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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
KSC2328AYTA onsemi Ksc2328ayta 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) KSC2328 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 30 V 2 A 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
MM3Z5V1ST1G onsemi MM3Z5V1ST1G 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Mm3z5 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
BSS84LT1G onsemi BSS84LT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA ± 20V 30 pf @ 5 V - 225MW (TA)
NTMS4N01R2G onsemi NTMS4N01R2G -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ntms4n Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 20 V 3.3a ​​(TA) 2.5V, 4.5V 40mohm @ 4.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 16 NC @ 4.5 V ± 10V 1200 pf @ 10 V - 770MW (TA)
FSBB30CH60C onsemi FSBB30CH60C 22.3100
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB30 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 30 A 600 V 2500 VRMS
BC550CG onsemi BC550CG -
RFQ
 ECAD 2766 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC550 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G 256.7100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo NXH350 276 W Estándar 42-PIM/Q2Pack (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH350N100H4Q2F2P1G EAR99 8541.29.0095 12 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 1000 V 303 A 2.3V @ 15V, 375A 1 MA Si 24.146 NF @ 20 V
MPS6651 onsemi MPS6651 -
RFQ
 ECAD 1003 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS665 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 25 V 1 A 100na PNP 600mv @ 100 mm, 1a 50 @ 500mA, 1V 100MHz
MURS160T3H onsemi Murs160t3h -
RFQ
 ECAD 2991 0.00000000 onde - Banda Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Murs16 Estándar SMB - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 75 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
US1MFA onsemi US1MFA 0.4600
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W US1M Estándar SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
ISL9V5045S3ST-F085C onsemi ISL9V5045S3ST-F085C 2.1596
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 onde Ecospark® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 300 W D²pak-3 (A-263-3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-ISL9V5045S3ST-F085CTR EAR99 8541.29.0095 800 - - 480 V 51 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
2SD1622S-TD-E onsemi 2SD1622S-TD-E -
RFQ
 ECAD 6320 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1,000
NJT4030PT3G onsemi NJT4030PT3G 0.4600
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NJT4030 2 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 40 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 300mA, 3A 200 @ 1a, 1v 160MHz
NSR0240MX2T5G onsemi NSR0240MX2T5G 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-xdfn NSR0240 Schottky 2-x2dfn (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 8,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 200 Ma 5 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
1N5920BRL onsemi 1N5920BRL -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5920 3 W Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
PN4249_D75Z onsemi PN4249_D75Z -
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN424 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500 µA, 10 mA 100 @ 100 µA, 5V -
MMBT4401-ON onsemi Mmbt4401-on -
RFQ
 ECAD 9777 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 15,000 40 V 600 mA 100na NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
NVMFD5C674NLT1G onsemi Nvmfd5c674nlt1g 2.0300
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5 Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA), 37W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 11a (TA), 42a (TC) 14.4mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 25 µA 4.7nc @ 4.5V 640pf @ 25V -
FJN3314RTA onsemi Fjn3314rta -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN331 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
2N6052G onsemi 2N6052G -
RFQ
 ECAD 3518 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 2N6052 150 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 100 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 120mA, 12A 750 @ 6a, 3V -
MBRF30H150CTH onsemi MBRF30H150CTH -
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MBRF30 Schottky To220-3 Fullpack - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 1.11 V @ 15 A 60 µA @ 150 V -20 ° C ~ 150 ° C
BD37510STU onsemi Bd37510stu -
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD375 25 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 45 V 2 A 2µA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 63 @ 150mA, 2V -
BC369ZL1 onsemi Bc369zl1 -
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC369 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V 65MHz
TIP47TU onsemi Tip47tu -
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP47 2 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 250 V 1 A 1mera NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
1N4003RLG onsemi 1N4003RLG 0.3100
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4003 Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
FJYF2906PWD onsemi FJYF2906PWD -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 FJYF29 150 MW SOT-563F - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 40 V 150 Ma - PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
HUF75332P3 onsemi HUF7533332P3 1.9400
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF75332 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
2SB1216S-TL-H onsemi 2SB1216S-TL-H -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SB1216 1 W TP-FA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 700 100 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 140 @ 500 mA, 5V 130MHz
KSC2383YTA onsemi Ksc2383yta 0.5100
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) KSC2383 900 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 160 @ 200MA, 5V 100MHz
2SB1143T onsemi 2SB1143T -
RFQ
 ECAD 6329 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2SB1143 1.5 W A 126 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 200 50 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 700mv @ 100 mm, 2a 200 @ 100 mapa, 2v 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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