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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDP8870-F085 onsemi FDP8870-F085 -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
SZBZX84C11ET1G onsemi Szbzx84c11et1g 0.0358
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
MMBZ5231BLT1 onsemi Mmbz5231blt1 -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
NTLJF4156NTAG onsemi Ntljf4156ntag 0.5800
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF4156 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TJ) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 427 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
NDD03N50Z-1G onsemi NDD03N50Z-1G -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD03 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 274 pf @ 25 V - 58W (TC)
NVTFWS002N04CTAG onsemi Nvtfws002n04tag 1.0027
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfws002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVTFWS002N04CTAG-488 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
2SJ635-TL-E onsemi 2SJ635-TL-E 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) TP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ635-TL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 12a (TA) 4V, 10V 60mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 20 V - 1W (TA), 30W (TC)
MMBFJ212 onsemi Mmbfj212 -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 25 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj2 - Jfet Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 N-canal 40mera - - -
FQPF2N40 onsemi FQPF2N40 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 1.1a (TC) 10V 5.8ohm @ 550mA, 10V 5V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 16W (TC)
FQP6N40C onsemi FQP6N40C -
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
2SD1625-TD-E onsemi 2SD1625-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 4.000
FFPF06UP20STU onsemi Ffpf06up20stu -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF06 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 6 a 31 ns 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
NGTD20T120F2SWK onsemi NGTD20T120F2SWK -
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Ngtd20 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 548 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.4V @ 15V, 20a - -
MMSZ4V7ET1 onsemi Mmsz4v7et1 -
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Mmsz4v 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
PCP1203-P-TD-H onsemi PCP1203-P-TD-H -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA PCP1203 1.3 W PCP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 225mv @ 15 Ma, 750 Ma 200 @ 100 mapa, 2v 500MHz
2N6515RLRM onsemi 2N6515RLRM -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N6515 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 250 V 500 mA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 5 mm, 50 Ma 45 @ 50 mm, 10v 200MHz
1N971B onsemi 1N971B -
RFQ
 ECAD 7729 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N971 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 41 ohmios
NRVB8H100MFST1G onsemi NRVB8H100MFST1G 0.7500
RFQ
 ECAD 5800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVB8 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
FDN306P onsemi FDN306P 0.4600
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN306 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 2.6a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 8V 1138 pf @ 6 V - 500MW (TA)
NFAL3512L5BT onsemi NFAL3512L5BT -
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 onde SPM® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 31 Potencias (1.385 ", 35.17 mm) IGBT NFAL3512 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 6 1 inversor de fase 35 A 1.2 kV 2500 VRMS
NRVBS3100T3G onsemi Nrvbs3100t3g 0.9400
RFQ
 ECAD 9946 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC NRVBS3100 Schottky SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 790 MV @ 3 A 50 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
KSE200STSTU onsemi Kse200ststu -
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSE20 15 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.880 25 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 1.8v @ 1a, 5a 45 @ 2a, 1v 65MHz
2SK3119-TD-E onsemi 2SK3119-TD-E 0.2300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1,000
3LP01M-TL-H onsemi 3LP01M-TL-H -
RFQ
 ECAD 4874 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 3LP01 Mosfet (Óxido de metal) MCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 10.4ohm @ 50 mm, 4v - 1.43 NC @ 10 V ± 10V 7.5 pf @ 10 V - 150MW (TA)
SZMM3Z15VT1G onsemi SZMM3Z15VT1G 0.3500
RFQ
 ECAD 5969 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SZMM3Z15 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
FJD5553TM onsemi Fjd555553tm 0.9100
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FJD5553 1.25 W Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 3 A - NPN 500mV @ 200 MMA, 1A 30 @ 400mA, 3V -
SZBZX84C2V7ET1G onsemi Szbzx84c2v7et1g 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
PN4250A_D27Z onsemi PN4250A_D27Z -
RFQ
 ECAD 3209 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN425 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 mA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500 µA, 10 mA 250 @ 100 µA, 5V -
NGTB40N60FL2WG onsemi NGTB40N60FL2WG -
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB40 Estándar 366 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NGTB40N60FL2WGOS EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 72 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 970 µJ (Encendido), 440 µJ (apaguado) 170 NC 84ns/177ns
NTMFS4935NCT1G onsemi NTMFS4935NCT1G -
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4935 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 13a (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250 µA 49.4 NC @ 10 V ± 20V 4850 pf @ 15 V - 930MW (TA), 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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