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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Current - On State (IT (AV)) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
NTMFS4926NET1G onsemi Ntmfs4926net1g -
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 17.3 NC @ 10 V ± 20V 1004 pf @ 15 V - 920MW (TA), 21.6W (TC)
NTD4302T4G onsemi NTD4302T4G 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD4302 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.4a (TA), 68a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 24 V - 1.04W (TA), 75W (TC)
FJP5200OTU onsemi Fjp5200otu -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FJP520 80 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 250 V 17 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
SMMSZ5254BT1G onsemi SMMSZ5254BT1G -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 SMMSZ5254 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
NVMTS0D7N04CLTXG onsemi Nvmts0d7n04cltxg 11.5100
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 ECAD 50 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmts0 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 67a (TA), 433A (TC) 4.5V, 10V 0.63mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 250 µA 205 NC @ 10 V ± 20V 12238 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 205W (TC)
MGP20N36CL onsemi MGP20N36CL 0.9000
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
SZMM3Z4V3T1 onsemi SZMM3Z4V3T1 0.0600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
NTP45N06 onsemi NTP45N06 -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP45N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP45N06OS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 45a (TA) 10V 26mohm @ 22.5a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 1725 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 125W (TJ)
NTD20N06T4 onsemi NTD20N06T4 -
RFQ
 ECAD 3096 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD20 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD20N06T4OS EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 25 V - 1.88W (TA), 60W (TJ)
KSE803S onsemi KSE803S -
RFQ
 ECAD 6013 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSE80 40 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 4 A 100 µA NPN - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
SZBZX84C5V6ET1G onsemi Szbzx84c5v6et1g 0.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
2SB1203T-E onsemi 2SB1203T-E -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1203 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 550mv @ 150 mA, 3a 200 @ 500mA, 2V 130MHz
NXH020F120MNF1PG onsemi Nxh020f120mnf1pg 166.4786
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo NXH020 Mosfet (Óxido de metal) 119W (TJ) 22-PIM (33.8x42.5) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH020F120MNF1PG EAR99 8541.29.0095 28 4 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 51a (TC) 30mohm @ 50A, 20V 4.3V @ 20MA 213.5nc @ 20V 2420pf @ 800V -
SZMMSZ5240BT1G onsemi Szmmsz5240bt1g 0.3700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Szmmsz52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 3 V 10 V 17 ohmios
FQU2N80TU onsemi Fqu2n80tu -
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 800 V 1.8a (TC) 10V 6.3ohm @ 900 mA, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSB708RTU onsemi KSB708RTU -
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 KSB70 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 80 V 7 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 Ma, 5a 40 @ 3a, 1v -
NRVBSS26T3G onsemi Nrvbss26t3g -
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Nrvbss2 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 630 MV @ 2 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
FJN3301RBU onsemi Fjn3301rbu -
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN330 300 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 250MHz
FDS6614A onsemi Fds6614a -
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS66 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.3a (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 9.3a, 10V 3V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 1160 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
MPSA55_D27Z onsemi MPSA55_D27Z -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA55 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
FDB86366-F085 onsemi FDB86366-F085 2.8800
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB86366 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 110A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 112 NC @ 10 V ± 20V 6280 pf @ 40 V - 176W (TJ)
FQB7N60TM onsemi FQB7N60TM -
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB7N60 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 1ohm @ 3.7a, 10v 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1430 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 142W (TC)
ISL9R860P2 onsemi ISL9R860P2 -
RFQ
 ECAD 5755 0.00000000 onde Stealth ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 ISL9R860 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.4 v @ 8 a 30 ns 100 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
CPH3350-TL-H onsemi CPH3350-TL-H 0.1900
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 onde - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) 3-cph descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-CPH3350-TL-H-488 1.567 Canal P 20 V 3a (TA) 83mohm @ 1.5a, 4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V 375 pf @ 10 V -
KSC3074YTU onsemi Ksc3074ytu -
RFQ
 ECAD 5054 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA KSC3074 1 W I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 5.040 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 150 mm, 3a 120 @ 1a, 1V 120MHz
BF240_J35Z onsemi Bf240_j35z -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF240 350MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 - 40V 50mera NPN 65 @ 1 MMA, 10V 1.1 GHz -
NTD4809NAT4G onsemi NTD4809NAT4G -
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.6a (TA), 58A (TC) 4.5V, 11.5V 9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1456 pf @ 12 V - 1.3W (TA), 52W (TC)
MJE13003G onsemi MJE13003G -
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE13 1.4 W A-126 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1.5 A - NPN 3V @ 500mA, 1.5a 8 @ 500mA, 2V 10MHz
RFD14N05SM onsemi RFD14N05SM -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RFD14 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado RFD14N05SM-NDR EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 14a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 40 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 48W (TC)
C106M1 onsemi C106M1 -
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 ECAD 2853 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 C106 A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 500 3 MA 600 V 4 A 800 MV 20A @ 60Hz 200 µA 2.2 V 2.55 A 10 µA Puerta sensible
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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