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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BC817-25LT3H onsemi BC817-25LT3H 0.0700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onde * Una granela Activo BC817 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
2SD1191 onsemi 2SD1191 0.4500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
PN5434 onsemi PN5434 -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN543 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 30pf @ 10V (VGS) 25 V 30 Ma @ 15 V 1 v @ 3 na 10 ohmios
NRVHPRS1BFA onsemi NRVHPRS1BFA 0.1161
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie SOD-123F NRVHPRS1 Estándar SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C5V1_D87Z onsemi BZX84C5V1_D87Z -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
FCD850N80Z onsemi FCD850N80Z 2.5300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde Superfet® II Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FCD850 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 100 V - 75W (TC)
MBR60L45CTH onsemi MBR60L45CTH -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR60 Schottky Un 220 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 550 MV @ 30 A 1.2 Ma @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
BTA25H-600CW3G onsemi BTA25H-600CW3G -
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 1 Soltero 50 Ma Estándar 600 V 25 A 1.3 V 250A @ 60Hz 35 Ma
1N4751A onsemi 1N4751A 0.2800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4751 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
FFPF04H60STU onsemi Ffpf04h60stu -
RFQ
 ECAD 9671 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF04 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 v @ 4 a 45 ns 100 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A -
FSAM50SM60G onsemi FSAM50SM60G 50.7000
RFQ
 ECAD 809 0.00000000 onde * Una granela Activo - Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-FSAM50SM60G-488 EAR99 8542.39.0001 1
NTMS5P02R2SG onsemi NTMS5P02R2SG -
RFQ
 ECAD 9624 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ntms5p Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 3.95a (TA) 2.5V, 4.5V 33mohm @ 5.4a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 10V 1900 pf @ 16 V - 790MW (TA)
NZ3F5V6T1G onsemi NZ3F5V6T1G -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F NZ3F5 800 MW Sod-323fl descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.3 V @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 60 ohmios
2N6052G onsemi 2N6052G -
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6052 150 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 100 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 120mA, 12A 750 @ 6a, 3V -
MJE4343G onsemi MJE4343G 5.0100
RFQ
 ECAD 144 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MJE4343 125 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 160 V 16 A 750 µA NPN 3.5V @ 2a, 16a 15 @ 8a, 2v 1MHz
RFD3055LESM9A onsemi RFD3055LESM9A 0.8100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RFD3055 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 11a (TC) 5V 107mohm @ 8a, 5V 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
RD2006LS-S-SB5 onsemi RD2006LS-SB5 0.4000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0080 1
MUN5236T1 onsemi Mun5236t1 -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mun5236 202 MW SC-70-3 (SOT323) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 100 kohms 100 kohms
HUFA75321S3S onsemi HUFA75321S3S -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
1N4148 onsemi 1N4148 0.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N414 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
ECH8601M-C-TL-H onsemi ECH8601M-C-TL-H -
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano ECH8601 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 8-ECH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 24 V 8A 23mohm @ 4a, 4.5V - 7.5nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
NTMFS011N15MC onsemi NTMFS011N15MC 12.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFS011 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 10.7a (TA), 78a (TC) 8V, 10V 11.5mohm @ 35a, 10v 4.5V @ 194 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 3592 pf @ 75 V - 2.7W (TA), 147W (TC)
KSP2907ATA onsemi Ksp2907ata 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP2907 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
SGR6N60UFTM onsemi Sgr6n60uftm -
RFQ
 ECAD 7220 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sgr6n Estándar 30 W Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 300V, 3a, 80ohm, 15V - 600 V 6 A 25 A 2.6V @ 15V, 3a 57 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) 15 NC 15ns/60ns
FKN1N60SA onsemi FKN1N60SA -
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FKN1 Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1,000 Soltero 15 Ma Lógica - Puerta sensible 600 V 1 A 2 V 9a, 10a 5 Ma
FQP19N20C_F080 onsemi FQP19N20C_F080 -
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 19a (TC) 10V 170mohm @ 9.5a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 139W (TC)
NTMFS5H615NLT1G onsemi NTMFS5H615NLT1G 2.8100
RFQ
 ECAD 799 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 28a (TA), 185A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 49a, 10v 2V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 4860 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 139W (TC)
MJF31CG onsemi Mjf31cg 1.3500
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF31 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 3 A 300 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
S2M-F080 onsemi S2M-F080 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2M Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 2A (IO) 1000 V 1.15 v @ 2 a 2 µs 1 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1 MHz
2SA1481E-AC onsemi 2SA1481E-AC 0.0500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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