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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
1N914B_T50A onsemi 1N914B_T50A -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914B Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
BSP16T1G onsemi Bsp16t1g 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP16 1.5 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 300 V 100 mA 50 µA PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V 15MHz
MSB710-RT1 onsemi MSB710-RT1 -
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSB71 200 MW SC-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 150mA, 10V -
DTA124E onsemi Dta124e 0.0200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 onde * Una granela Activo Dta124 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0095 1
DTC123JET1G onsemi Dtc123Jet1g 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTC123 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
SS23FA onsemi Ss23fa 0.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Ss23 Schottky SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a 120pf @ 4V, 1MHz
2N4125RLRA onsemi 2N4125rlra 0.0200
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000
FDP8440 onsemi FDP8440 4.4300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP84 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 450 NC @ 10 V ± 20V 24740 pf @ 25 V - 306W (TC)
BZX85C3V6_T50A onsemi BZX85C3V6_T50A -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85C3 1 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3.6 V 15 ohmios
NVF3055-100T1G onsemi NVF3055-100T1G -
RFQ
 ECAD 7930 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NVF3055 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 3a (TA) 10V 110mohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 455 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
2SB1131T onsemi 2SB1131T 0.2300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
SI4420DY onsemi Si4420dy -
RFQ
 ECAD 1141 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si442 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Si4420dyfs EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 53 NC @ 5 V ± 20V 2180 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
NTZD5110NT1G onsemi Ntzd5110nt1g 0.3900
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NTZD5110 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V 294ma 1.6ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.7NC @ 4.5V 24.5pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
PN3566_D75Z onsemi PN3566_D75Z -
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 10 Ma, 100 Ma 150 @ 10mA, 10V -
FJA4210RTU onsemi Fja4210rtu -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FJA4210 100 W Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 30 140 V 10 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 Ma, 5a 50 @ 3a, 4V 30MHz
S215FA onsemi S215FA 0.4200
RFQ
 ECAD 1415 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S215 Schottky SOD-123FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 120pf @ 4V, 1MHz
FD6M033N06 onsemi FD6M033N06 -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 onde Power-Spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero EPM15 FD6M033 Mosfet (Óxido de metal) - EPM15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 19 2 Canal N (Dual) 60V 73a 3.3mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 129NC @ 10V 6010pf @ 25V -
NVB60N06T4G onsemi NVB60N06T4G -
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NVB60 Mosfet (Óxido de metal) D²pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 60A (TA) 14mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 81 NC @ 10 V 3220 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 150W (TJ)
GBPC25005W onsemi GBPC25005W 3.9852
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC25005 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 5 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
MMSZ5241BT1G onsemi Mmsz5241bt1g 0.2100
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 onde Mmsz52xxxt1g Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ524 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
NTSV20120CTG onsemi NTSV20120CTG 1.1700
RFQ
 ECAD 564 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 NTSV20120 Schottky Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTSV20120CTGOS EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 10A 1.12 v @ 10 a 700 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
MCH3335-TL-E onsemi MCH3335-TL-E 0.0700
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
NVMFS5C677NLT1G onsemi Nvmfs5c677nlt1g 1.4200
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11a (TA), 36a (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 2V @ 25 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 620 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 37W (TC)
NDT03N40ZT3G onsemi NDT03N40ZT3G -
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NDT03 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 400 V 500 mA (TC) 10V 3.4ohm @ 600 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 6.6 NC @ 10 V ± 30V 140 pf @ 50 V - 2W (TC)
NTD23N03R onsemi NTD23N03R -
RFQ
 ECAD 8327 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD23 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 3.8a (TA), 17.1a (TC) 4V, 5V 45mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 3.76 NC @ 4.5 V ± 20V 225 pf @ 20 V - 1.14W (TA), 22.3W (TC)
PN4258 onsemi PN4258 -
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN425 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 12 V 200 MA 10NA PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 10mA, 3V 700MHz
SMBD1042LT1 onsemi Smbd1042lt1 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 15,000
FQA19N60 onsemi FQA19N60 -
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA19 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 600 V 18.5A (TC) 10V 380mohm @ 9.3a, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 3600 pf @ 25 V - 300W (TC)
1N914BTR onsemi 1N914BTR 0.1000
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914B Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
15C01C-TB-E onsemi 15C01C-TB-E -
RFQ
 ECAD 1466 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 15C01 300 MW 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 ma, 200 ma 300 @ 10mA, 2V 330MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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