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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDS6994S onsemi Fds6994s -
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.9a, 8.2a 21mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 12NC @ 5V 800pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
KSP8599BU onsemi Ksp8599bu -
RFQ
 ECAD 9723 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP85 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 80 V 500 mA 100na PNP 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
NGTD13R120F2WP onsemi NGTD13R120F2WP -
RFQ
 ECAD 7150 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Morir NGTD13 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 - 1200 V 2.6 v @ 25 a 1 µA @ 1200 V 175 ° C (Máximo) - -
MJE801STU onsemi Mje801stu -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE80 40 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 60 V 4 A 100 µA NPN - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
KSD471AGBU onsemi Ksd471agbu -
RFQ
 ECAD 3995 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD471 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
NTMD2C02R2SG onsemi NTMD2C02R2SG -
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD2C Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 20V 5.2a, 3.4a 43mohm @ 4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
1SMA5919BT3 onsemi 1SMA5919BT3 -
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5919 1.5 W SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 2.5 µA @ 3 V 5.6 V 2 ohmios
BC636_J35Z onsemi BC636_J35Z -
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC636 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
MTB50P03HDLT4G onsemi Mtb50p03hdlt4g 4.2700
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MTB50 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 30 V 50A (TC) 5V 25mohm @ 25A, 5V 2V @ 250 µA 100 NC @ 5 V ± 15V 4900 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 125W (TC)
NRVUS240VT3G onsemi Nrvus240vt3g 0.5300
RFQ
 ECAD 7747 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB NRVUS240 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 65 ns 5 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
MUR1540G onsemi MUR1540G 1.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MUR1540 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
NTMFS4826NET3G onsemi Ntmfs4826net3g -
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 9.5A (TA), 66A (TC) 4.5V, 11.5V 5.9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 1850 pf @ 12 V - 870MW (TA), 41.7W (TC)
1N4937 onsemi 1N4937 -
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 600 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
FJX2222ATF onsemi FJX2222ATF -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX222 325 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MMSZ5242ET1 onsemi Mmsz5242et1 -
RFQ
 ECAD 6327 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ524 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mmsz5242et1os EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 30 ohmios
MMBZ5230BLT1G onsemi Mmbz5230blt1g 0.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 4.7 V 19 ohmios
MUR1100ERLG onsemi Mur1100erlg 0.5500
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Mur1100 Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.75 v @ 1 a 100 ns 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
CPH5520-TL-E onsemi CPH5520-TL-E 0.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 CPH5520 1.2w 5-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 80V, 50V 2a 1 µA (ICBO) NPN, PNP (emisor acoplado) 260mv @ 50 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 2v 420MHz
FDMS1D5N03 onsemi FDMS1D5N03 -
RFQ
 ECAD 3938 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS1D5 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 218a (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 40a, 10V 2V @ 250 µA 63 NC @ 4.5 V ± 16V 9690 pf @ 15 V - 83W (TC)
MURA220T3 onsemi MURA220T3 -
RFQ
 ECAD 8002 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA MURA220 Estándar SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MURA220T3OS EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 2 µA @ 200 V 2a -
FDC6322C onsemi FDC6322C -
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6322 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 25V 220 mm, 460 mA 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.7NC @ 4.5V 9.5pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQPF5N20 onsemi FQPF5N20 -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 3.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 25 V - 32W (TC)
BC638G onsemi Bc638g -
RFQ
 ECAD 6410 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC638 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 60 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 150MHz
NTD78N03R-35G onsemi NTD78N03R-35G 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
1SMB5920BT3G onsemi 1SMB5920BT3G 0.4900
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5920 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1SMB5920BT3GOSTR EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
FDD4N60NZ onsemi Fdd4n60nz -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD4N60 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3.4a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.7a, 10v 5V @ 250 µA 10.8 NC @ 10 V ± 25V 510 pf @ 25 V - 114W (TC)
NRVTS12120EMFST3G onsemi Nrvts12120emfst3g 0.4403
RFQ
 ECAD 6919 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVTS12120 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 830 MV @ 12 A 55 µA @ 120 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A -
MJF2955G onsemi Mjf2955g 1.9500
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF2955 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 90 V 10 A 1 µA PNP 2.5V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
NTHS5402T1 onsemi NTHS5402T1 -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Nths54 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
SBRD8350G onsemi SBRD8350G -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SBRD8350 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 600 MV @ 3 A 200 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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