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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NZ8F8V2SMX2WT5G onsemi NZ8F8V2SMX2WT5G 0.0456
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 onde NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 2.32% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NZ8F8V2SMX2WT5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 5 V 8.2 V 30 ohmios
MM5Z4694T5G onsemi MM5Z4694T5G 0.0583
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 onde Mm5z4xxxtxg Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-MM5Z4694T5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 V
NVMTS1D0N04CLTXG onsemi Nvmts1d0n04cltxg 2.8145
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFNW (8.3x8.4) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvmts1d0n04cltxgtr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 51.3a (TA), 291a (TC) 4.5V, 10V 1mohm @ 50a, 10v 3V @ 210 µA 122 NC @ 10 V ± 20V 7408 pf @ 25 V - 4.7W (TA), 153W (TC)
NTMFSC2D9N08H onsemi NTMFSC2D9N08H 3.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6.15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 23a (TA), 154A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 4380 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 166W (TC)
MUN5338DW1T3G onsemi MUN5338DW1T3G 0.0345
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MUN5338 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-mun533338dw1t3gtr EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 20 @ 5MA, 10V - 4.7kohms, 47 kohms 10 kohms, 47 kohms
NZD3V3MUT5G onsemi Nzd3v3mut5g 0.0315
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 onde Nzd5v1mu Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) 200 MW 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NZD3V3MUT5GTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.3 V 100 ohmios
SZMM5Z22VT1G onsemi Szmm5z22vt1g 0.0598
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZMM5ZXXXT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 5.68% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 500 MW Sod-523 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SZMM5Z22VT1GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
NDSH10170A onsemi NDSH10170A 11.7100
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 onde - Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 450 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.75 v @ 10 a 0 ns 40 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 16A 856pf @ 1V, 100kHz
NVMFWS025P04M8LT1G onsemi Nvmfws025p04m8lt1g 0.4117
RFQ
 ECAD 8301 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvmfws025p04m8lt1gtr EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 40 V 9.4a (TA), 34.6a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 255 µA 16.3 NC @ 10 V ± 20V 1058 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 44.1W (TC)
SZMM5Z4694T5G onsemi SZMM5Z4694T5G 0.0574
RFQ
 ECAD 3051 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, SZMM5Z4XXXXXG Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 500 MW Sod-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SZMM5Z4694T5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 V
SZNZ8F6V8SMX2WT5G onsemi Sznz8f6v8smx2wt5g 0.3200
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 2.35% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 3.5 V 6.8 V 40 ohmios
MBR8170TFSTWG onsemi MBR8170TFSTWG 0.4699
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-PowerWDFN Schottky 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-MBR8170TFSTWGTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 170 V 890 MV @ 8 A 30 µA @ 170 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 237pf @ 1V, 1 MHz
NVTFWS8D1N08HTAG onsemi Nvtfws8d1n08htag 0.5660
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFNW (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvtfws8d1n08htagtr EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 14a (TA), 61a (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 16a, 10v 4V @ 270 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 75W (TC)
MMSZ4712T1G onsemi MMSZ4712T1G -
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-MMSZ4712T1GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 na @ 21.2 V 28 V
NZD7V5MUT5G onsemi Nzd7v5mut5g 0.0436
RFQ
 ECAD 2382 0.00000000 onde Nzd5v1mu Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) 200 MW 2-x3dfn (0.6x0.3) (0201) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NZD7V5MUT5GTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 10 Ma 500 na @ 4 V 7.5 V 30 ohmios
SZNZ8F7V5SMX2WT5G onsemi SZNZ8F7V5SMX2WT5G 0.0490
RFQ
 ECAD 1693 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, NZ8F Tape & Reel (TR) Activo ± 2.27% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 2-xdfn 250 MW 2-x2dfnw (1x0.6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-SZNZ8F7V5SMX2WT5GTR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 4 V 7.5 V 30 ohmios
NRVRGF1K onsemi Nrvrgf1k 0.1402
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NRVRGF1KTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
STI13NM60N onsemi Sti13nm60n -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 onde * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-STI13NM60N EAR99 8541.29.0095 75
FCPF20N60ST onsemi FCPF20n60st 3.5200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-FCPF20N60ST-488 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) - - - -
FDV304P-F169 onsemi FDV304P-F169 0.1400
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2832-FDV304P-F169TR EAR99 8541.21.0095 1.786 Canal P 25 V 460MA (TA) 2.7V, 4.5V 1.1ohm @ 500mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.5 NC @ 4.5 V -8v 63 pf @ 10 V - 350MW (TA)
NTTFS6H888NTAG onsemi Nttfs6h888ntag -
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2832-NTTFS6H888NTAGTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 4.7a (TA), 12a (TC) 6V, 10V 55mohm @ 5a, 10v 4V @ 15 µA 4.7 NC @ 10 V ± 20V 220 pf @ 40 V - 2.9W (TA), 18W (TC)
SNSR20F30WCNXT5G onsemi SNSR20F30WCNXT5G 0.1400
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1
FQU12N20TU-T onsemi FQU12N20TU-T -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-FQU12N20TU-T Obsoleto 1
NTEFS2MS32NTDG onsemi Ntefs2ms32ntdg 0.0900
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 onde * Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NTEFS2MS32NTDG EAR99 8541.29.0095 1
FCHJ85N80-F155 onsemi FCHJ85N80-F155 -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 onde - Tubo Activo FCHJ85N80 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-FCHJ85N80-F155 1
FQNLNSOCTA onsemi Fqnlnsocta -
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Fqnln - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-fqnlnsoctatr 1
FQP50N06L-EPKE0003 onsemi FQP50N06L-EPKE0003 -
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - Alcanzar sin afectado 488-FQP50N06L-EPKE0003 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 52.4a (TC) 5V, 10V 21mohm @ 26.2a, 10v 2.5V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 20V 1630 pf @ 25 V - 121W (TC)
FDBL9406-F085HM onsemi FDBL9406-F085HM -
RFQ
 ECAD 2254 0.00000000 onde Powertrench® Una granela La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN FDBL9406 Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF - Alcanzar sin afectado 488-FDBL9406-F085HM EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 240a (TC) 10V 1.2mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 7735 pf @ 25 V - 300W (TJ)
SURA8260T3G-GA01 onsemi SURA8260T3G-GA01 -
RFQ
 ECAD 5557 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar SMA descascar Alcanzar sin afectado 488-sura8260t3g-ga01tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.45 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
NRVTSA4100ET3G-GA01 onsemi Nrvtsa4100et3g-ga01 -
RFQ
 ECAD 4444 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NRVTSA4100ET3G-GA01TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 660 MV @ 4 A 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 4A 54.7pf @ 100V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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