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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Corriente - Salida Máxima Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TUPO TRIAC Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - Ruptura Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Real - ruptura
TE01829-001 onsemi TE01829-001 1.0000
RFQ
 ECAD 7631 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados 1
FDD5N53TM_WS onsemi FDD5N53TM_WS -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 onde Unifet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD5 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 530 V 4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
NTMFS1D7N03CGT1G onsemi NTMFS1D7N03CGT1G 2.5000
RFQ
 ECAD 3048 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 35A (TA), 170A (TC) 10V 1.74mohm @ 18a, 10v 2.2V @ 90 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 3780 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 87W (TC)
MPSL51_D26Z onsemi MPSL51_D26Z -
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSL51 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 100 V 200 MA 1 µA (ICBO) PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 40 @ 50 mm, 5v 60MHz
NVMFS6B03NWFT3G onsemi Nvmfs6b03nwft3g -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 145A (TC) 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 16V 4200 pf @ 50 V - 3.9W (TA), 198W (TC)
NTNS5K0P021ZTCG onsemi Ntns5k0p021ztcg -
RFQ
 ECAD 7805 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn NTNS5 Mosfet (Óxido de metal) 3-xdfn (0.42x0.62) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 Canal P 20 V 127MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 12.8 pf @ 15 V - 125MW (TA)
FLZ8V2A onsemi FLZ8V2A -
RFQ
 ECAD 4837 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Flz8 500 MW Sod-80 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.2 v @ 200 ma 300 na @ 5 V 7.7 V 6.6 ohmios
1N5393 onsemi 1N5393 -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N539 Estándar Do-15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 25pf @ 4V, 1 MHz
BZX79C12_T50R onsemi BZX79C12_T50R -
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C12 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
MMBFJ202 onsemi Mmbfj202 0.5000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj2 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal - 40 V 900 µA @ 20 V 800 MV @ 10 na
MUR460RL onsemi Mur460rl -
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL Mur46 Estándar Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.28 v @ 4 a 75 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 4A -
2SC3150L onsemi 2SC3150L 0.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 50 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 800 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 2V @ 300 Ma, 1.5a 10 @ 200Ma, 5V 15MHz
MKP3V120G onsemi Mkp3v120g 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Do-201ad, axial Axial descascar EAR99 8541.30.0080 1 1 A 100 mA 110 ~ 130V 200 µA
SZ1SMB5926BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5926BT3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 550 MW SMB - Alcanzar sin afectado 488-SZ1SMB5926BT3G-VF01 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5 ohmios
MMSZ5248T1 onsemi MMSZ5248T1 0.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
KSD227GBU onsemi Ksd227gbu -
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD227 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30 mA, 300 mA 200 @ 50mA, 1V -
FQA19N20C onsemi FQA19N20C -
RFQ
 ECAD 4983 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 21.8a (TC) 10V 170mohm @ 10.9a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 180W (TC)
MAC12SNG onsemi Mac12sng 0.5300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220b descascar EAR99 8541.30.0080 567 Soltero 10 Ma Lógica - Puerta sensible 800 V 12 A 1.5 V 90A @ 60Hz 5 Ma
NRVHP260SFT3G onsemi Nrvhp260sft3g 0.1460
RFQ
 ECAD 4209 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F NRVHP260 Estándar SOD-123FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NRVHP260SFT3GTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 4.2 v @ 2 a 50 ns 1 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
HUF76639P3 onsemi HUF76639P3 -
RFQ
 ECAD 2664 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 HUF76 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Q1053436 EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 51a (TC) 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V 2400 pf @ 25 V -
FQP6N70 onsemi FQP6N70 -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 700 V 6.2a (TC) 10V 1.5ohm @ 3.1a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 142W (TC)
NGB8207ANT4G onsemi Ngb8207ant4g -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NGB820 Lógica 165 W D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 - - 365 V 20 A 50 A 2.2V @ 3.7V, 10a - -
NTLJD3181PZTAG onsemi Ntljd3181pztag -
RFQ
 ECAD 7416 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJD31 Mosfet (Óxido de metal) 710MW 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.2a 100mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 7.8nc @ 4.5V 450pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FSBS3CH60L onsemi FSBS3CH60L -
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBS3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 3 A 600 V 2500 VRMS
NDC631N onsemi Ndc631n -
RFQ
 ECAD 6895 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NDC631 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 4.1a (TA) 2.7V, 4.5V 60mohm @ 4.1a, 4.5V 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V 8V 365 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
FQB7P20TM-F085P onsemi FQB7P20TM-F085P -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FQB7P20TM-F085PTR EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 200 V 7.3a (TC) 10V 690mohm @ 3.65a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 770 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 90W (TC)
RD0506T-H onsemi RD0506T-H -
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA RD050 Estándar TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 v @ 5 a 50 ns 50 µA @ 600 V 150 ° C (Máximo) 5A -
NTHS4101PT1G onsemi NTHS4101PT1G 1.0800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHS4101 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.8a (TJ) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 4.8a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 8V 2100 pf @ 16 V - 1.3W (TA)
NTD4865N-1G onsemi NTD4865N-1G -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 8.5a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 10.9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.8 NC @ 4.5 V ± 20V 827 pf @ 12 V - 1.27W (TA), 33.3W (TC)
1N958B_T50A onsemi 1N958B_T50A -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N958 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 75 µA @ 5.7 V 7.5 V 5.5 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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