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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTMFS6H836NT1G onsemi Ntmfs6h836nt1g 1.9600
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 15A (TA), 74A (TC) 6V, 10V 6.7mohm @ 15a, 10v 4V @ 95 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 40 V - 3.7W (TA), 89W (TC)
1N5239B_T50A onsemi 1N5239B_T50A -
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5239 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
MMSZ5223BT3 onsemi MMSZ5223BT3 -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ522 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 30 ohmios
MPS8099RLRPG onsemi Mps8099rlrpg -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS809 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 500 mA 100na NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
FDP15N40 onsemi FDP15N40 -
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP15 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 15A (TC) 10V 300mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1750 pf @ 25 V - 170W (TC)
MURA210T3G onsemi MURA210T3G 0.4400
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA MURA210 Estándar SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 940 MV @ 2 A 30 ns 2 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
PN3644_D27Z onsemi PN3644_D27Z -
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN364 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 45 V 800 Ma 35NA PNP 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
MMFT960T1 onsemi Mmft960t1 -
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MMFT96 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000
2N6490 onsemi 2N6490 -
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2N6490 1.8 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 15 A 1mera PNP 3.5V @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4V 5MHz
1N914B_T50R onsemi 1N914B_T50R -
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914B Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 30,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
NDC7002N_SB9G007 onsemi NDC7002N_SB9G007 -
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NDC7002 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 510 mm 2ohm @ 510 mm, 10v 2.5V @ 250 µA 1NC @ 10V 20pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
1N4738ATR onsemi 1N4738ATR 0.2800
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4738 1 W Do-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 10 µA @ 6 V 8.2 V 4.5 ohmios
NTD23N03R-001 onsemi NTD23N03R-001 -
RFQ
 ECAD 7351 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD23 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 3.8a (TA), 17.1a (TC) 4V, 5V 45mohm @ 6a, 10v 2V @ 250 µA 3.76 NC @ 4.5 V ± 20V 225 pf @ 20 V - 1.14W (TA), 22.3W (TC)
BF245C_D75Z onsemi BF245C_D75Z -
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BF245 - Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 25 Ma - - -
MJD42CRLG onsemi Mjd42crlg 0.9900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD42 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 100 V 6 A 50 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
PN3565_D26Z onsemi PN3565_D26Z -
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 500 mA 50NA (ICBO) NPN 350MV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 10V -
FDS9958 onsemi FDS9958 -
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS99 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 60V 2.9a 105mohm @ 2.9a, 10v 3V @ 250 µA 23nc @ 10V 1020pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
NTMS3P03R2 onsemi NTMS3P03R2 -
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ntms3p Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 30 V 2.34a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.05a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 24 V - 730MW (TA)
MPSW56 onsemi MPSW56 -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSW56 1 W Un 226-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.500 80 V 1 A 500NA PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V 50MHz
NVMFS5C430NLAFT1G onsemi Nvmfs5c430nlaft1g 2.7700
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 38a (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
FQD4N20TF onsemi Fqd4n20tf -
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd4 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 6.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
NVMFS5C442NLWFT3G onsemi NVMFS5C442NLWFT3G -
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 27a (TA), 127A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
NCR169DG onsemi Ncr169dg -
RFQ
 ECAD 8902 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO NCR169 TO-92 (TO-226) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 5,000 5 Ma 400 V 800 Ma 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 V 10 µA Puerta sensible
NTD3055-094T4G onsemi NTD3055-094T4G 0.9800
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD3055 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 12a (TA) 10V 94mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 1.5W (TA), 48W (TJ)
NSBC114YDXV6T1G onsemi NSBC114YDXV6T1G 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
HN2D02FUTW1T1G onsemi Hn2d02futw1t1g 0.4600
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 HN2D02 Estándar SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 80 V 100 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 3 ns 100 na @ 75 V 150 ° C (Máximo)
1N914 onsemi 1N914 0.1000
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
BYW29-200H onsemi Byw29-200h -
RFQ
 ECAD 1438 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 BYW29 Estándar Un 220-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 20 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
NTGS3447PT1G onsemi NTGS3447PT1G -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NTGS34 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 3.4a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 4.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 8V 1053 pf @ 6 V - 700MW (TA)
1N5250B_T50A onsemi 1N5250B_T50A -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5250 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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