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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	TUPO TRIAC	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Szmmsz30t1g	0.4100	RFQ	4	onde	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	Szmmsz30			500 MW		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000																									900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V																30 V	80 ohmios
BZX79C15	0.1500	RFQ	132	onde	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C15			500 MW		Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	2832-BZX79C15	EAR99	8541.10.0050	5,000																									1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 10.5 V																15 V	30 ohmios
1SMB5929BT3G	0.5000	RFQ	4671	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	1SMB5929			3 W		SMB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500																									1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 11.4 V																15 V	9 ohmios
2SC5300	4.9600	RFQ	100	onde	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
NDSH50120C	24.1100	RFQ	900	onde	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	To-247-2			Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	30		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																					1200 V		1.75 V @ 50 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	53A	3691pf @ 1v, 100kHz
FGH75T65SQDT_F155	-	RFQ	9130	onde	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	FGH75	Estándar		375 W		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	450					400V, 18.8a, 4.7ohm, 15V																					76 ns					Parada de Campo de Trinchera	650 V	150 A	300 A	2.1V @ 15V, 75a	300 µJ (Encendido), 70 µJ (apaguado)	128 NC	23ns/120ns
FDG6316P	0.4300	RFQ	7046	onde	Powertrench®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	FDG6316		Mosfet (Óxido de metal)	300MW		SC-88 (SC-70-6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)					12V	700mA		270mohm @ 700 mA, 4.5V	1.5V @ 250 µA	2.4nc @ 4.5V		146pf @ 6V	Puerta de Nivel Lógico
50A02MH-TL-E	0.4200	RFQ	23	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, Plano Plano	50A02			600 MW		3 mcph	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																																50 V	500 mA								100NA (ICBO)				PNP	120mv @ 10 ma, 100 ma	200 @ 10mA, 2V	690MHz
Mpsa27rlra	-	RFQ	1852	onde	*	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto					MPSA27						descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000
Ntd2955g	-	RFQ	4313	onde	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	NTD29		Mosfet (Óxido de metal)			Dpak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75			Canal P			60 V	12a (TA)	10V	180mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	750 pf @ 25 V	-	55W (TJ)
FMG2G200US60	-	RFQ	9119	onde	-	Caja	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	7 pm-ha	Fmg2			695 W	Estándar	7 pm-ha	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																														-	600 V	200 A		2.7V @ 15V, 200a						250 µA	No
Mjb45h11t4g	1.3900	RFQ	4348	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MJB45			2 W		D²pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	800																																80 V	10 A								10 µA				PNP	1V @ 400 Ma, 8a	40 @ 4a, 1v	40MHz
Fqb11p06tm	-	RFQ	9392	onde	QFET®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Fqb11p06		Mosfet (Óxido de metal)			D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			Canal P			60 V	11.4a (TC)	10V	175mohm @ 5.7a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 53W (TC)
NDS9956A	-	RFQ	2068	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	NDS995		Mosfet (Óxido de metal)	900MW		8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2.500	2 Canal N (Dual)					30V	3.7a		80mohm @ 2.2a, 10v	2.8V @ 250 µA	27nc @ 10V		320pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
BZX79C18_T50R	-	RFQ	1459	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79C18			500 MW		Do-35	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000																									1.5 V @ 100 Ma		50 na @ 12.6 V																18 V	45 ohmios
NTMS5838NLR2G	-	RFQ	1658	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	NTMS58		Mosfet (Óxido de metal)			8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			40 V	5.8a (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 7a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	785 pf @ 20 V	-	1.5W (TA)
GBPC1506	5.6900	RFQ	7041	onde	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Terminal QC	4 Cuadrado, GBPC	GBPC15		Estándar			GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50																									1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 600 V		15 A										Fase única	600 V
Sbas16wt1g	0.4200	RFQ	4426	onde	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	SBAS16		Estándar			SC-70-3 (SOT323)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad																					75 V		1.25 V @ 150 Ma	6 ns	1 µA @ 75 V	-55 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
Nvd14n03rt4g	0.1800	RFQ	1	onde	*	Una granela	Activo											descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500
Mac16cng	0.5900	RFQ	24	onde	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3						Un 220b	descascar					EAR99	8541.30.0080	1	Soltero			50 Ma												Estándar	800 V	16 A	1.5 V	150A @ 60Hz	35 Ma
Bsp16t1	-	RFQ	6381	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP16			1.5 W		SOT-223 (TO-261)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000																																300 V	100 mA								50 µA				PNP	2V @ 5 mm, 50 Ma	30 @ 50mA, 10V	15MHz
Szmmbz5232blt1	0.0200	RFQ	51	onde	*	Una granela	Activo											-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0050	3.000
BZX55C51_T50R	-	RFQ	8243	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX55C51			500 MW		Do-35	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000																									1.3 V @ 100 Ma		100 na @ 38 V																51 V	125 ohmios
HUFA75344S3S	-	RFQ	3229	onde	UltraFet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HUFA75		Mosfet (Óxido de metal)			D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400			N-canal			55 V	75A (TC)	10V	8mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 20 V	± 20V	3200 pf @ 25 V	-	285W (TC)
FQA8N90C-F109	3.3600	RFQ	192	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	FQA8		Mosfet (Óxido de metal)			Un 3pn	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	450			N-canal			900 V	8a (TC)	10V	1.9ohm @ 4a, 10v	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 30V	2080 pf @ 25 V	-	240W (TC)
Nvmfs5c404nlt3g	-	RFQ	6911	onde	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn, 5 cables	Nvmfs5		Mosfet (Óxido de metal)			5-DFN (5x6) (8-SOFL)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			40 V	49a (TA), 352a (TC)	4.5V, 10V	0.75mohm @ 50A, 10V	2V @ 250 µA	181 NC @ 10 V	± 20V	12168 pf @ 25 V	-	3.9W (TA), 200W (TC)
RURG1520CC	-	RFQ	3302	onde	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	RURG1520		Estándar			TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	450		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)																				1 par Cátodo Común	200 V	15A	1.05 v @ 15 a	35 ns	100 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
FDMC5614P	0.9000	RFQ	2383	onde	Powertrench®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-PowerWDFN	FDMC5614		Mosfet (Óxido de metal)			8-MLP (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canal P			60 V	5.7a (TA), 13.5a (TC)	4.5V, 10V	100mohm @ 5.7a, 10V	3V @ 250 µA	20 NC @ 10 V	± 20V	1055 pf @ 30 V	-	2.1W (TA), 42W (TC)
Fgpf4533rdtu	-	RFQ	2946	onde	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Estándar		28.4 W		Un 220F-3	-			Alcanzar sin afectado	488-FGPF453333RDTU	EAR99	8541.29.0095	1					200v, 20a, 5ohm, 15v																										Parada de Campo de Trinchera		200 A	200 A	1.8V @ 15V, 50A	-	44 NC	6ns/40ns
Fqi4n20ltu	-	RFQ	5544	onde	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Fqi4		Mosfet (Óxido de metal)			I2pak (TO-262)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			200 V	3.8a (TC)	5V, 10V	1.35ohm @ 1.9a, 10v	2V @ 250 µA	5.2 NC @ 5 V	± 20V	310 pf @ 25 V	-	3.13W (TA), 45W (TC)