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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SJ661-DL-E onsemi 2SJ661-DL-E -
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab 2SJ661 Mosfet (Óxido de metal) SMP-FD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 38a (TA) 4V, 10V 39mohm @ 19a, 10v 2.6V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 20V 4360 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 65W (TC)
NTTFS5C680NLTAG onsemi Nttfs5c680nltag 0.7900
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 7.82a (TA), 20a (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 13 µA 6 NC @ 10 V ± 20V 327 pf @ 25 V - 3W (TA), 20W (TC)
MBRF2060CTH onsemi MBRF2060CTH -
RFQ
 ECAD 4360 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MBRF2060 Schottky To220-3 Fullpack - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 850 MV @ 10 A 150 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
NSR20F20NXT5G onsemi Nsr20f20nxt5g 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-xdfn NSR20 Schottky 2-DSN (1.6x.80) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 470 MV @ 2 A 150 µA @ 20 V 150 ° C (Máximo) 2a -
1SMB5935BT3 onsemi 1SMB5935BT3 -
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5935 3 W SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
2SK3486-TD-E onsemi 2SK3486-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
BFR31LT1 onsemi BFR31LT1 -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR31 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 V 5PF @ 10V 1 ma @ 10 V 2.5 V @ 0.5 na
SZBZX84C6V8LT3G onsemi SZBZX84C6V8LT3G 0.0254
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZBZX84CXXXLT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-SZBZX84C6V8LT3GTR EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
SMBZ2606-8LT3 onsemi SMBZ2606-8LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 10,000
MM5Z12VT5G onsemi MM5Z12VT5G 0.2300
RFQ
 ECAD 1000 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.42% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z12 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
2SC4414S onsemi 2SC4414S -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,290
FJNS4213RTA onsemi Fjns4213rta -
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
MPS6428RLRA onsemi Mps6428rlra 0.0200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 200 MA 25NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 250 @ 10mA, 5V 700MHz
FDB16AN08A0 onsemi Fdb16an08a0 2.9600
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Fdb16an08 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 9A (TA), 58A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 58a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1857 pf @ 25 V - 135W (TC)
KSC2330RBU onsemi Ksc2330rbu -
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO KSC2330 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 6,000 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 40 @ 20MA, 10V 50MHz
RB521S30-ON onsemi RB521S30-ON -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000
DTC143Z onsemi Dtc143z 0.0200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde * Una granela Activo DTC143 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0095 1
FDMC8327L-L701 onsemi FDMC8327L-L701 0.7510
RFQ
 ECAD 8283 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDMC8327L-L701TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 12a (TA), 14a (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 20 V - 2.3W (TA), 30W (TC)
FDMS0310S onsemi FDMS0310S -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS0310 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 19A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 20V 2820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
1HP04CH-TL-W onsemi 1HP04CH-TL-W -
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 1HP04 Mosfet (Óxido de metal) 3-cph - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 170MA (TA) 4V, 10V 18OHM @ 80MA, 10V 2.6V @ 100 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 14 pf @ 20 V - -
BC32725_J35Z onsemi BC32725_J35Z -
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC327 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
FQPF22N30 onsemi FQPF22N30 -
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FQPF22N30 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 12a (TC) 10V 160mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 56W (TC)
FJPF5027RYDTU onsemi FJPF5027RYDTU -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FJPF5027 40 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 800 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 2V @ 300 Ma, 1.5a 15 @ 200Ma, 5V 15MHz
S3KB onsemi S3KB 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 18pf @ 0v, 1 MHz
2SD2176-TD-E onsemi 2SD2176-TD-E 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1.374
TIP31B onsemi TIP31B -
RFQ
 ECAD 6186 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP31 2 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.200 80 V 3 A 300 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
NSBC114YPDXV6T5G onsemi Nsbc114ypdxv6t5g -
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
FDMC86340ET80 onsemi Fdmc86340et80 3.6000
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86340 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 14a (TA), 68a (TC) 8V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 2775 pf @ 40 V - 2.8W (TA), 65W (TC)
MBR30L60CTG onsemi MBR30L60CTG 1.7700
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30L60 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 620 MV @ 15 A 350 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
FDMS86263P-23507X onsemi FDMS86263P-23507X -
RFQ
 ECAD 5939 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDMS86263P-23507XTR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 150 V 4.4a (TA), 22a (TC) 6V, 10V 53mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 25V 3905 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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