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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2N5172_D27Z onsemi 2N5172_D27Z -
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5172 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 100 @ 10mA, 10V -
BC560ABU onsemi Bc560abu -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC560 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
MMSZ4689T1 onsemi MMSZ4689T1 -
RFQ
 ECAD 2455 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 3 V 5.1 V
FJV3115RMTF onsemi FJV3115RMTF -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV311 200 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
NSCT3904LT3G onsemi NSCT3904LT3G -
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT39 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
NTTFS5C454NLTAG onsemi Nttfs5c454nltag 2.1600
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 20A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 55W (TC)
KSP26TA onsemi Ksp26ta -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP26 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
BC558TF onsemi BC558TF -
RFQ
 ECAD 8733 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC558 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
NSBC143EF3T5G onsemi NSBC143EF3T5G 0.0986
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBC143 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V 4.7 kohms 4.7 kohms
BZX84C4V7ET1G onsemi Bzx84c4v7et1g -
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C4 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
FDC658AP onsemi FDC658AP 0.6300
RFQ
 ECAD 9250 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC658 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
KSA709CGBU onsemi Ksa709cgbu -
RFQ
 ECAD 1894 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA709 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 150 V 700 Ma 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 200 @ 50mA, 2v 50MHz
MBRF2060CTG onsemi MBRF2060CTG -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MBRF2060 Schottky Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 850 MV @ 10 A 150 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
PN2222ATFR onsemi PN222222ATFR 0.3800
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN2222 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
S3J onsemi S3J 0.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3J Estándar SMC (DO-214AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 3 a 2.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
MMUN2214LT1G onsemi Mmun2214lt1g 0.1400
RFQ
 ECAD 7462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2214 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
SB05-05C-TB-E onsemi SB05-05C-TB-E 0.4500
RFQ
 ECAD 8462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SB05 Schottky 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 550 MV @ 500 Ma 10 ns 50 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 17pf @ 10V, 1 MHz
MZP4749ATAG onsemi Mzp4749atag -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MZP47 1 W Axial descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
BC846B onsemi BC846B -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 onde Sot-23 Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 200 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FJN3304RBU onsemi Fjn3304rbu -
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN330 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
FFAF20U20DNTU onsemi Ffaf20u20dntu -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FFAF20 Estándar Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 1.2 V @ 20 A 40 ns 20 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
NSBA124EDP6T5G onsemi NSBA124EDP6T5G 0.0672
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-963 NSBA124 408MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v - 22 kohms 22 kohms
BC556_J18Z onsemi BC556_J18Z -
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC556 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FQPF7N20L onsemi FQPF7N20L -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.5a, 10v 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 500 pf @ 25 V - 37W (TC)
NZT6714 onsemi NZT6714 -
RFQ
 ECAD 6786 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 NZT67 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 30 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
2SC3332R-AA onsemi 2SC3332R-AA -
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2SC3332 3-NP - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1.500 - - - - -
NDB6060L onsemi NDB6060L -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NDB6060 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 48a (TC) 5V, 10V 20mohm @ 24a, 10v 2V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 16V 2000 pf @ 25 V - 100W (TC)
1N5926BG onsemi 1N5926BG 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 8541.10.0050 112
MMBTA14LT1 onsemi Mmbta14lt1 -
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta14 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 300 mA - NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 10mA, 5V 125MHz
SB11-04HP-TR-E onsemi SB11-04HP-TR-E -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-SMD, J-LEAD SB11 Schottky SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1.1 A 1 ma @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1.1a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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