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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SB1204T-E onsemi 2SB1204T-E 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1204 1 W TP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 8 A 1 µA (ICBO) PNP 500mV @ 200MA, 4A 200 @ 500mA, 2V 130MHz
1N5344BRL onsemi 1N5344BRL -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5344 5 W Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 6.2 V 8.2 V 1.5 ohmios
1N965B_S00Z onsemi 1N965B_S00Z -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N965 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 11.4 V 15 V 16 ohmios
2SD1815S-H onsemi 2SD1815S-H -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1815 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 3 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mm, 1.5a 140 @ 500 mA, 5V 180MHz
MJF45H11G onsemi Mjf45h11g 1.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF45 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 80 V 10 A 1 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 40MHz
NTTFS4H05NTWG onsemi Nttfs4h05ntwg -
RFQ
 ECAD 6122 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 22.4a (TA), 94a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 30a, 10v 2.1V @ 250 µA 18.9 NC @ 10 V ± 20V 1205 pf @ 12 V - 2.66W (TA), 46.3W (TC)
MR754RLG onsemi MR754RLG -
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Botón, axial MR75 Estándar Botón de Microdo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 900 MV @ 6 A 25 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
SS12T3 onsemi SS12T3 -
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS12 Schottky SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 470 MV @ 1 A 45 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
ECH8656-TL-H onsemi ECH8656-TL-H -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano ECH8656 Mosfet (Óxido de metal) 8-ECH - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 7.5a (TA) 1.8V, 4.5V 17mohm @ 4a, 4.5V 1.3V @ 1MA 10.8 NC @ 4.5 V ± 10V 1060 pf @ 10 V - 1.3W (TA)
BZX84C15_S00Z onsemi BZX84C15_S00Z -
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C15 550 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 14.8 V 20 ohmios
IRAM136-1060B onsemi IRAM136-1060B -
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 onde - Banda Obsoleto Iram136 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Iram136-1060Bos Obsoleto 0000.00.0000 1
FSBS10CH60 onsemi FSBS10CH60 -
RFQ
 ECAD 3201 0.00000000 onde Movimiento-SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBS10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 3 fase 10 A 600 V 2500 VRMS
FDME905PT onsemi Fdme905pt 0.9000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerufdfn FDME905 Mosfet (Óxido de metal) Microfet 1.6x1.6 Delgado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 12 V 8a (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 8a, 4.5V 1V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 8V 2315 pf @ 6 V - 2.1W (TA)
MMBTA56WT1G onsemi Mmbta56wt1g 0.2200
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mmbta56 150 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
SNBRS2H100T3G onsemi SNBRS2H100T3G -
RFQ
 ECAD 1798 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky SMB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SNBRS2H100T3GTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 2 A 8 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
NTPF190N65S3HF onsemi NTPF190N65S3HF 4.4600
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero NTPF190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 430 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1610 pf @ 400 V - 36W (TC)
FNB51060T1 onsemi FNB51060T1 -
RFQ
 ECAD 4569 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 55 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT FNB51 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 78 Inversor de 3 fase 10 A 600 V 1500 VRMS
FDPF10N60ZUT onsemi Fdpf10n60zut 2.6900
RFQ
 ECAD 956 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1980 pf @ 25 V - 42W (TC)
MM3Z3V3T1G onsemi Mm3z3v3t1g 0.1700
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MM3Z3 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
1N5819G onsemi 1N5819G 0.4700
RFQ
 ECAD 9863 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5819 Schottky Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
FCD4N60TF onsemi Fcd4n60tf -
RFQ
 ECAD 3250 0.00000000 onde Superfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FCD4 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 3.9a (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 50W (TC)
SZBZX84B5V6LT1G onsemi SZBZX84B5V6LT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
MMSZ5254BT1G onsemi Mmsz5254bt1g 0.2300
RFQ
 ECAD 237 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ525 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
BZX55C12_T50R onsemi BZX55C12_T50R -
RFQ
 ECAD 8092 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C12 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 9 V 12 V 20 ohmios
1N4733A-T50R onsemi 1N473333A-T50R -
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4733 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 10 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
NTD4906NAT4H onsemi NTD4906NAT4H 0.5000
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 onde * Una granela Activo NTD4906 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 606 -
MUN5136T1G onsemi Mun5136t1g 0.0240
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mun5136 202 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-mun5136t1gtr EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 100 kohms 100 kohms
FQP2N60 onsemi FQP2N60 -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 2.4a (TC) 10V 4.7ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 64W (TC)
FJN3314RTA onsemi Fjn3314rta -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN331 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
FNB50560T1 onsemi FNB50560T1 -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 55 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 20 Potencias (1.220 ", 31.00 mm) IGBT FNB50 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 78 Inversor de 3 fase 5 A 600 V 1500 VRMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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