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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RFD12N06RLE onsemi Rfd12n06rle -
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA RFD12 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 18a (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 16V 485 pf @ 25 V - 40W (TC)
1SMA5929BT3G onsemi 1SMA5929BT3G 0.3900
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5929 1.5 W SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 11.4 V 15 V 9 ohmios
DTC114EXV3T1 onsemi Dtc114exv3t1 0.0500
RFQ
 ECAD 99 0.00000000 onde * Una granela Activo Dtc114 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
FLZ33VA onsemi Flz33va -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 FLZ33 500 MW Sod-80 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 133 na @ 25 V 30.5 V 55 ohmios
FQB8N25TM onsemi FQB8N25TM -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB8 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 8a (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 87W (TC)
SFP9530 onsemi SFP9530 -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SFP953 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 10.5a (TC) 10V 300mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1035 pf @ 25 V - 66W (TC)
1N5232B_T26A onsemi 1N5232B_T26A -
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5232 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 V 11 ohmios
FQU4N50TU-WS onsemi FQU4N50TU-WS -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU4N50 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
MURF860G onsemi MURF860G 1.2800
RFQ
 ECAD 4991 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Murf860 Estándar Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
SMUN5235T1G onsemi Smun5235t1g 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Smun5235 202 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
FDPF2D3N10C onsemi FDPF2D3N10C 6.9400
RFQ
 ECAD 552 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF2D3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 222a (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 4V @ 700 µA 152 NC @ 10 V ± 20V 11180 pf @ 50 V - 45W (TC)
ATP208-TL-H onsemi ATP208-TL-H -
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie ATPAK (2 cables+Pestaña) ATP208 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 90A (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 45a, 10v - 83 NC @ 10 V ± 20V 4510 pf @ 20 V - 60W (TC)
5LP01M-TL-E onsemi 5LP01M-TL-E -
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 5LP01 Mosfet (Óxido de metal) MCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 70MA (TA) 1.5V, 4V 23ohm @ 40mA, 4V - 1.4 NC @ 10 V ± 10V 7.4 pf @ 10 V - 150MW (TA)
1N4733A-T50A onsemi 1N4733A-T50A 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4733 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 10 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
SZBZX84C51ET1G onsemi SZBZX84C51ET1G 0.2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
FDJ1027P onsemi FDJ1027P -
RFQ
 ECAD 5626 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75-6 FLMP FDJ1027 Mosfet (Óxido de metal) 900MW SC75-6 FLMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.8a 160mohm @ 2.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 290pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MPSA29RLRPG onsemi Mpsa29rlrpg -
RFQ
 ECAD 7812 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA29 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 100 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
FFD20UP20S onsemi FFD20UP20S -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FFD20 Estándar Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 V @ 20 A 45 ns 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 20A -
SZMMSZ4689ET1G onsemi Szmmsz4689et1g 0.4600
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Szmmsz4689 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 3 V 5.1 V
MMSZ5252ET1 onsemi Mmsz5252et1 -
RFQ
 ECAD 6763 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ525 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mmsz5252et1os EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
BZX84C3V9_D87Z onsemi BZX84C3V9_D87Z -
RFQ
 ECAD 1357 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
BZX79C43 onsemi BZX79C43 -
RFQ
 ECAD 6932 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C43 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
1N4938 onsemi 1N4938 -
RFQ
 ECAD 5875 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4938 Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 75 V 175 ° C (Máximo) 500mA 5PF @ 0V, 1MHz
MM3Z7V5ST1G onsemi MM3Z7V5ST1G 0.1500
RFQ
 ECAD 429 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MM3Z7 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
SS29 onsemi SS29 0.6700
RFQ
 ECAD 8758 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS29 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 400 µA @ 90 V -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
1N5357BRLG onsemi 1N5357BRLG 0.4900
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5357 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 15.2 V 20 V 3 ohmios
NVMFD5C672NLWFT1G onsemi Nvmfd5c672nlwft1g 2.3700
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W (TA), 45W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 12a (TA), 49A (TC) 11.9mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 30 µA 5.7nc @ 4.5V 793pf @ 25V -
FDC6432SH onsemi FDC6432SH -
RFQ
 ECAD 3986 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6432 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V, 12V 2.4a, 2.5a 90mohm @ 2.4a, 10V 3V @ 1MA 3.5nc @ 5V 270pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDJ1032C onsemi FDJ1032C -
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75-6 FLMP FDJ1032 Mosfet (Óxido de metal) 900MW SC75-6 FLMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 3.2a, 2.8a 90mohm @ 3.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 3NC @ 4.5V 200pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQB14N30TM onsemi Fqb14n30tm -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB1 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 14.4a (TC) 10V 290mohm @ 7.2a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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