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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
1N5360BRL onsemi 1N5360BRL -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5360 5 W Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 19 V 25 V 4 ohmios
FDW252P onsemi FDW252P -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 8.8a (TA) 2.5V, 4.5V 12.5mohm @ 8.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 66 NC @ 4.5 V ± 12V 5045 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
FJPF5027OTU onsemi FJPF5027OTU 1.3300
RFQ
 ECAD 672 0.00000000 onde - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FJPF5027 40 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FJPF5027OTU EAR99 8541.29.0095 50 800 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 2V @ 300 Ma, 1.5a 20 @ 200Ma, 5V 15MHz
FQI7N60TU onsemi Fqi7n60tu 1.2971
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI7N60 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 1ohm @ 3.7a, 10v 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1430 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
NVMFS5C404NWFT3G onsemi NVMFS5C404NWFT3G -
RFQ
 ECAD 7151 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 53A (TA), 378A (TC) 10V 0.7mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 128 NC @ 10 V ± 20V 8400 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 200W (TC)
NRVBA340T3G onsemi Nrvba340t3g -
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA NRVBA340 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 3 A 300 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
FQPF16N15 onsemi Fqpf16n15 -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 11.6a (TC) 10V 160mohm @ 5.8a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 910 pf @ 25 V - 53W (TC)
2N3904BU onsemi 2N3904BU 0.3700
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3904 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
FDD3680 onsemi FDD3680 -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD368 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 25A (TA) 6V, 10V 46mohm @ 6.1a, 10V 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 1735 pf @ 50 V - 68W (TA)
FJN4312RTA onsemi Fjn4312rta -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN431 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 47 kohms
HUF75645P3 onsemi HUF75645P3 2.8400
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF75645 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 238 NC @ 20 V ± 20V 3790 pf @ 25 V - 310W (TC)
FDB7030L_L86Z onsemi FDB7030L_L86Z -
RFQ
 ECAD 7186 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB703 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 40a, 10v 3V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 20V 2440 pf @ 15 V - 68W (TC)
FDH700 onsemi FDH700 -
RFQ
 ECAD 4508 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial FDH700 Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 20 V 1.25 V @ 50 Ma 900 PS 50 na @ 20 V -65 ° C ~ 175 ° C 150 Ma 1.5pf @ 0v, 1 MHz
FDP8876 onsemi FDP8876 -
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 70A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 70W (TC)
NTMFS4926NET1G onsemi Ntmfs4926net1g -
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 1004 pf @ 15 V - 920MW (TA), 21.6W (TC)
NTD4302T4G onsemi NTD4302T4G 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD4302 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.4a (TA), 68a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 24 V - 1.04W (TA), 75W (TC)
FJP5200OTU onsemi Fjp5200otu -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FJP520 80 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
SMMSZ5254BT1G onsemi SMMSZ5254BT1G -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 SMMSZ5254 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
NVMTS0D7N04CLTXG onsemi Nvmts0d7n04cltxg 11.5100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmts0 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 67a (TA), 433A (TC) 4.5V, 10V 0.63mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 250 µA 205 NC @ 10 V ± 20V 12238 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 205W (TC)
MGP20N36CL onsemi MGP20N36CL 0.9000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
SZMM3Z4V3T1 onsemi SZMM3Z4V3T1 0.0600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
NTP45N06 onsemi NTP45N06 -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP45N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP45N06OS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 45a (TA) 10V 26mohm @ 22.5a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1725 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 125W (TJ)
NTD20N06T4 onsemi NTD20N06T4 -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD20 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD20N06T4OS EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 25 V - 1.88W (TA), 60W (TJ)
KSE803S onsemi KSE803S -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSE80 40 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 4 A 100 µA NPN - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
SZBZX84C5V6ET1G onsemi Szbzx84c5v6et1g 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
2SB1203T-E onsemi 2SB1203T-E -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1203 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 550mv @ 150 mA, 3a 200 @ 500mA, 2V 130MHz
NXH020F120MNF1PG onsemi Nxh020f120mnf1pg 166.4786
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo NXH020 Mosfet (Óxido de metal) 119W (TJ) 22-PIM (33.8x42.5) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH020F120MNF1PG EAR99 8541.29.0095 28 4 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 51a (TC) 30mohm @ 50A, 20V 4.3V @ 20MA 213.5nc @ 20V 2420pf @ 800V -
SZMMSZ5240BT1G onsemi Szmmsz5240bt1g 0.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Szmmsz52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 3 V 10 V 17 ohmios
FQU2N80TU onsemi Fqu2n80tu -
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 800 V 1.8a (TC) 10V 6.3ohm @ 900 mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSB708RTU onsemi KSB708RTU -
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 KSB70 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 80 V 7 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 Ma, 5a 40 @ 3a, 1v -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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