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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
NVMFS6H858NLWFT1G onsemi NVMFS6H858NLWFT1G 0.9500
RFQ
 ECAD 4874 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 8.7a (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 5a, 10v 2V @ 30 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 623 pf @ 40 V - 3.5W (TA), 42W (TC)
2SB926S onsemi 2SB926S 0.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1
MJE18204 onsemi MJE18204 0.5300
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
NGTB40N120SWG onsemi Ngtb40n120swg -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB40 Estándar 535 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10ohm, 15V 240 ns Zanja 1200 V 80 A 200 A 2.4V @ 15V, 40A 3.4mj (Encendido), 1.1mj (apagado) 313 NC 116ns/286ns
1N6011B_T50R onsemi 1N6011B_T50R -
RFQ
 ECAD 4482 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6011 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 78 ohmios
IRFS654B_FP001 onsemi IRFS654B_FP001 -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IRFS6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 21a (TC) 10V 140mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 123 NC @ 10 V ± 30V 3400 pf @ 25 V - 50W (TC)
STP8057 onsemi STP8057 1.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde * Una granela Activo STP805 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 249
FDMS7570S onsemi FDMS7570S 1.1700
RFQ
 ECAD 523 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS7570 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 28a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.95mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 69 NC @ 10 V ± 20V 4515 pf @ 13 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FGH20N60UFDTU onsemi FGH20N60UFDTU -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH20 Estándar 165 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V 34 ns Parada de Campo 600 V 40 A 60 A 2.4V @ 15V, 20a 380 µJ (Encendido), 260 µJ (apagado) 63 NC 13ns/87ns
FDN339AN onsemi FDN339an 0.5000
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN339 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 3a (TA) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 8V 700 pf @ 10 V - 500MW (TA)
FCP600N65S3R0 onsemi FCP600N65S3R0 2.4400
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 onde Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP600 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 650 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 465 pf @ 400 V - 54W (TC)
FSB50760BSF onsemi FSB50760BSF -
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 onde Move SPM® 5 Superfet® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 23 Potencias (0.551 ", 14.00 mm) Mosfet FSB50760 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-FSB50760BSF EAR99 8542.39.0001 270 Inversor de 3 fase 3.6 A 600 V 1500 VRMS
SVC203C-AA-TB-E onsemi SVC203C-AA-TB-E -
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SVC203 3-CP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 - - - -
MM5Z4686T1G onsemi MM5Z4686T1G 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z4686 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 3.9 V
1N6009B onsemi 1N6009B -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6009 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 18 V 24 V 62 ohmios
MUR420SG onsemi MUR420SG -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 onde Switchmode ™ Bolsa Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Mur42 Estándar Axial - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 890 MV @ 4 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
KSC1009CYTA onsemi Ksc1009cyta -
RFQ
 ECAD 7696 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC1009 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 140 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 20 mm, 200 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
TIP35B onsemi TIP35B 0.8500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 125 W Un 218 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 100 80 V 25 A - NPN - 10 @ 15a, 4V 3MHz
2SC536KE-BOSE-AA onsemi 2sc536ke-bose-aa 0.0200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
SMM5Z5V1RT1G onsemi SMM5Z5V1RT1G 0.0700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
NTMFS4C08NT3G onsemi Ntmfs4c08nt3g 0.5245
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 9A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 18a, 10v 2.1V @ 250 µA 18.2 NC @ 10 V ± 20V 1113 pf @ 15 V - 760MW (TA), 25.5W (TC)
FDME1023PZT onsemi Fdme1023pzt 0.8900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta FDME1023 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 6-Microfet (1.6x1.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 2 Canal P (Dual) 20V 2.6a 142mohm @ 2.3a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.7nc @ 4.5V 405pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMSD701T1G onsemi MMSD701T1G 0.4000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 MMSD701 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 10 Ma 200 na @ 35 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 1PF @ 0V, 1MHz
FDB86366-F085 onsemi FDB86366-F085 2.8800
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB86366 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 110A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6280 pf @ 40 V - 176W (TJ)
NTMFD6H846NLT1G onsemi Ntmfd6h846nlt1g 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ntmfd6 Mosfet (Óxido de metal) 3.2W (TA), 34W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 80V 9.4a (TA), 31a (TC) 15mohm @ 5a, 10v 2V @ 21 µA 17NC @ 10V 900pf @ 40V -
MMSZ5240ET1 onsemi Mmsz5240et1 -
RFQ
 ECAD 2535 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ524 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mmsz5240et1os EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
FDMS86182 onsemi FDMS86182 2.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 78a (TC) 6V, 10V 7.2mohm @ 28a, 10v 4V @ 150 µA 24 NC @ 6 V ± 20V 2635 pf @ 50 V - 83W (TC)
SBC846BLT3 onsemi Sbc846blt3 0.0200
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
MPSW51ARLRPG onsemi Mpsw51arlrpg -
RFQ
 ECAD 6342 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSW51 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 40 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 100 mm, 1a 60 @ 100mA, 1V 50MHz
FQPF5N40 onsemi FQPF5N40 -
RFQ
 ECAD 3461 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 3A (TC) 10V 1.6ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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