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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NRVB1035G onsemi Nrvb1035g -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 NRVB103 Schottky Un 220-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 840 MV @ 20 A 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
FDMC6679AZ onsemi Fdmc6679az 1.4500
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC6679 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 11.5a (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 25V 3970 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
MPSA92RL1G onsemi MPSA92RL1G -
RFQ
 ECAD 1178 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA92 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 300 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
NDD60N900U1T4G onsemi NDD60N900U1T4G -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NDD60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5.7a (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 25V 360 pf @ 50 V - 74W (TC)
2SC5707-E onsemi 2SC5707-E -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SC5707 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 8 A 100NA (ICBO) NPN 240mv @ 175ma, 3.5a 200 @ 500mA, 2V 330MHz
NTD4809N-1G onsemi NTD4809N-1G -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 9.6a (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1456 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 52W (TC)
SSR1N60BTM_F080 onsemi SSR1N60BTM_F080 -
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ssr1n Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 900 mA (TC) 10V 12ohm @ 450mA, 10V 4V @ 250 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 215 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
KSD1616LBU onsemi Ksd1616lbu -
RFQ
 ECAD 3419 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD1616 750 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 300 @ 100 mapa, 2v 160MHz
NTD4808NT4G onsemi Ntd4808nt4g -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA), 63A (TC) 4.5V, 11.5V 8mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1538 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 54.6W (TC)
NDCTR40120A onsemi NDCTR40120A -
RFQ
 ECAD 3603 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo NDCTR40120 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NDCTR40120 1.700 -
NTD4858N-35G onsemi NTD4858N-35G 0.5758
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD4858 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 11.2a (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 19.2 NC @ 4.5 V ± 20V 1563 pf @ 12 V - 1.3W (TA), 54.5W (TC)
NVMFD5C446NLWFT1G onsemi Nvmfd5c446nlwft1g 5.0000
RFQ
 ECAD 4630 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5 Mosfet (Óxido de metal) 3.5W (TA) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 40V 25A (TA), 145A (TC) 2.65mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 90 µA 25NC @ 4.5V 3170pf @ 25V -
1N5230B onsemi 1N5230B 0.1600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5230 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.7 V 19 ohmios
FQP12N60 onsemi FQP12N60 -
RFQ
 ECAD 2299 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 10.5a (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 180W (TC)
MBR2H100SFT3G onsemi MBR2H100SFT3G 0.4200
RFQ
 ECAD 5744 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F MBR2H100 Schottky SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 2 A 40 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
2SC4403-3-TL-E onsemi 2SC4403-3-TL-E 0.0400
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
NTLLD4901NFTWG onsemi Ntlld4901nftwg -
RFQ
 ECAD 3392 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn NTLLD4901 Mosfet (Óxido de metal) 800MW, 810MW 8-WDFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a, 6.3a 17.4mohm @ 9a, 10v 2.2V @ 250 µA 12NC @ 10V 605pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FDB20N50F onsemi FDB20N50F 3.5100
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 onde FRFET®, Unifet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB20N50 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 260mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 30V 3390 pf @ 25 V - 250W (TC)
MCH3486-TL-W onsemi MCH3486-TL-W -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos MCH3486 Mosfet (Óxido de metal) SC-70FL/MCPH3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TA) 4V, 10V 137mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA 7 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 20 V - 1W (TA)
2SB1216T-E onsemi 2SB1216T-E -
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1216 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 200 @ 500mA, 5V 130MHz
NTHS5445T1 onsemi NTHS5445T1 -
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Nths54 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 8 V 5.2a (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 5.2a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 26 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.3W (TA)
PCFG40N120ANF onsemi PCFG40N120Anf -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto PCFG40 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
DCD010-TB-E onsemi DCD010-TB-E -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DCD010 Estándar 3-CP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 20 V 100mA 1 V @ 10 Ma 100 na @ 15 V 125 ° C (Máximo)
BC817-25LT3 onsemi BC817-25LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto BC817 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
KSA1156OS onsemi KSA1156OS -
RFQ
 ECAD 1932 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSA1156 1 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 400 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 60 @ 100mA, 5V -
SBC847BLT1G onsemi Sbc847blt1g 0.3600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC847 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCW70LT1G onsemi Bcw70lt1g 0.1900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW70 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 500 µA, 10 mA 215 @ 2mA, 5V -
BZX79C47 onsemi BZX79C47 -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C47 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
AFGHL40T65RQDN onsemi AfGHL40T65RQDN 5.7500
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Afghl40 Estándar 288 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-AFGHL40T65RQDN EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 2.5ohm, 15V 44 ns Parada de Campo 650 V 46 A 160 A 1.82V @ 15V, 40A 1.14mj (Encendido), 740 µJ (apagado) 47 NC 26ns/77ns
MBRD330T4 onsemi MBRD330T4 -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRD330 Schottky Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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