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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
NTMS4177PR2G onsemi NTMS4177PR2G 1.0800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS41 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 30 V 6.6a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11.4a, 10V 2.5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 24 V - 840MW (TA)
FDP083N15A onsemi FDP083N15A -
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP083 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 83A (TC) 10V 8.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 6040 pf @ 25 V - 294W (TC)
FQPF8N60CT onsemi FQPF8N60CT -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7.5a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 48W (TC)
NDS0605 onsemi NDS0605 0.3800
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NDS060 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 180MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 2.5 NC @ 10 V ± 20V 79 pf @ 25 V - 360MW (TA)
FDS6672A onsemi FDS6672A -
RFQ
 ECAD 2130 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS66 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2V @ 250 µA 46 NC @ 4.5 V ± 12V 5070 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQD2N60TM onsemi Fqd2n60tm -
RFQ
 ECAD 2114 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd2 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 2a (TC) 10V 4.7ohm @ 1a, 10v 5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
80SQ045NRL onsemi 80sq045nrl -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL 80sq045 Schottky Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 80sq045nrlos EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 8 A 1 ma @ 45 V -65 ° C ~ 125 ° C 8A -
NTP60N06G onsemi NTP60N06G -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP60N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP60N06GOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 60A (TA) 10V 14mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 3220 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 150W (TJ)
2SK3748 onsemi 2SK3748 -
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 onde - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO 2SK3748 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 1500 V 4A (TA) 10V 7ohm @ 2a, 10v - 80 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 30 V - 3W (TA), 65W (TC)
FP7G100US60 onsemi FP7G100US60 -
RFQ
 ECAD 9634 0.00000000 onde Power-Spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis EPM7 FP7G10 400 W Estándar EPM7 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5 Medio puente - 600 V 100 A 2.8V @ 15V, 100A 250 µA No 6.085 nf @ 30 V
2SB1203T-H onsemi 2SB1203T-H -
RFQ
 ECAD 7760 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1203 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 550mv @ 150 mA, 3a 200 @ 500mA, 2V 130MHz
FCPF165N65S3L1 onsemi FCPF165N65S3L1 2.4700
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onde Superfet® III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF165 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 19a (TC) 10V 165mohm @ 9.5a, 10V 4.5V @ 1.9MA 35 NC @ 10 V ± 30V 1415 pf @ 400 V - 35W (TC)
NSVBC857CWT1G-M02 onsemi NSVBC857CWT1G-M02 -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 150 MW SC-70-3 (SOT323) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
MM3Z27VT3G onsemi Mm3z27vt3g -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MM3Z27 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 18.9 V 27 V 80 ohmios
FQPF3N90 onsemi FQPF3N90 -
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.1a (TC) 10V 4.25ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 43W (TC)
FQPF9P25YDTU onsemi Fqpf9p25ydtu -
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados FQPF9 Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3 (Formación y) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 250 V 6a (TC) 10V 620mohm @ 3a, 10v 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 50W (TC)
NFAL5012L5B onsemi NFAL5012L5B -
RFQ
 ECAD 2761 0.00000000 onde SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 30 Potencias (1.385 ", 35.17 mm) IGBT NFAL5012 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-NFAL5012L5B EAR99 8542.39.0001 6 1 inversor de fase 50 A 1.2 kV 2500 VRMS
NTP22N06 onsemi NTP22N06 -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP22N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 22a (TA) 10V 60mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 700 pf @ 25 V - 60W (TJ)
1N5230B_S00Z onsemi 1N5230B_S00Z -
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5230 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
NVMFS5C442NLWFET1G onsemi Nvmfs5c442nlwfet1g 1.0181
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFS5C442NLWFET1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 28a (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 2V @ 90 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
MPSA44RLRA onsemi Mpsa44rlra -
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MPSA44 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
KSC1674CYBU onsemi Ksc1674cybu -
RFQ
 ECAD 8309 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1674 250MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 - 20V 20 Ma NPN 120 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
NTHD4401PT3 onsemi NTHD4401PT3 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD44 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 2.1a 155mohm @ 2.1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 6NC @ 4.5V 300pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMSZ5259ET1G onsemi Mmsz5259et1g -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ525 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 30 V 39 V 80 ohmios
2N5485_D75Z onsemi 2N5485_D75Z -
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 25 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5485 400MHz Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 N-canal 10 Ma - - 4db 15 V
MCH5801-TL-E onsemi MCH5801-TL-E 0.1100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
STD24N06LT4G onsemi Std24n06lt4g -
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std24 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 24a (TC) 5V 45mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 15V 1140 pf @ 25 V - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
MJD253T4 onsemi Mjd253t4 -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD25 12.5 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 100 V 4 A - PNP 300mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 200Ma, 1V 40MHz
UD0506T-H onsemi UD0506T-H -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA UD050 Estándar TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 5 A 150 ns 10 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 5A -
FQB8N60CFTM onsemi FQB8N60CFTM -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 onde FRFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB8 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.26a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.13a, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1255 pf @ 25 V - 147W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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