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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
NGB8207BNT4G onsemi Ngb8207bnt4g 0.6200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 165 W D2pak descascar EAR99 8542.39.0001 1 - - 365 V 20 A 50 A 2.6V @ 4V, 20a - -
NTMFS4823NT1G onsemi Ntmfs4823nt1g -
RFQ
 ECAD 5608 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4823 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 6.9a (TA), 30a (TC) 4.5V, 11.5V 10.6mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 13 NC @ 11.5 V ± 20V 795 pf @ 15 V - 860MW (TA), 32.5W (TC)
SBC857CLT1G onsemi SBC857CLT1G 0.3400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC857 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 100MHz
FQB44N10TM onsemi Fqb44n10tm 1.8400
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB44N10 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 43.5a (TC) 10V 39mohm @ 21.75a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 146W (TC)
MMSZ2V7T3G onsemi MMSZ2V7T3G -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ2V 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
1N5237B_T50R onsemi 1N5237B_T50R -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5237 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
2V7002LT3G onsemi 2V7002LT3G -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2v7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 225MW (TA)
SB360 onsemi SB360 -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial SB36 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 740 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5222BT3G onsemi Mmsz5222bt3g -
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ522 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.5 V 30 ohmios
1N962B onsemi 1N962B -
RFQ
 ECAD 6134 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N962 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 8.4 V 11 V 9.5 ohmios
NTD4906N-1G onsemi NTD4906N-1G -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD49 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 10.3a (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1932 pf @ 15 V - 1.38W (TA), 37.5W (TC)
FDP8870-F085 onsemi FDP8870-F085 -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
SZBZX84C11ET1G onsemi Szbzx84c11et1g 0.0358
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
MMBZ5231BLT1 onsemi Mmbz5231blt1 -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
NTLJF4156NTAG onsemi Ntljf4156ntag 0.5800
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF4156 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TJ) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 427 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
NDD03N50Z-1G onsemi NDD03N50Z-1G -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD03 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 274 pf @ 25 V - 58W (TC)
NVTFWS002N04CTAG onsemi Nvtfws002n04tag 1.0027
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfws002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVTFWS002N04CTAG-488 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
2SJ635-TL-E onsemi 2SJ635-TL-E 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) TP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ635-TL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 12a (TA) 4V, 10V 60mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 20 V - 1W (TA), 30W (TC)
MMBFJ212 onsemi Mmbfj212 -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 25 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj2 - Jfet Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 N-canal 40mera - - -
FQP6N40C onsemi FQP6N40C -
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
2SD1625-TD-E onsemi 2SD1625-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 4.000
FFPF06UP20STU onsemi Ffpf06up20stu -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF06 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 6 a 31 ns 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
NGTD20T120F2SWK onsemi NGTD20T120F2SWK -
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Ngtd20 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 548 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.4V @ 15V, 20a - -
MMSZ4V7ET1 onsemi Mmsz4v7et1 -
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Mmsz4v 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
PCP1203-P-TD-H onsemi PCP1203-P-TD-H -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA PCP1203 1.3 W PCP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 225mv @ 15 Ma, 750 Ma 200 @ 100 mapa, 2v 500MHz
1N971B onsemi 1N971B -
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N971 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 41 ohmios
NRVB8H100MFST1G onsemi NRVB8H100MFST1G 0.7500
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVB8 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
FDN306P onsemi FDN306P 0.4600
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN306 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 2.6a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 8V 1138 pf @ 6 V - 500MW (TA)
NFAL3512L5BT onsemi NFAL3512L5BT -
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 onde SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 31 Potencias (1.385 ", 35.17 mm) IGBT NFAL3512 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 6 1 inversor de fase 35 A 1.2 kV 2500 VRMS
NRVBS3100T3G onsemi Nrvbs3100t3g 0.9400
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC NRVBS3100 Schottky SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 3 A 50 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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