 2 W Un 220FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 5 A 10 µA NPN - Darlington 3.5V @ 20MA, 5A 2000 @ 3a, 3V -
NTP27N06 onsemi NTP27N06 -
RFQ
 ECAD 1419 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP27N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP27N06OS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 27a (TA) 10V 46mohm @ 13.5a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 25 V - 88.2W (TC)
GBU6M onsemi Gbu6m 1.6300
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 6 a 5 µA @ 800 V 6 A Fase única 1 kV
NTHD5904T1 onsemi NTHD5904T1 -
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD59 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 3.1A 75mohm @ 3.1a, 4.5V 600mV @ 250 µA 6NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
FQP20N06 onsemi FQP20N06 -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-FQP20N06-OS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 53W (TC)
FDA20N50F onsemi FDA20N50F -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 onde FRFET®, Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FDA20N50 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-FDA20N50F EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 260mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 30V 3390 pf @ 25 V - 388W (TC)
NTMFS4D2N10MDT1G onsemi NTMFS4D2N10MDT1G 3.0900
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 16.4a (TA), 113A (TC) 6V, 10V 4.3mohm @ 46a, 10v 4V @ 239 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 50 V - 2.8W (TA), 132W (TC)
DFD05TE-BT onsemi Dfd05te-bt 0.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-DFD05TE-BT-488 1
MBRP20030CTLG onsemi MBRP20030CTLG -
RFQ
 ECAD 9102 0.00000000 onde Switchmode ™ Banda Obsoleto Monte del Chasis Powertap II MBRP2003 Schottky Powertap II descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MBRP20030CTLGOS EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 100A 600 MV @ 200 A 5 Ma @ 30 V
IRLR210ATF onsemi IRLR210ATF -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR21 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 2.7a (TC) 5V 1.5ohm @ 1.35a, 5V 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 21W (TC)
2N3904RLRAH onsemi 2n3904rlrah 0.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 2,000
MUN5335DW1T1 onsemi MUN5335DW1T1 -
RFQ
 ECAD 1093 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun53 385MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 2.2 kohms 47 kohms
FDD4685 onsemi FDD4685 1.5000
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD468 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fdd4685tr EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 8.4a (TA), 32a (TC) 4.5V, 10V 27mohm @ 8.4a, 10V 3V @ 250 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 2380 pf @ 20 V - 69W (TC)
MBR860MFST3G onsemi MBR860MFST3G -
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables MBR860 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 8 A 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
FW812-TL-E onsemi FW812-TL-E -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FW812 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-SOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 35V 10A 17mohm @ 10a, 10v 2.6V @ 1MA 19NC @ 10V 960pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
KSB1015O onsemi KSB1015O -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSB10 25 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 300 Ma, 3a 60 @ 500mA, 5V 9MHz
NSVMUN2132T1G onsemi NSVMUN2132T1G 0.0400
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMUN2132 230 MW SC-59 - Rohs no conforme Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V 4.7 kohms 4.7 kohms
SVC354S-TR-E onsemi SVC354S-TR-E 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1,000
FPF2C8P2NL07A onsemi FPF2C8P2NL07A -
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F2 FPF2 135 W Estándar F2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-FPF2C8P2NL07A-488 EAR99 8541.29.0095 70 Fase triple Parada de Campo 650 V 30 A 2.2V @ 15V, 30a 250 µA Si
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar